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Produtos semicondutores discretos (5251)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs ECCN Htsus PACOTE PADROO TIPO DE FET Condição de teste Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Corrente - Retificada Média (IO) TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Tipo de diodo Tensão - Pico Reverso (Max) Tensão - Quebra (V (BR) GSS) Corrente - DRENO (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Tensão - Corte (VGS desligado) @ id Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão
FQB32N12V2TM Fairchild Semiconductor FQB32N12V2TM 1.1400
RFQ
 ECAD 51 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 120 v 32a (TC) 10V 50mohm @ 16a, 10V 4V A 250µA 53 nc @ 10 V ± 30V 1860 pf @ 25 V - 3.75W (TA), 150W (TC)
1N5988B Fairchild Semiconductor 1N5988B 2.7500
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0050 110 1,2 V @ 200 mA 25 µA @ 1 V 3,3 v 95 ohms
KBP04M Fairchild Semiconductor KBP04M 1.0000
RFQ
 ECAD 7069 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 165 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, KBPM Padrão KBPM download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0080 30 1 V @ 1 A 5 µA A 400 V 1.5 a Fase Única 400 v
FQB65N06TM Fairchild Semiconductor FQB65N06TM 0,8800
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 60 v 65a (TC) 10V 16mohm @ 32.5a, 10V 4V A 250µA 65 nc @ 10 V ± 25V 2410 pf @ 25 V - 3.75W (TA), 150W (TC)
FQB6N70TM Fairchild Semiconductor FQB6N70TM 2.2500
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 700 v 6.2a (TC) 10V 1.5OHM @ 3.1a, 10V 5V A 250µA 40 nc @ 10 V ± 30V 1400 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 142W (TC)
FDW258P Fairchild Semiconductor FDW258p 1.3600
RFQ
 ECAD 92 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-TSSOP download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 2.500 Canal P. 12 v 9a (ta) 1.8V, 4.5V 11mohm @ 9a, 4.5V 1,5V a 250µA 73 NC @ 4,5 V ± 8V 5049 pf @ 5 V - 1.3W (TA)
HUF76407D3 Fairchild Semiconductor HUF76407D3 0,3700
RFQ
 ECAD 22 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I-Pak download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.800 N-canal 60 v 12a (TC) 4.5V, 10V 92mohm @ 13a, 10V 3V A 250µA 11,3 nc @ 10 V ± 16V 350 pf @ 25 V - 38W (TC)
HUFA76407D3S Fairchild Semiconductor HUFA76407D3S 0,2300
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 75 N-canal 60 v 12a (TC) 4.5V, 10V 92mohm @ 13a, 10V 3V A 250µA 11,3 nc @ 10 V ± 16V 350 pf @ 25 V - 38W (TC)
BZX55C30 Fairchild Semiconductor BZX55C30 0,0500
RFQ
 ECAD 62 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto ± 7% -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0050 1.000 1,3 V @ 100 Ma 100 Na @ 22 V 30 v 80 ohms
RFD16N05 Fairchild Semiconductor RFD16N05 1.0000
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA RFD16 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I-Pak download Rohs Não Compatível Ear99 8541.29.0095 75 N-canal 50 v 16a (TC) 10V 47mohm @ 16a, 10v 4V A 250µA 80 nc @ 20 V ± 20V 900 pf @ 25 V - 72W (TC)
FQB45N15V2TM Fairchild Semiconductor FQB45N15V2TM -
RFQ
 ECAD 6616 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 166 N-canal 150 v 45a (TC) 10V 40mohm @ 22.5a, 10V 4V A 250µA 94 NC @ 10 V ± 30V 3030 pf @ 25 V - -
FQB3P20TM Fairchild Semiconductor FQB3P20TM 0,4100
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 800 Canal P. 200 v 2.8a (TC) 10V 2.7ohm @ 1.4a, 10V 5V A 250µA 8 nc @ 10 V ± 30V 250 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 52W (TC)
3N246 Fairchild Semiconductor 3N246 0,2200
RFQ
 ECAD 8906 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 165 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, KBPM Padrão KBPM download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0080 112 1 V @ 1 A 5 µA a 50 V 1.5 a Fase Única 50 v
1N5992B Fairchild Semiconductor 1N5992B 1.8400
RFQ
 ECAD 29 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0050 163 1,2 V @ 200 mA 3 µA A 1,5 V 4,7 v 70 ohms
HUF76619D3S Fairchild Semiconductor HUF76619D3S 0,3200
