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Produtos semicondutores discretos (5251)

Número do Produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade Dispon Svel	Mfr	Série	Pacote	Status do produto	Tolerânia	Temperatura operacional	Tipo de Montagem	Pacote / Caso	TIPO	Número do Produto Base	Tipo de Entrada	Tecnologia	Poder - Máx	Pacote de Dispositivo de Fornecedor	Ficha de Dadas	ECCN	Htsus	PACOTE PADROO	Configuraça	TIPO DE FET	Condição de teste	ATUAL	Tensão	Tensão - Isolamento	Escorra para um tensão de origem (VDSS)	Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C	Tensão de conduça (max rds on, min rds on)	Rds em (max) @ id, vgs	VGS (th) (max) @ id	Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS	VGs (Máximoo)	CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Recurso FET	DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX)	Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se	Tempo de RecuperAção Reversa (TRR)	ATUAL - Vazamento Reverso @ VR	Corrente - Retificada Média (IO)	TIPO IGBT	Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max)	Corrente - Coletor (IC) (Max)	Corrente - Coletor Pulsa (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Troca de Energia	Carga do Portão	TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C	Tipo de diodo	Tensão - Pico Reverso (Max)	Corrente - Corte de Colecionador (Max)	Tensão - Zener (NOM) (VZ)	Impedioso (máx) (ZZT)	Tipo de transistor	Vce saturação (max) @ ib, ic	Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE	Frequencia - Transmissão
FDS4935BZ	-	RFQ	9371	Semicondutor Fairchild	PowerTrench®	Volume	Ativo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura)		FDS49		MOSFET (ÓXIDO DE METAL)	900MW (TA)	8-SOIC	download	Ear99	8542.39.0001	1	2 Canal P (Duplo)						30V	6.9a (TA)		22mohm @ 6.9a, 10V	3V A 250µA	40NC @ 10V		1360pf @ 15V	-
NZT753	0,3900	RFQ	800	Semicondutor Fairchild	-	Volume	Ativo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	TO-261-4, TO-261AA					1.2 w	SOT-223-4	download	Ear99	8542.39.0001	800																						100 v	4 a								100na (ICBO)			Pnp	300mv @ 50ma, 1a	100 @ 500mA, 2V	75MHz
DF06S	-	RFQ	5151	Semicondutor Fairchild	-	Volume	Ativo		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	4-SMD, Asa de Gaivota				Padrão		Df-s	download	Ear99	8541.10.0080	1																	1,1 V @ 1 A		10 µA A 600 V	1 a									Fase Única	600 v
GBPC3501W	1.0000	RFQ	8739	Semicondutor Fairchild	-	Volume	Ativo		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Através do buraco	4 Quadrados, GBPC-W				Padrão		GBPC-W	download	Ear99	8541.10.0080	1																	1,1 V @ 17,5 A		5 µA A 100 V	35 a									Fase Única	100 v
FDMS3615S	-	RFQ	7214	Semicondutor Fairchild	PowerTrench®	Volume	Ativo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	8-PowerTdfn		FDMS3615		MOSFET (ÓXIDO DE METAL)	1w	8-pqfn (5x6)	download	Ear99	8542.39.0001	1	2 canal n (Duplo) Assimético						25V	16a, 18a		5.8mohm @ 16a, 10V	2,5V a 250µA	27NC @ 10V		1765pf @ 13V	Portão de Nível Lógico
MB2S	-	RFQ	5890	Semicondutor Fairchild	-	Volume	Ativo		-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	4-SMD, Asa de Gaivota		MB2		Padrão		Md-s	download	Ear99	8541.10.0080	1																	1,05 V @ 400 mA		5 µA A 200 V	500 MA									Fase Única	200 v
