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Produtos semicondutores discretos (5251)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso TIPO Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça Velocidade TIPO DE FET Condição de teste Ganho ATUAL Tensão Tensão - Isolamento Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Tipo de diodo Tensão - Pico Reverso (Max) Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Figura de Ruído (dB typ @ f)
FDB024N04AL7 Fairchild Semiconductor FDB024N04AL7 2.8700
RFQ
 ECAD 30 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-7, D²PAK (6 leads + guia) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-263-7 download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 40 v 100a (TC) 10V 2.4mohm @ 80a, 10V 3V A 250µA 109 NC @ 10 V ± 20V 7300 pf @ 25 V - 214W (TC)
GBPC1508 Fairchild Semiconductor GBPC1508 2.5700
RFQ
 ECAD 4019 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal de QC 4 Quadrados, GBPC Padrão GBPC download Ear99 8541.10.0080 100 1,1 V @ 7,5 A 5 µA A 800 V 15 a Fase Única 800 v
FDMS0312S Fairchild Semiconductor FDMS0312S 0,2300
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench®, SyncFET ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pqfn (5x6) download Ear99 8542.39.0001 1.398 N-canal 30 v 19a (ta), 42a (tc) 4.5V, 10V 4.9mohm @ 18a, 10V 3V @ 1Ma 46 nc @ 10 V ± 20V 2820 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 46W (TC)
NSBC114YDXV6T1G Fairchild Semiconductor Nsbc114ydxv6t1g 0,0800
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Semicondutor Fairchild * Volume Ativo download Ear99 8542.39.0001 1
GBPC2510W Fairchild Semiconductor GBPC2510W -
RFQ
 ECAD 1579 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4 Quadrados, GBPC-W Padrão GBPC-W download Ear99 8541.10.0080 1 1,1 V @ 12,5 A 5 µA @ 1 V 25 a Fase Única 1 kv
FDP12N50NZ Fairchild Semiconductor FDP12N50NZ -
RFQ
 ECAD 9483 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 500 v 11.5a (TC) 10V 520mohm @ 5.75a, 10V 5V A 250µA 30 NC a 10 V ± 25V 1235 pf @ 25 V - 170W (TC)
FGH40N65UFDTU-F085 Fairchild Semiconductor FGH40N65UFDTU-F085 -
RFQ
 ECAD 1254 0,00000000 Semicondutor Fairchild Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 Padrão 290 w To-247 download Ear99 8542.39.0001 1 400V, 40A, 10OHM, 15V 65 ns Parada de Campo 650 v 80 a 120 a 2.4V @ 15V, 40A 1,28MJ (ON), 500µJ (Desligado) 119 NC 23ns/126ns
FDB13AN06A0 Fairchild Semiconductor FDB13AN06A0 -
RFQ
 ECAD 8081 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download 0000.00.0000 1 N-canal 60 v 10.9a (ta), 62a (tc) 6V, 10V 13.5mohm @ 62a, 10V 4V A 250µA 29 NC @ 10 V ± 20V 1350 pf @ 25 V - 115W (TC)
FDD5N50NZFTM Fairchild Semiconductor Fdd5n50nzftm -
RFQ
 ECAD 3985 0,00000000 Semicondutor Fairchild Unifet-ii ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download Ear99 8542.39.0001 1 N-canal 500 v 3.7a (TC) 10V 1.75OHM @ 1.85a, 10V 5V A 250µA 12 nc @ 10 V ± 25V 485 pf @ 25 V - 62.5W (TC)
DF005M Fairchild Semiconductor DF005M 0,2300
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-EDIP (0,300 ", 7,62 mm) Padrão Dfm download Ear99 8541.10.0080 1.296 1,1 V @ 1 A 10 µA a 50 V 1 a Fase Única 50 v
GBPC12005 Fairchild Semiconductor GBPC12005 -
RFQ
 ECAD 1499 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal de QC 4 Quadrados, GBPC Padrão GBPC download Ear99 8541.10.0080 1 1,1 V @ 6 A 5 µA a 50 V 12 a Fase Única 50 v
FDPF680N10T Fairchild Semiconductor FDPF680N10T 0,6200
RFQ
 ECAD 54 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F-3 download Ear99 8542.39.0001 481 N-canal 100 v 12a (TC) 10V 68mohm @ 6a, 10V 4.5V a 250µA 17 NC @ 10 V ± 20V 1000 pf @ 50 V - 24W (TC)
FDS6990A Fairchild Semiconductor FDS6990A -
RFQ
 ECAD 4289 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) FDS6990 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 900MW 8-SOIC download Ear99 8542.39.0001 1 2 canal n (Duplo) 30V 7.5a 18mohm @ 7.5a, 10V 3V A 250µA 17NC @ 5V 1235pf @ 15V Portão de Nível Lógico
FGB7N60UNDF Fairchild Semiconductor FGB7N60UNDF 1.1100
RFQ
 ECAD 994 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab Padrão 83 w D2PAK (TO-263) download Ear99 8541.29.0095 1 400V, 7A, 10OHM, 15V 32,3 ns NPT 600 v 14 a 21 a 2.3V @ 15V, 7a 99µJ (ON), 104µJ (Off) 18 NC 5.9ns/32.3ns
IRFP254BFP001 Fairchild Semiconductor IRFP254BFP001 -
RFQ
 ECAD 8598 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-3P download 0000.00.0000 1 N-canal 250 v 25a (TC) 10V 140mohm @ 12.5a, 10V 4V A 250µA 123 nc @ 10 V ± 30V 3400 pf @ 25 V - 221W (TC)
