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Produtos semicondutores discretos (5251)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Tipo de Entrada Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance ECCN Htsus PACOTE PADROO TIPO DE FET Condição de teste Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se ATUAL - Vazamento Reverso @ VR TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão
FDP2670 Fairchild Semiconductor FDP2670 1.5900
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Tubo Obsoleto -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 400 N-canal 200 v 19a (TA) 10V 130mohm @ 10a, 10V 4.5V a 250µA 38 nc @ 10 V ± 20V 1320 pf @ 100 V - 93W (TC)
FDMB506P Fairchild Semiconductor FDMB506P 0,6600
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-POWERWDFN MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-mlp, microfet (3x1.9) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 3.000 Canal P. 20 v 6.8a (ta) 1.8V, 4.5V 30mohm @ 6.8a, 4.5V 1,5V a 250µA 30 NC a 4,5 V ± 8V 2960 pf @ 10 V - 1.9W (TA)
FDZ493P Fairchild Semiconductor FDZ493p 0,2900
RFQ
 ECAD 47 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 9-WFBGA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 9-BGA (1.55x1,55) download Não Aplicável Ear99 8541.29.0095 3.000 Canal P. 20 v 4.6a (ta) 2.5V, 4.5V 46mohm @ 4.6a, 4.5V 1,5V a 250µA 11 NC a 4,5 V ± 12V 754 pf @ 10 V - 1.7W (TA)
FLZ39VB Fairchild Semiconductor FLZ39VB 0,0200
RFQ
 ECAD 37 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto ± 3% -65 ° C ~ 175 ° C. Montagem na Superfície DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 500 MW SOD-80 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0050 2.500 1,2 V @ 200 mA 133 Na @ 30 V 36,3 v 72 ohms
BSR13 Fairchild Semiconductor BSR13 1.0000
RFQ
 ECAD 5723 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3 - ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 3.000 30 v 500 MA 30na (ICBO) Npn 1.6V @ 50Ma, 500mA 100 @ 150mA, 10V 250MHz
FQB15P12TM Fairchild Semiconductor FQB15P12TM -
RFQ
 ECAD 4778 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 800 Canal P. 120 v 15a (TC) 10V 200mohm @ 7.5a, 10V 4V A 250µA 38 nc @ 10 V ± 30V 1100 pf @ 25 V - 3.75W (TA), 100W (TC)
HGT1S14N36G3VLT Fairchild Semiconductor HGT1S14N36G3VLT 1.5400
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA Lógica 100 w I2pak (to-262) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 800 300V, 7A, 25OHM, 5V - 390 v 18 a 2.2V @ 5V, 14A - 24 NC -/7µs
FQAF11N90 Fairchild Semiconductor FQAF11N90 -
RFQ
 ECAD 5826 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo para 3p-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-3PF download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 360 N-canal 900 v 7.2a (TC) 10V 960mohm @ 3.6a, 10V 5V A 250µA 94 NC @ 10 V ± 30V 3500 pf @ 25 V - 120W (TC)
FQP5N80 Fairchild Semiconductor FQP5N80 1.0000
RFQ
 ECAD 9416 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 800 v 4.8a (TC) 10V 2.6ohm @ 2.4a, 10V 5V A 250µA 33 nc @ 10 V ± 30V 1250 pf @ 25 V - 140W (TC)
FQPF12P10 Fairchild Semiconductor FQPF12P10 0,5700
RFQ
 ECAD 114 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 50 Canal P. 100 v 8.2a (TC) 10V 290mohm @ 4.1a, 10V 4V A 250µA 27 NC @ 10 V ± 30V 800 pf @ 25 V - 38W (TC)
IRLR130ATM Fairchild Semiconductor IRLR130ATM 0,8100
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 v 13a (TC) 5V 120mohm @ 6.5a, 5V 2V A 250µA 24 nc @ 5 V ± 20V 755 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 46W (TC)
FQU8N25TU Fairchild Semiconductor Fqu8n25tu 0,6400
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I-Pak download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 70 N-canal 250 v 6.2a (TC) 10V 550mohm @ 3.1a, 10V 5V A 250µA 15 nc @ 10 V ± 30V 530 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 50W (TC)
HUF75343G3 Fairchild Semiconductor HUF75343G3 0,8000
RFQ
 ECAD 546 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-247 download Rohs Não Compatível Ear99 8541.29.0095 150 N-canal 55 v 75a (TC) 10V 9mohm @ 75a, 10V 4V A 250µA 205 NC @ 20 V ± 20V 3000 pf @ 25 V - 270W (TC)
BC637 Fairchild Semiconductor BC637 0,0500
RFQ
 ECAD 36 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 625 MW TO-92 (TO-226) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 2.000 60 v 1 a 100na (ICBO) Npn 500mv @ 50Ma, 500mA 40 @ 150mA, 2V 200MHz