FCH130N60	2.3700	RFQ	144	Semicondutor Fairchild	Superfet® II	Volume	Ativo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Através do buraco	To-247-3				MOSFET (ÓXIDO DE METAL)		To-247	download	Ear99	8542.39.0001	1		N-canal					600 v	28a (TC)	10V	130mohm @ 14a, 10v	3,5V a 250µA	70 nc @ 10 V	± 20V	3590 PF @ 380 V	-	278W (TC)
FDB2572	1.0000	RFQ	5398	Semicondutor Fairchild	-	Volume	Ativo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab				MOSFET (ÓXIDO DE METAL)		D2PAK (TO-263)	download	Ear99	8542.39.0001	1		N-canal					150 v	4a (ta), 29a (tc)	6V, 10V	54mohm @ 9a, 10V	4V A 250µA	34 NC @ 10 V	± 20V	1770 pf @ 25 V	-	135W (TC)
FJP3305H2TU	-	RFQ	4328	Semicondutor Fairchild	-	Volume	Ativo		150 ° C (TJ)	Através do buraco	To-220-3					75 w	To-220-3	download	Ear99	8542.39.0001	1																						400 v	4 a								1µA (ICBO)			Npn	1v @ 1a, 4a	26 @ 1A, 5V	4MHz
FDPF10N60ZUT	1.2200	RFQ	1	Semicondutor Fairchild	Unifet ™	Volume	Ativo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Através do buraco	Pacote completo parágrafo 220-3				MOSFET (ÓXIDO DE METAL)		TO-220F-3	download	Ear99	8542.39.0001	246		N-canal					600 v	9a (TC)	10V	800mohm @ 4.5a, 10V	5V A 250µA	40 nc @ 10 V	± 30V	1980 pf @ 25 V	-	42W (TC)
FSB70325	5.0900	RFQ	10	Semicondutor Fairchild	Motion SPM® 7	Volume	Ativo			Montagem na Superfície	Módulo 27-Powerlqfn	MOSFET						download	Ear99	8542.39.0001	1	3 fase			4.1 a	250 v	1500VRMS
MM3Z75VC	0,0400	RFQ	172	Semicondutor Fairchild	-	Volume	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C.	Montagem na Superfície	SC-90, SOD-323F					200 MW	SOD-323F	download	Ear99	8541.10.0050	7.340																	1 V @ 10 Ma		45 Na @ 52,5 V													75 v	240 ohms
FGP3440G2	-	RFQ	8360	Semicondutor Fairchild	*	Volume	Ativo											-		0000.00.0000	1
HGTG27N120BN	-	RFQ	8388	Semicondutor Fairchild	-	Volume	Ativo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Através do buraco	To-247-3			Padrão		500 w	To-247	download	Ear99	8542.39.0001	1			960V, 27a, 3ohm, 15V																		NPT	1200 v	72 a	216 a	2.7V @ 15V, 27a	2,2mj (ON), 2,3MJ (Desligado)	270 NC	24ns/195ns
BS170-D26Z	0,1000	RFQ	172	Semicondutor Fairchild	-	Volume	Ativo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Através do buraco	TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads				MOSFET (ÓXIDO DE METAL)		TO-92-3	download	Ear99	8541.21.0095	3.406		N-canal					60 v	500mA (TA)	10V	5ohm @ 200Ma, 10V	3V @ 1Ma		± 20V	40 pf @ 10 V	-	830mW (TA)
FDN306P	-	RFQ	1935	Semicondutor Fairchild	PowerTrench®	Volume	Ativo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				MOSFET (ÓXIDO DE METAL)		SOT-23-3	download	Ear99	8542.39.0001	1		Canal P.					12 v	2.6a (ta)	1.8V, 4.5V	40mohm @ 2.6a, 4.5V	1,5V a 250µA	17 NC @ 4,5 V	± 8V	1138 pf @ 6 V	-	500mW (TA)
FDC653N	0,2500	RFQ	2	Semicondutor Fairchild	-	Volume	Ativo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6				MOSFET (ÓXIDO DE METAL)		SuperSot ™ -6	download	Ear99	8542.39.0001	1.192		N-canal					30 v	5a (ta)	4.5V, 10V	35mohm @ 5a, 10V	2V A 250µA	17 NC @ 10 V	± 20V	350 pf @ 15 V	-	1.6W (TA)
GBPC1204W	2.4800	RFQ	626	Semicondutor Fairchild	-	Volume	Ativo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Através do buraco	4 Quadrados, GBPC-W				Padrão		GBPC-W	download	Ear99	8541.10.0080	122																	1,1 V @ 6 A		5 µA A 400 V	12 a									Fase Única	400 v
FGAF40N60UFTU	1.8800	RFQ	2	Semicondutor Fairchild	*	Volume	Ativo											download	Ear99	8542.39.0001	160