FDMC7680 Fairchild Semiconductor FDMC7680 0,6100
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-POWERWDFN MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-mlp (3,3x3.3) download Ear99 8542.39.0001 492 N-canal 30 v 14.8a (TA) 4.5V, 10V 7.2mohm @ 14.8a, 10V 3V A 250µA 42 NC @ 10 V ± 20V 2855 pf @ 15 V - 2.3W (TA), 31W (TC)
DFB2505 Fairchild Semiconductor DFB2505 1.6400
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-SIP, TS-6P DFB25 Padrão TS-6P download Ear99 8541.10.0080 199 1.1 V @ 25 A 10 µA a 50 V 25 a Fase Única 50 v
KST10MTF Fairchild Semiconductor KST10MTF -
RFQ
 ECAD 3534 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo - Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350mw SOT-23-3 download Ear99 8542.39.0001 1 - 25V - Npn 60 @ 4MA, 10V 650MHz -
FGA30N60LSDTU Fairchild Semiconductor FGA30N60LSDTU 2.9000
RFQ
 ECAD 551 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-3P-3, SC-65-3 FGA30N60 Padrão 480 w TO-3P download Ear99 8542.39.0001 104 400V, 30A, 6.8OHM, 15V 35 ns Parada de Campo da Trinceira 600 v 60 a 90 a 1.4V @ 15V, 30A 1,1MJ (ON), 21MJ (Desligado) 225 NC 18ns/250ns
FDMS3624S Fairchild Semiconductor FDMS3624S -
RFQ
 ECAD 6729 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn FDMS3624 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 2.2w (ta), 2,5w (ta) 8-pqfn (5x6) download Ear99 8542.39.0001 1 2 canal n (Duplo) Assimético 25V 17.5a (ta), 30a (tc), 30a (ta), 60a (tc) 1.8mohm @ 30a, 10v, 5mohm @ 17.5a, 10V 2V @ 250µA, 2.2V @ 1Ma 26NC @ 10V, 59NC @ 10V 1570pf @ 13V, 4045pf @ 13V -
FDMS7570S Fairchild Semiconductor FDMS7570S 0,5400
RFQ
 ECAD 17 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench®, SyncFET ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pqfn (5x6) download Ear99 8542.39.0001 558 N-canal 25 v 28a (ta), 49a (tc) 4.5V, 10V 1,95mohm @ 28a, 10V 3V @ 1Ma 69 NC @ 10 V ± 20V 4515 pf @ 13 V - 2.5W (TA), 83W (TC)
FGH60N60SFTU Fairchild Semiconductor FGH60N60SFTU 3.7100
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Semicondutor Fairchild * Volume Ativo download Ear99 8542.39.0001 81
1N4745ATR Fairchild Semiconductor 1n4745atr 0,0300
RFQ
 ECAD 16 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco Do-204al, DO-41, axial 1N4745 1 w DO-41 download Ear99 8541.10.0050 10.193 5 µA A 12,2 V 16 v 16 ohms
1N4753A-T50A Fairchild Semiconductor 1N4753A-T50A 0,0300
RFQ
 ECAD 69 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco Do-204al, DO-41, axial 1 w DO-204AL (DO-41) download Ear99 8541.10.0050 9.366 5 µA A 27,4 V 36 v 50 ohms
1N5231BTR Fairchild Semiconductor 1n5231btr -
RFQ
 ECAD 1610 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) download Ear99 8541.10.0050 1 1,2 V @ 200 mA 5 µA @ 2 V 5.1 v 17 ohms
FFD08S60S-F085 Fairchild Semiconductor FFD08S60S-F085 -
RFQ
 ECAD 2501 0,00000000 Semicondutor Fairchild Automotivo, AEC-Q101, Stealth ™ II Volume Ativo Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 Padrão TO-252, (D-PAK) download Ear99 8542.39.0001 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 2,6 V @ 8 A 30 ns 100 µA A 600 V -65 ° C ~ 150 ° C. 8a -
PN2222ATA Fairchild Semiconductor PN2222ATA 1.0000
RFQ
 ECAD 6789 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 625 MW TO-92-3 - 0000.00.0000 1 40 v 1 a 10na (ICBO) Npn 1V @ 50MA, 500mA 100 @ 150mA, 10V 300MHz
FCPF7N60YDTU Fairchild Semiconductor Fcpf7n60ydtu 1.0100
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor Fairchild Superfet ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, FiOS Formados MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F-3 (FORMAÇÃO Y) download Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 600 v 7a (TC) 10V 600mohm @ 3.5a, 10V 5V A 250µA 30 NC a 10 V ± 30V 920 pf @ 25 V - 31W (TC)
FAM65V05DF1 Fairchild Semiconductor FAM65V05DF1 41.0100
RFQ
 ECAD 15 0,00000000 Semicondutor Fairchild Auto SPM® Volume Ativo Através do buraco Módulo de 27-PowerDip (0.300 ", 7,62 mm) IGBT download Ear99 8542.39.0001 1 3 fase 50 a 650 v 2500VRMS
FDPF12N50NZ Fairchild Semiconductor FDPF12N50NZ 0,9800
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild Unifet-ii ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F-3 download Ear99 8541.29.0095 306 N-canal 500 v 11.5a (TC) 10V 520mohm @ 5.75a, 10V 5V A 250µA 30 NC a 10 V ± 25V 1235 pf @ 25 V - 42W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

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