SIC
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Imagem Número do produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade disponível Peso (Kg) Fabricante Série Pacote Estado do produto Tolerância Temperatura operacional Tipo de montagem Pacote/Caso Número básico do produto Tipo de entrada Tecnologia Potência - Máx. Pacote de dispositivos do fornecedor Ficha de dados Estado RoHS Nível de sensibilidade à umidade (MSL) Estado do REACH Outros nomes ECCN HTSU Pacote Padrão Configuração Tipo FET Atual - Espera (Ih) (Máx.) Condição de teste Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs Vgs(th) (máx.) @ ID Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs Vgs (máx.) Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds Recurso FET Dissipação de energia (máx.) Tipo Triac Tensão - Estado desligado Atual - Estado ligado (It (RMS)) (Máx.) Tensão - Gatilho de Porta (Vgt) (Máx.) Corrente - Não Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) Atual - Gatilho de Portão (Igt) (Máx.) Tensão - Estado Ligado (Vtm) (Máx.) Atual - Estado ligado (It (AV)) (Máx.) Atual - Estado desligado (máx.) Tipo de SCR Corrente - Vazamento reverso @ Vr Tipo IGBT Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.) Atual - Coletor (Ic) (Máx.) Corrente - Coletor Pulsado (Icm) Vce(ligado) (Máx.) @ Vge, Ic Trocando Energia Td (ligado/desligado) @ 25°C Atual - Corte do Coletor (Máx.) Tensão - Zener (Nom) (Vz) Impedância (Máx.) (Zzt) Tipo de transistor Saturação Vce (Máx.) @ Ib, Ic Ganho de corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequência - Transição Resistor - Base (R1) Resistor - Emissor Base (R2)
RJH1BF7RDPQ-80#T2 Renesas RJH1BF7RDPQ-80#T2 6.2300
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ECAD 6 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto 150°C (TJ) Através do furo PARA-247-3 padrão 250W PARA-247 - RoHS não compatível REACH não afetado 2156-RJH1BF7RDPQ-80#T2 EAR99 8541.29.0095 1 - - 1100V 60A 100A 2,35V a 15V, 60A - -
RD16P(2)-T1-AZ Renesas RD16P(2)-T1-AZ 0,3800
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ECAD 15 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto ±5,63% 150°C (TJ) Montagem em superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 1W - RoHS não compatível REACH não afetado 2156-RD16P(2)-T1-AZ EAR99 8541.10.0050 785 10 µA a 12 V 16V 40 Ohms
2SK3483-AZ Renesas 2SK3483-AZ 1.4600
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ECAD 3 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto 150ºC Através do furo TO-251-3 Cabos Curtos, IPak, TO-251AA MOSFET (óxido metálico) MP-3 download RoHS não compatível REACH não afetado 2156-2SK3483-AZ EAR99 8541.29.0095 1 Canal N 100V 28A (Ta) 4,5V, 10V 52mOhm @ 14A, 10V 2,5V a 1mA 49 nC @ 10 V ±20V 2300 pF a 10 V - 1W (Ta), 40W (Tc)
BCR8AS-14LJ#B01 Renesas BCR8AS-14LJ#B01 -
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ECAD 7350 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto -40°C ~ 125°C (TJ) Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 MP-3A - 2156-BCR8AS-14LJ#B01 1 Solteiro padrão 700 V 8A 1,5 V 80A a 50Hz 30 mA
2SK3899(0)-ZK-E1-AY Renesas 2SK3899(0)-ZK-E1-AY -
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ECAD 6127 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto 150ºC Montagem em superfície TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB MOSFET (óxido metálico) PARA-263-3 - 2156-2SK3899(0)-ZK-E1-AY 1 Canal N 60 V 84A (Tc) 4,5V, 10V 5,3mOhm a 42A, 10V 2,5V a 1mA 96 nC @ 10 V ±20V 5500 pF a 10 V - 1,5 W (Ta), 146 W (Tc)
