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Produtos semicondutores discretos (5251)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Entrada Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Ganho Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Corrente - Retificada Média (IO) TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Vce (on) (max) @ vge, ic Tipo de diodo Tensão - Pico Reverso (Max) Corrente - Corte de Colecionador (Max) Termistor NTC Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Figura de Ruído (dB typ @ f)
BZX55C6V8 Fairchild Semiconductor BZX55C6V8 0,0600
RFQ
 ECAD 209 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto ± 6% -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0050 1.000 1,3 V @ 100 Ma 100 Na @ 3 V 6,8 v 8 ohms
DBG150G Fairchild Semiconductor DBG150G 3.9000
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, dbf Padrão - download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0080 250 900 mV @ 7,5 A 10 µA A 600 V 3.6 a Fase Única 600 v
FDW2501N Fairchild Semiconductor FDW2501N 0,9800
RFQ
 ECAD 343 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) FDW25 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 600mW 8-TSSOP download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 2.500 2 canal n (Duplo) 20V 6a 18mohm @ 6a, 4.5V 1,5V a 250µA 17NC @ 4.5V 1290pf @ 10V Portão de Nível Lógico
2N5308 Fairchild Semiconductor 2N5308 -
RFQ
 ECAD 6197 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 625 MW TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 22 40 v 1.2 a 100na (ICBO) NPN - Darlington 1.4V @ 200µA, 200Ma 7000 @ 2MA, 5V -
BZX55C39 Fairchild Semiconductor BZX55C39 0,0300
RFQ
 ECAD 8361 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0050 9.000 1,3 V @ 100 Ma 100 Na @ 28 V 39 v 90 ohms
1N748A Fairchild Semiconductor 1n748a 1.9300
RFQ
 ECAD 112 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0050 156 1,5 V @ 200 mA 10 µA A 1 V 3,9 v 23 ohms
FDMB668P Fairchild Semiconductor FDMB668P 0,2700
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-POWERWDFN MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-mlp, microfet (3x1.9) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 3.000 Canal P. 20 v 6.1a (ta) 1.8V, 4.5V 35mohm @ 6.1a, 4.5V 1V a 250µA 59 NC @ 10 V ± 8V 2085 pf @ 10 V - 1.9W (TA)
FQAF9N50 Fairchild Semiconductor FQAF9N50 1.0100
RFQ
 ECAD 673 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo para 3p-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-3PF download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 360 N-canal 500 v 7.2a (TC) 10V 730mohm @ 3.6a, 10V 5V A 250µA 36 nc @ 10 V ± 30V 1450 PF @ 25 V - 90W (TC)
FDB42AN15A0 Fairchild Semiconductor FDB42AN15A0 1.0000
RFQ
 ECAD 1899 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 150 v 5a (ta), 35a (tc) 6V, 10V 42mohm @ 12a, 10V 4V A 250µA 39 NC @ 10 V ± 20V 2150 pf @ 25 V - 150W (TC)
3N255 Fairchild Semiconductor 3N255 0,2500
RFQ
 ECAD 5782 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, KBPM Padrão KBPM download ROHS3 Compatível 2156-3N255-FS Ear99 8541.10.0080 30 1,1 V @ 3,14 A 5 µA A 200 V 2 a Fase Única 200 v
FQB65N06TM Fairchild Semiconductor FQB65N06TM 0,8800
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 60 v 65a (TC) 10V 16mohm @ 32.5a, 10V 4V A 250µA 65 nc @ 10 V ± 25V 2410 pf @ 25 V - 3.75W (TA), 150W (TC)
FQP7N80 Fairchild Semiconductor FQP7N80 1.9400
RFQ
 ECAD 16 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 800 v 6.6a (TC) 10V 1.5OHM @ 3.3a, 10V 5V A 250µA 52 NC @ 10 V ± 30V 1850 pf @ 25 V - 167W (TC)
FQB32N12V2TM Fairchild Semiconductor FQB32N12V2TM 1.1400
RFQ
 ECAD 51 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 120 v 32a (TC) 10V 50mohm @ 16a, 10V 4V A 250µA 53 nc @ 10 V ± 30V 1860 pf @ 25 V - 3.75W (TA), 150W (TC)
1N5988B Fairchild Semiconductor 1N5988B 2.7500
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0050 110 1,2 V @ 200 mA 25 µA @ 1 V 3,3 v 95 ohms
FQB6N70TM Fairchild Semiconductor FQB6N70TM 2.2500
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 700 v 6.2a (TC) 10V 1.5OHM @ 3.1a, 10V 5V A 250µA 40 nc @ 10 V ± 30V 1400 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 142W (TC)
FDW258P Fairchild Semiconductor FDW258p 1.3600
RFQ
