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Produtos semicondutores discretos (5251)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso TIPO Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça Velocidade TIPO DE FET Condição de teste ATUAL Tensão Tensão - Isolamento Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão
HUF75639S3ST_Q Fairchild Semiconductor HUF75639S3ST_Q 1.1700
RFQ
 ECAD 36 0,00000000 Semicondutor Fairchild * Volume Ativo HUF75639 - - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 800 -
HUFA75639S3ST Fairchild Semiconductor HUFA75639S3ST 1.4800
RFQ
 ECAD 33 0,00000000 Semicondutor Fairchild Automotivo, AEC-Q101, Ultrafet ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab Hufa75 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D²PAK (TO-263AB) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 0000.00.0000 800 N-canal 100 v 56a (TC) 10V 25mohm @ 56a, 10V 4V A 250µA 130 nc @ 10 V ± 20V 2000 pf @ 25 V - 200W (TC)
FSB50450 Fairchild Semiconductor FSB50450 5.8000
RFQ
 ECAD 179 0,00000000 Semicondutor Fairchild Motion SPM® 5 Volume Ativo Através do buraco Módulo de 23-PowerDip (0,551 ", 14,00 mm) MOSFET FSB504 download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) ALCANCE AFETADO Ear99 8542.39.0001 1 3 fase 1.5 a 500 v 1500VRMS
FDMC0223 Fairchild Semiconductor FDMC0223 0,1700
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semicondutor Fairchild * Volume Ativo - Não Aplicável 3 (168 Horas) Fornecedor indefinido Ear99 8542.39.0001 3.000
FCA20N60 Fairchild Semiconductor FCA20N60 -
RFQ
 ECAD 5993 0,00000000 Semicondutor Fairchild Superfet ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-3P-3, SC-65-3 FCA20 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-3PN download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 N-canal 600 v 20a (TC) 10V 190mohm @ 10a, 10V 5V A 250µA 98 nc @ 10 V ± 30V 3080 pf @ 25 V - 208W (TC)
FCP11N65 Fairchild Semiconductor FCP11N65 1.4900
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor Fairchild * Volume Ativo FCP11 - - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8542.39.0001 1 -
1N4731A-T50A Fairchild Semiconductor 1N4731A-T50A 0,0200
RFQ
 ECAD 42 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco Do-204al, DO-41, axial 1N4731 1 w DO-41 download Não Aplicável 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000 10 µA A 1 V 4.3 v 9 ohms
1N4744A-T50R Fairchild Semiconductor 1N4744A-T50R 0,0500
RFQ
 ECAD 13 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco Do-204al, DO-41, axial 1N4744 1 w DO-41 download Não Aplicável 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 1 5 µA A 11,4 V 15 v 14 ohms
FGI3236-F085 Fairchild Semiconductor FGI3236-F085 2.0500
RFQ
 ECAD 971 0,00000000 Semicondutor Fairchild Automotive, AEC-Q101, ECOSPARK® Volume Ativo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA Lógica 187 w I2pak (to-262) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 300V, 1KOHM, 5V - 360 v 44 a 1.4V @ 4V, 6a - 20 NC -/5,4µs
MBR2535CT Fairchild Semiconductor MBR2535CT 1.0000
RFQ
 ECAD 7967 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo Através do buraco To-220-3 MBR2535 Schottky To-220-3 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 35 v 25a 820 mV @ 25 A 200 µA A 35 V -65 ° C ~ 150 ° C.