BC33825BU Fairchild Semiconductor BC33825BU 0,0200
RFQ
 ECAD 9649 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 625 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 4.380 25 v 800 mA 100na Npn 700mv @ 50Ma, 500mA 160 @ 100MA, 1V 100MHz
BD441STU Fairchild Semiconductor BD441STU -
RFQ
 ECAD 9609 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-225AA, TO-126-3 36 w TO-126-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 60 80 v 4 a 100µA Npn 800mv @ 200Ma, 2a 40 @ 500mA, 1V 3MHz
BC307CBU Fairchild Semiconductor BC307CBU 0,0200
RFQ
 ECAD 1289 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 500 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 629 45 v 100 ma 15Na Pnp 500mv @ 5Ma, 100mA 380 @ 2MA, 5V 130MHz
BC548C Fairchild Semiconductor BC548C 0,0400
RFQ
 ECAD 18 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 625 MW TO-92 (TO-226) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 5.000 30 v 100 ma 15Na Npn 250mv @ 500µA, 10MA 420 @ 2MA, 5V 300MHz
BC548ATA Fairchild Semiconductor BC548ATA 0,0200
RFQ
 ECAD 4991 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 500 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 2.432 30 v 100 ma 15na (ICBO) Npn 600mV @ 5Ma, 100mA 110 @ 2MA, 5V 300MHz
BC849CMTF Fairchild Semiconductor BC849CMTF 0,0200
RFQ
 ECAD 130 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 310 MW SOT-23-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 3.000 30 v 100 ma 15na (ICBO) Npn 600mV @ 5Ma, 100mA 420 @ 2MA, 5V 300MHz
BC557B Fairchild Semiconductor BC557B 0,0500
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 625 MW TO-92 (TO-226) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 5.770 45 v 100 ma 100na Pnp 650mv @ 5Ma, 100mA 180 @ 2MA, 5V 320MHz
BC307BTA Fairchild Semiconductor BC307BTA -
RFQ
 ECAD 7521 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 500 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 2.000 45 v 100 ma 15Na Pnp 500mv @ 5Ma, 100mA 180 @ 2MA, 5V 130MHz
HUFA76407P3 Fairchild Semiconductor HUFA76407P3 0,3300
RFQ
 ECAD 28 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 400 N-canal 60 v 13a (TC) 4.5V, 10V 92mohm @ 13a, 10V 3V A 250µA 11,3 nc @ 10 V ± 16V 350 pf @ 25 V - 38W (TC)
IRFU330BTU Fairchild Semiconductor IRFU330BTU 0,2700
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 Leads de Stub, Ipak MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-251 (IPAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 400 v 4.5a (TC) 10V 1OHM @ 2.25A, 10V 4V A 250µA 33 nc @ 10 V ± 30V 1000 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 48W (TC)
IRFS630A Fairchild Semiconductor IRFS630A 0,4400
RFQ
 ECAD 55 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 200 v 6.5a (TC) 10V 400mohm @ 3.25a, 10V 4V A 250µA 29 NC @ 10 V ± 30V 650 pf @ 25 V - 38W (TC)
1N5231B_NL Fairchild Semiconductor 1N5231B_NL 0,0200
RFQ
 ECAD 135 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 1 1,2 V @ 200 mA 5 µA @ 2 V 5.1 v 17 ohms
1N970BNL Fairchild Semiconductor 1n970bnl 0,0600
RFQ
 ECAD 4802 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) download Não Aplicável 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.830 5 µA a 18,2 V 24 v 33 ohms
1N6024B Fairchild Semiconductor 1N6024B -
RFQ
 ECAD 5035 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) - Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 mA 100 Na @ 76 V 100 v 500 ohms
IRFS250B Fairchild Semiconductor IRFS250B -
RFQ
 ECAD 9472 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo para 3p-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-3PF download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 200 v 21.3a (TC) 10V 85mohm @ 10.65a, 10V 4V A 250µA 123 nc @ 10 V ± 30V 3400 pf @ 25 V - 90W (TC)
SFR9224TF Fairchild Semiconductor SFR9224TF 0,2800
RFQ
 ECAD 167 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252-3 (DPAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 2.000 Canal P. 250 v 2.5a (TC) 10V 2.4OHM @ 1.3a, 10V 4V A 250µA 20 NC A 10 V ± 30V 540 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 30W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

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    30.000.000

    Unidade de produto padrão

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