 ECAD 92 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-TSSOP download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 2.500 Canal P. 12 v 9a (ta) 1.8V, 4.5V 11mohm @ 9a, 4.5V 1,5V a 250µA 73 NC @ 4,5 V ± 8V 5049 pf @ 5 V - 1.3W (TA)
HUF76407D3 Fairchild Semiconductor HUF76407D3 0,3700
RFQ
 ECAD 22 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I-Pak download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 1.800 N-canal 60 v 12a (TC) 4.5V, 10V 92mohm @ 13a, 10V 3V A 250µA 11,3 nc @ 10 V ± 16V 350 pf @ 25 V - 38W (TC)
HUFA76407D3S Fairchild Semiconductor HUFA76407D3S 0,2300
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 75 N-canal 60 v 12a (TC) 4.5V, 10V 92mohm @ 13a, 10V 3V A 250µA 11,3 nc @ 10 V ± 16V 350 pf @ 25 V - 38W (TC)
FQB45N15V2TM Fairchild Semiconductor FQB45N15V2TM -
RFQ
 ECAD 6616 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 166 N-canal 150 v 45a (TC) 10V 40mohm @ 22.5a, 10V 4V A 250µA 94 NC @ 10 V ± 30V 3030 pf @ 25 V - -
FQB3P20TM Fairchild Semiconductor FQB3P20TM 0,4100
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor Fairchild QFET® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 800 Canal P. 200 v 2.8a (TC) 10V 2.7ohm @ 1.4a, 10V 5V A 250µA 8 nc @ 10 V ± 30V 250 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 52W (TC)
3N246 Fairchild Semiconductor 3N246 0,2200
RFQ
 ECAD 8906 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 165 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, KBPM Padrão KBPM download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0080 112 1 V @ 1 A 5 µA a 50 V 1.5 a Fase Única 50 v
1N5992B Fairchild Semiconductor 1N5992B 1.8400
RFQ
 ECAD 29 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0050 163 1,2 V @ 200 mA 3 µA A 1,5 V 4,7 v 70 ohms
KSC1507YTSTU Fairchild Semiconductor KSC1507YTSTU -
RFQ
 ECAD 3507 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 15 w To-220-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0075 50 300 v 200 µA 100µA (ICBO) Npn 2V @ 5MA, 50MA 120 @ 10MA, 10V 80MHz
KSC1393YBU Fairchild Semiconductor KSC1393YBU 0,0200
RFQ
 ECAD 879 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) 250mw TO-92-3 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0075 1.000 20dB ~ 24dB 30V 20mA Npn 90 @ 2MA, 10V 700MHz 2db ~ 3db @ 200MHz
FDS6688AS Fairchild Semiconductor FDS6688As 0,6700
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOIC download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 v 14.5a (TA) 4.5V, 10V 6mohm @ 14.5a, 10V 3V A 250µA 63 nc @ 10 V ± 20V 2510 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
HUFA75307D3ST Fairchild Semiconductor HUFA75307D3ST 0,2400
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semicondutor Fairchild Ultrafet ™ Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 55 v 15a (TC) 10V 90mohm @ 15a, 10V 4V A 250µA 20 NC @ 20 V ± 20V 250 pf @ 25 V - 45W (TC)
FDFS2P103A Fairchild Semiconductor FDFS2P103A 0,4300
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOIC download ROHS3 Compatível Ear99 8541.21.0095 2.500 Canal P. 30 v 5.3a (ta) 4.5V, 10V 59mohm @ 5.3a, 10V 3V A 250µA 8 nc @ 5 V ± 25V 535 pf @ 15 V Diodo Schottky (Isolado) 900MW (TA)
FLZ22VC Fairchild Semiconductor Flz22vc 0,0200
RFQ
 ECAD 47 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Obsoleto ± 3% -65 ° C ~ 175 ° C. Montagem na Superfície DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 500 MW SOD-80 download ROHS3 Compatível Ear99 8541.10.0050 2.500 1,2 V @ 200 mA 133 Na @ 17 V 21,7 v 25,6 ohms
FMG2G400US60 Fairchild Semiconductor FMG2G400US60 124.8000
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutor Fairchild - CAIXA Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem do chassi 19: 00-ia 1136 w Padrão 19: 00-ia download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 10 Meia Ponte - 600 v 400 a 2.7V @ 15V, 400A 250 µA Não
FDS6064N7 Fairchild Semiconductor FDS6064N7 0,8100
RFQ
 ECAD 6598 0,00000000 Semicondutor Fairchild PowerTrench® Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-so download ROHS3 Compatível Ear99 8541.29.0095 310 N-canal 20 v 23a (TA) 1.8V, 4.5V 3.5mohm @ 23a, 4.5V 1,5V a 250µA 98 NC @ 4,5 V ± 8V 7191 pf @ 10 V - 3W (TA)
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