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 75 N-canal 100 v 18a (TC) 4.5V, 10V 85mohm @ 18a, 10V 3V A 250µA 29 NC @ 10 V ± 16V 767 pf @ 25 V - 75W (TC)
HUF76437S3S Fairchild Semiconductor HUF76437S3S 0,5300
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 60 v 71a (TC) 4.5V, 10V 14mohm @ 71a, 10V 3V A 250µA 71 nc @ 10 V ± 16V 2230 pf @ 25 V - 155W (TC)
FQB2P40TM Fairchild Semiconductor FQB2P40TM 0,4100
RFQ
 ECAD 4027 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 29 Canal P. 400 v 2a (TC) 10V 6.5OHM @ 1A, 10V 5V A 250µA 13 NC @ 10 V ± 30V 350 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 63W (TC)
FLZ4V3B Fairchild Semiconductor Flz4v3b 0,0200
RFQ
 ECAD 48 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto ± 3% -65 ° C ~ 175 ° C. Montagem na Superfície DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 500 MW SOD-80 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0050 2.500 1,2 V @ 200 mA 470 Na @ 1 V 4.3 v 32 ohms
HUFA75332S3S Fairchild Semiconductor HUFA75332S3S 1.0000
RFQ
 ECAD 8831 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 55 v 60a (TC) 10V 19mohm @ 60a, 10V 4V A 250µA 85 nc @ 20 V ± 20V 1300 pf @ 25 V - 145W (TC)
ISL9V2040P3 Fairchild Semiconductor ISL9V2040P3 1.0000
RFQ
 ECAD 8532 0,00000000 Semicondutor Fairchild EcoSmark® Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 Lógica 130 w To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 400 300V, 1KOHM, 5V - 430 v 10 a 1.9V @ 4V, 6a - 12 NC -/3,64µs
KSA643CYTA Fairchild Semiconductor KSA643Cyta 0,0400
RFQ
 ECAD 6054 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 500 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 1.850 20 v 500 MA 200na (ICBO) Pnp 400mv @ 50Ma, 500mA 120 @ 100mA, 1V -
FLZ33VD Fairchild Semiconductor Flz33vd 0,0200
RFQ
 ECAD 32 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto ± 3% -65 ° C ~ 175 ° C. Montagem na Superfície DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 500 MW SOD-80 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0050 2.500 1,2 V @ 200 mA 133 Na @ 25 V 32,3 v 55 ohms
KSA733CYBU Fairchild Semiconductor KSA733CYBU -
RFQ
 ECAD 3933 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 250 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 1.000 50 v 150 MA 100na (ICBO) Pnp 300mv @ 10ma, 100mA 120 @ 1MA, 6V 180MHz
FQB9N50TM Fairchild Semiconductor FQB9N50TM 0,9000
RFQ
 ECAD 485 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 500 v 9a (TC) 10V 730mohm @ 4.5a, 10V 5V A 250µA 36 nc @ 10 V ± 30V 1450 PF @ 25 V - 3.13W (TA), 147W (TC)
KSP24TA Fairchild Semiconductor Ksp24ta 0,0200
RFQ
 ECAD 9807 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 135 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 350 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 1.407 30 v 100 ma 50na (ICBO) Npn - 30 @ 8MA, 10V 620MHz
1N749ATR Fairchild Semiconductor 1n749atr 0,0200
RFQ
 ECAD 67 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0050 5.000 1,5 V @ 200 mA 2 µA @ 1 V 4.3 v 22 ohms
J270 Fairchild Semiconductor J270 0,2300
RFQ
 ECAD 32 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 350 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 2.000 Canal P. - 30 v 2 mA a 15 V 500 mV @ 1 NA
HUF75229P3 Fairchild Semiconductor HUF75229P3 0,7900
RFQ
 ECAD 161 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 400 N-canal 50 v 44a (TC) 10V 22mohm @ 44a, 10V 4V A 250µA 75 NC @ 20 V ± 20V 1060 pf @ 25 V - 90W (TC)
KST4126MTF Fairchild Semiconductor KST4126MTF 0,0200
RFQ
 ECAD 89 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto - Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 3.000 25 v 200 MA 50na (ICBO) Pnp 400mV @ 5MA, 50MA 120 @ 2MA, 1V 250MHz
FQPF1P50 Fairchild Semiconductor FQPF1P50 1.0000
RFQ
 ECAD 5867 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F-3 - ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.000 Canal P. 500 v 1.03a (TC) 10V 10.5Ohm @ 515mA, 10V 5V A 250µA 14 nc @ 10 V ± 30V 350 pf @ 25 V - 28W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

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