BC857S Fairchild Semiconductor BC857S -
RFQ
 ECAD 2842 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BC857 300mw SC-88 (SC-70-6) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 3.000 45V 200Ma 15na (ICBO) 2 PNP (DUPLO) 650mv @ 5Ma, 100mA 125 @ 2MA, 5V 200MHz
MMBT4126 Fairchild Semiconductor MMBT4126 -
RFQ
 ECAD 9358 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT4126 350 MW SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 3.000 25 v 200 MA 50na (ICBO) Pnp 400mV @ 5MA, 50MA 120 @ 2MA, 1V 250MHz
73389 Fairchild Semiconductor 73389 1.3700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild * Volume Ativo - - Não Aplicável 3 (168 Horas) 0000.00.0000 220
HGT1S12N60A4DS Fairchild Semiconductor HGT1S12N60A4DS 3.7100
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab Padrão 167 w TO-263AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 0000.00.0000 1 390V, 12A, 10OHM, 15V 30 ns - 600 v 54 a 96 a 2.7V @ 15V, 12a 55µJ (ON), 50µJ (Off) 120 NC 17ns/96ns
HUF75842S3 Fairchild Semiconductor HUF75842S3 1.5000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild * Volume Ativo HUF75842 - - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8542.39.0001 1 -
MMBZ5235B Fairchild Semiconductor MMBZ5235B 0,0200
RFQ
 ECAD 205 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo ± 5% - Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ52 300 MW SOT-23 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 3 µA a 5 V 6,8 v 5 ohms
FGH40T65SHD-F155 Fairchild Semiconductor FGH40T65SHD-F155 1.0000
RFQ
 ECAD 5048 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 FGH40 Padrão 268 w TO-247 LIMPOS LONGOS download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 400V, 40A, 6OHM, 15V 31.8 ns Parada de Campo da Trinceira 650 v 80 a 120 a 2.1V @ 15V, 40A 1,01MJ (ON), 297µJ (Desligado) 72.2 NC 19.2ns/65.6ns
FJAF4210YTU Fairchild Semiconductor FJAF4210ytu 1.2300
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo para 3p-3 FJAF4210 80 w TO-3PF download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 140 v 10 a 10µA (ICBO) Pnp 500mv @ 500Ma, 5a 90 @ 3A, 4V 30MHz
HUF76629DS3 Fairchild Semiconductor HUF76629DS3 1.0000
RFQ
 ECAD 5109 0,00000000 Semicondutor Fairchild * Volume Ativo HUF76629 - - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido 1 -
BC81816MTF Fairchild Semiconductor BC81816MTF 1.0000
RFQ
 ECAD 6249 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 310 MW SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 3.000 25 v 800 mA 100na Npn 700mv @ 50Ma, 500mA 100 @ 100mA, 1V 100MHz
PN3685 Fairchild Semiconductor PN3685 0,2400
RFQ
 ECAD 23 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo - Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) PN368 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-92-3 download Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal - - - - -
1N5254B Fairchild Semiconductor 1N5254B 3.7600
RFQ
 ECAD 140 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0050 80 1,2 V @ 200 mA 100 Na @ 21 V 27 v 41 ohms
FJA4313RTU Fairchild Semiconductor FJA4313RTU 1.0000
RFQ
 ECAD 2549 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-3P-3, SC-65-3 130 w TO-3PN download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 1 250 v 17 a 5µA (ICBO) Npn 3V @ 800Ma, 8a 55 @ 1A, 5V 30MHz
FGB3236-F085 Fairchild Semiconductor FGB3236-F085 1.4900
RFQ
 ECAD 22 0,00000000 Semicondutor Fairchild Automotive, AEC-Q101, ECOSPARK® Volume Ativo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab Lógica 187 w D2PAK (TO-263) download Não Aplicável 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 219 300V, 1KOHM, 5V - 360 v 44 a 1.4V @ 4V, 6a - 20 NC -/5,4µs
FAN5009AMX Fairchild Semiconductor FAN5009AMX 0,3000
RFQ
 ECAD 15 0,00000000 Semicondutor Fairchild * Volume Ativo FAN5009 - - Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8542.39.0001 2.500 -
1N5257B-FS Fairchild Semiconductor 1N5257B-FS 2.0200
RFQ
 ECAD 185 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 500 MW DO-35 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 162 1,2 V @ 200 mA 100 Na @ 25 V 33 v 58 ohms
FSBB20CH60SL Fairchild Semiconductor FSBB20CH60SL 17.8000
RFQ
 ECAD 600 0,00000000 Semicondutor Fairchild Motion SPM® Volume Ativo Através do buraco Módulo de 27-PowerDip (1.205 ", 30,60mm) IGBT FSBB20 - Não Aplicável 3 (168 Horas) Fornecedor indefinido Ear99 8542.39.0001 1 3 fase 20 a 600 v 2500VRMS
FSB70450F Fairchild Semiconductor FSB70450F 5.4300
RFQ
 ECAD 796 0,00000000 Semicondutor Fairchild Motion SPM® 7 Volume Ativo Montagem na Superfície Módulo 27-Powerlqfn MOSFET FSB704 - Não Aplicável 3 (168 Horas) Fornecedor indefinido Ear99 8542.39.0001 1.000 Inversor de três fases 4.8 a 500 v 1500VRMS
MMBZ5226B Fairchild Semiconductor MMBZ5226B 0,0200
RFQ
 ECAD 28 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 225 MW SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 15.000 900 mV a 10 mA 25 µA @ 1 V 3,3 v 28 ohms
BCW61BMTF Fairchild Semiconductor BCW61BMTF 0,0200
RFQ
 ECAD 21 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo - Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCW61 350 MW SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 0000.00.0000 3.000 32 v 100 ma 20na Pnp 550mv a 1,25mA, 50mA 140 @ 2MA, 5V -
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    30.000.000

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