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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | TIPO | Número do Produto Base | Tipo de Entrada | Tecnologia | Poder - Máx | Entrada | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Condição de teste | ATUAL | Tensão | Tensão - Isolamento | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | TIPO IGBT | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Corrente - Coletor Pulsa (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Troca de Energia | Carga do Portão | TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Termistor NTC | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) | CapacitânCia de Entrada (CIES) @ VCE | Tipo de transistor | Vce saturação (max) @ ib, ic | Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE | Frequencia - Transmissão |
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![]() | FMM7G30US60i | 28.1700 | ![]() | 17 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Módlo | 104 w | Retificador de Ponte Trifásica | - | - | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | 2156-FMM7G30US60I | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Inversor trifásico com freio | - | 600 v | 30 a | 2.7V @ 15V, 30A | 250 µA | Sim | 2.1 NF @ 30 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FMM7G20US60I | 28.1700 | ![]() | 34 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Módlo | 89 w | Retificador de Ponte Trifásica | - | download | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | 2156-FMM7G20US60I | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Inversor trifásico com freio | - | 600 v | 20 a | 2.7V @ 15V, 20A | 250 µA | Sim | 1.277 NF @ 30 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FMM6G30US60 | 28.1700 | ![]() | 34 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Módlo | 104 w | Retificador de Ponte Trifásica | - | download | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | 2156-FMM6G30US60 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Inversor trifásico com freio | - | 600 v | 30 a | 2.7V @ 15V, 30A | 250 µA | Sim | 2.1 NF @ 30 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FBA42060 | - | ![]() | 3591 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | PFC SPM® 45 | Volume | Obsoleto | Através do buraco | Módulo de 26-PowerDip (1.024 ", 26,00mm) | IGBT | - | 2156-FBA42060 | 1 | 1 fase | 20 a | 600 v | 2000Vrms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75332P3 | - | ![]() | 4297 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220-3 | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-HUF75332P3-600039 | 1 | N-canal | 55 v | 60a (TC) | 10V | 19mohm @ 60a, 10V | 4V A 250µA | 85 nc @ 20 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 145W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksc3265ymtf | - | ![]() | 4202 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 200 MW | SOT-23-3 | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-KSC3265YMTF-600039 | 1 | 25 v | 800 mA | 100na | Npn | 400mv @ 20Ma, 500mA | 100 @ 100mA, 1V | 120MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5257B | - | ![]() | 7381 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 500 MW | DO-35 | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-1N5257B-600039 | 1 | 1,2 V @ 200 mA | 100 Na @ 25 V | 33 v | 58 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRLM120ATF | - | ![]() | 3206 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-223-4 | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-Irlm120ATF-600039 | 1 | N-canal | 100 v | 2.3a (TC) | 5V | 220mohm @ 1.15a, 5V | 2V A 250µA | 15 nc @ 5 V | ± 20V | 440 pf @ 25 V | - | 2.7W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FSAM10SH60A | - | ![]() | 5405 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | Motion SPM® 2 | Volume | Obsoleto | Através do buraco | Módlo de 32-PowerDip (1,370 ", 34,80mm) | IGBT | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-FSAM10SH60A-600039 | 1 | Inversor de três fases | 10 a | 600 v | 2500VRMS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NZT6715 | - | ![]() | 3259 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-261-4, TO-261AA | 1 w | SOT-223-4 | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-NZT6715-600039 | 1 | 40 v | 1.5 a | 100na (ICBO) | Npn | 500mv @ 100ma, 1a | 60 @ 100mA, 1V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFP50N06 | - | ![]() | 6246 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220-3 | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-RFP50N06-600039 | 1 | N-canal | 60 v | 50a (TC) | 10V | 22mohm @ 50a, 10V | 4V A 250µA | 150 nc @ 20 V | ± 20V | 2020 pf @ 25 V | - | 131W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT6515 | - | ![]() | 1506 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | SOT-23-3 | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-MMBT6515-600039 | 1 | 25 v | 200 MA | 50na (ICBO) | Npn | 500mv @ 5Ma, 50Ma | 250 @ 2MA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HGTG40N60C3 | - | ![]() | 7264 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | Ufs | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | Padrão | 291 w | To-247 | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-HGTG40N60C3-600039 | 1 | 480V, 40A, 3OHM, 15V | - | 600 v | 75 a | 300 a | 1.8V @ 15V, 40A | 850MJ (ON), 1MJ (OFF) | 395 NC | 47ns/185ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA1708T-AN | - | ![]() | 8379 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Através do buraco | SC-71 | 1 w | 3-nmp | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-2SA1708T-AN-600039 | 1 | 100 v | 1 a | 100na | Pnp | 600mv @ 40mA, 400mA | 200 @ 100mA, 5V | 120MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HGTG7N60A4D | - | ![]() | 3040 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | SMPS | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | Padrão | 125 w | To-247-3 | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-HGTG7N60A4D-600039 | 1 | 390V, 7A, 25OHM, 15V | 34 ns | - | 600 v | 34 a | 56 a | 2.7V @ 15V, 7a | 55µJ (ON), 60µJ (Desligado) | 37 NC | 11ns/100ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5259B | - | ![]() | 5042 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-1N5259B-600039 | 1 | 1,2 V @ 200 mA | 100 Na @ 30 V | 39 v | 80 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ISL9N308AP3 | 0,8100 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | Ultrafet® | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 30 v | 75a (TC) | 4.5V, 10V | 8ohm @ 75a, 10V | 3V A 250µA | 68 nc @ 10 V | ± 20V | 2600 pf @ 15 V | - | 100w (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ISL9N307AS3ST | - | ![]() | 2686 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | Ultrafet® | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-263AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.29.0095 | 67 | N-canal | 30 v | 75a (TC) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 75a, 10V | 3V A 250µA | 75 NC @ 10 V | ± 20V | 3000 pf @ 15 V | - | 100w (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ISL9N310AD3ST | - | ![]() | 4782 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | Ultrafet® | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252-3 (DPAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.29.0095 | 995 | N-canal | 30 v | 35a (TC) | 4.5V, 10V | 10ohm @ 35a, 10a | 3V A 250µA | 48 nc @ 10 V | ± 20V | 1800 pf @ 15 V | - | 70W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ISL9N322AP3 | 0,2400 | ![]() | 156 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 30 v | 35a (TC) | 4.5V, 10V | 22mohm @ 35a, 10V | 3V A 250µA | 27 NC @ 10 V | ± 20V | 970 pf @ 15 V | - | 50W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDB7045L | 4.0500 | ![]() | 120 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | PowerTrench® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-263AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 30 v | 100a (TJ) | 4.5V, 10V | 4.5mohm @ 50a, 10V | 3V A 250µA | 58 nc @ 5 V | ± 20V | 4357 pf @ 15 V | - | 107W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDC6308p | 0,5300 | ![]() | 28 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | PowerTrench® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | FDC6308 | - | 700mW (TA) | SuperSot ™ -6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Duplo) | 20V | 1.7a (ta) | 180mohm @ 1.7a, 4.5V | 1,5V a 250µA | 5NC @ 4.5V | 265pf @ 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQD6N60CTF | - | ![]() | 5291 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | QFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252, (D-PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 600 v | 4a (TC) | 10V | 2ohm @ 2a, 10V | 4V A 250µA | 20 NC A 10 V | ± 30V | 810 pf @ 25 V | - | 80W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF730B | 0,3200 | ![]() | 471 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 400 v | 5.5a (TC) | 10V | 1OHM @ 2.75A, 10V | 4V A 250µA | 33 nc @ 10 V | ± 30V | 1000 pf @ 25 V | - | 73W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDB4030L | 0,8300 | ![]() | 13 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | PowerTrench® | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-263AB | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 30 v | 20a (TC) | 10V | 55mohm @ 4.5a, 10V | 2V A 250µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 365 pf @ 15 V | - | 37.5W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HGTP14N44G3VL | 1.0000 | ![]() | 9388 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | Lógica | 231 w | TO-220AB | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 300V, 7.5A, 1KOHM, 5V | - | 490 v | 27 a | 1.9V @ 4.5V, 8a | - | -/18µs | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Hgtp7n60a4_nl | 0,6000 | ![]() | 511 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | Padrão | 125 w | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 511 | 390V, 7A, 25OHM, 15V | - | 600 v | 34 a | 56 a | 2.7V @ 15V, 7a | 55µJ (ON), 60µJ (Desligado) | 37 NC | 11ns/100ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDB15N50_NL | 2.1300 | ![]() | 9308 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | PowerTrench® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK (TO-263) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.29.0095 | 6 | N-canal | 500 v | 15a (TC) | 10V | 380mohm @ 7.5a, 10V | 4V A 250µA | 41 nc @ 10 V | ± 30V | 1850 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FMG1G150US60L | 51.0200 | ![]() | 15 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Módlo | 595 w | Padrão | - | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Solteiro | - | 600 v | 150 a | 2.7V @ 15V, 150a | 250 µA | Não | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ssp2n60b | 0,1700 | ![]() | 372 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 600 v | 2a (TC) | 10V | 5ohm @ 1a, 10V | 4V A 250µA | 17 NC @ 10 V | ± 30V | 490 pf @ 25 V | - | 54W (TC) |
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