FCH067N65S3-F155	-	RFQ	9718	Semicondutor Fairchild	Superfet® III	Volume	Ativo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Através do buraco	To-247-3				MOSFET (ÓXIDO DE METAL)		To-247-3	download	Ear99	8542.39.0001	1		N-canal					650 v	44a (TC)	10V	67mohm @ 22a, 10V	4.5V @ 4.4MA	78 NC @ 10 V	± 30V	3090 PF @ 400 V	-	312W (TC)
GBPC25005	1.0000	RFQ	3803	Semicondutor Fairchild	-	Volume	Ativo		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Terminal de QC	4 Quadrados, GBPC				Padrão		GBPC	download	Ear99	8541.10.0080	1																	1,1 V @ 12,5 A		5 µA a 50 V	25 a									Fase Única	50 v
NZT751	0,5100	RFQ	4	Semicondutor Fairchild	-	Volume	Ativo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	TO-261-4, TO-261AA					1.2 w	SOT-223-4	download	Ear99	8542.39.0001	583																						60 v	4 a								100na (ICBO)			Pnp	500mv @ 200Ma, 2a	40 @ 2A, 2V	75MHz
FDD3680	-	RFQ	5170	Semicondutor Fairchild	PowerTrench®	Volume	Ativo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63				MOSFET (ÓXIDO DE METAL)		TO-252, (D-PAK)	download	Ear99	8542.39.0001	1		N-canal					100 v	25a (ta)	6V, 10V	46mohm @ 6.1a, 10V	4V A 250µA	53 nc @ 10 V	± 20V	1735 pf @ 50 V	-	68W (TA)
FGAF40N60UFDTU	2.4800	RFQ	2	Semicondutor Fairchild	-	Volume	Ativo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Através do buraco	Pacote completo para 3p-3			Padrão		100 w	TO-3PF	download	Ear99	8542.39.0001	122			300V, 20A, 10OHM, 15V															95 ns			-	600 v	40 a	160 a	3V @ 15V, 20A	470µJ (ON), 130µJ (Desligado)	77 NC	15ns/65ns
FGD3040G2-F085	1.0000	RFQ	5550	Semicondutor Fairchild	Automotive, AEC-Q101, ECOSPARK®	Volume	Ativo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63		FGD3040	Lógica		150 w	TO-252, (D-PAK)	download	Ear99	8542.39.0001	1			300V, 6.5A, 1KOHM, 5V																		-	400 v	41 a		1.25V @ 4V, 6a	-	21 NC	-/4,8µs
HGTG30N60C3D	6.9600	RFQ	7	Semicondutor Fairchild	-	Volume	Ativo		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Através do buraco	To-247-3			Padrão		208 w	To-247	download	Ear99	8542.39.0001	44			-															60 ns			-	600 v	63 a	252 a	1.8V @ 15V, 30A	1,05MJ (ON), 2,5MJ (Desligado)	162 NC	-
DFB2520	1.5800	RFQ	5	Semicondutor Fairchild	-	Volume	Ativo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Através do buraco	4-SIP, TS-6P				Padrão		TS-6P	download	Ear99	8541.10.0080	190																	1.1 V @ 25 A		10 µA A 200 V	25 a									Fase Única	200 v
FDBL0120N40	-	RFQ	4932	Semicondutor Fairchild	PowerTrench®	Volume	Ativo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	8-POWERSFN				MOSFET (ÓXIDO DE METAL)		8-hpsof	download	Ear99	8542.39.0001	1		N-canal					40 v	240a (TC)	10V	1.2mohm @ 80a, 10V	4V A 250µA	107 NC @ 10 V	± 20V	7735 pf @ 25 V	-	300W (TJ)
FDS4897C	1.0000	RFQ	7714	Semicondutor Fairchild	PowerTrench®	Volume	Ativo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura)		FDS4897		MOSFET (ÓXIDO DE METAL)	900MW	8-SOIC	download	Ear99	8542.39.0001	1	N E P-Canal						40V	6.2a, 4.4a		29mohm @ 6.2a, 10V	3V A 250µA	20NC @ 10V		760pf @ 20V	Portão de Nível Lógico
FCD900N60Z	0,7800	RFQ	1	Semicondutor Fairchild	Superfet® II	Volume	Ativo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63				MOSFET (ÓXIDO DE METAL)		TO-252, (D-PAK)	download	Ear99	8541.29.0095	385		N-canal					600 v	4.5a (TC)	10V	900mohm @ 2.3a, 10V	3,5V a 250µA	17 NC @ 10 V	± 20V	720 pf @ 25 V	-	52W (TC)