HR1A3M(0)-T1-AZ Renesas HR1A3M(0)-T1-AZ -
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ECAD 6926 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto Montagem em superfície TO-243AA 2W SC-62 - 2156-HR1A3M(0)-T1-AZ 1 60 V 1A 100nA (ICBO) PNP - Pré-tendencioso 350mV a 10mA, 500mA 100 @ 500mA, 2V 1 kOhms 1 kOhms
2SK3431-AZ Renesas 2SK3431-AZ 2.8600
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ECAD 554 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto 150ºC Através do furo PARA-220-3 MOSFET (óxido metálico) PARA-220AB - RoHS não compatível REACH não afetado 2156-2SK3431-AZ EAR99 8541.29.0095 105 Canal N 40 V 83A (Tc) 4V, 10V 5,6mOhm a 42A, 10V 2,5V a 1mA 110 nC @ 10 V ±20V 6100 pF a 10 V - 1,5 W (Ta), 100 W (Tc)
RJK5035DPP-E0#T2 Renesas RJK5035DPP-E0#T2 -
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ECAD 5014 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto 150ºC Através do furo Pacote completo TO-220-3 MOSFET (óxido metálico) TO-220FP - 2156-RJK5035DPP-E0#T2 1 Canal N 500 V 10A (Ta) 10V 850mOhm @ 5A, 10V 5V @ 1mA 23 nC @ 10 V ±30V 765 pF a 25 V - 29,5W (Ta)
RD56P-T1-AZ Renesas RD56P-T1-AZ 0,3400
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ECAD 2 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto - - Montagem em superfície TO-243AA SOT-89 - RoHS não compatível REACH não afetado 2156-RD56P-T1-AZ EAR99 8541.10.0050 1
RD5.6E-T1-AZ Renesas RD5.6E-T1-AZ -
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ECAD 2508 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto ±5,27% 175°C (TJ) Através do furo DO-204AH, DO-35, Axial 500 mW DO-35 - RoHS não compatível Fornecedor indefinido 2156-RD5.6E-T1-AZ-1833 1 5 µA a 2,5 V 5,6V 13 Ohms
HZM22NB2TR-E Renesas HZM22NB2TR-E 0,1600
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ECAD 84 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto ±2,11% 150°C (TJ) Montagem em superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 mW 3-MPAK - RoHS não compatível REACH não afetado 2156-HZM22NB2TR-E EAR99 8541.10.0050 1 2 µA a 17 V 22,01V 55 Ohms
HAT2195R-EL-E Renesas HAT2195R-EL-E -
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ECAD 1128 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto -55°C ~ 150°C Montagem em superfície 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) MOSFET (óxido metálico) 8-POP - 2156-HAT2195R-EL-E 1 Canal N 30 V 18A 4,5V, 10V 5,8mOhm a 9A, 10V 2,5V a 1mA 23 nC @ 4,5 V ±20V 3400 pF a 10 V - 2,5 W
RD6.8FS(0)-T1-AY Renesas RD6.8FS(0)-T1-AY 0,3000
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ECAD 750 0,00000000 Renesas * Volume Ativo download Fornecedor indefinido REACH não afetado 2156-RD6.8FS(0)-T1-AY-1833 1
BCR8KM-12LA-1AR#X2 Renesas BCR8KM-12LA-1AR#X2 1.1100
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ECAD 4 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto -40°C ~ 125°C (TJ) Através do furo Pacote completo TO-220-3 TO-220FN - RoHS não compatível REACH não afetado 2156-BCR8KM-12LA-1AR#X2 EAR99 8541.30.0080 1 Solteiro padrão 600V 8A 1,5 V 80A a 60Hz 30 mA
RD8.2M(1)-T1B-A Renesas RD8.2M(1)-T1B-A 0,3000
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ECAD 132 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto - RoHS não compatível REACH não afetado 2156-RD8.2M(1)-T1B-A EAR99 8541.10.0050 993
RKZ27TJKG#P1 Renesas RKZ27TJKG#P1 0,1100
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ECAD 105 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto - RoHS não compatível REACH não afetado 2156-RKZ27TJKG#P1 EAR99 8541.10.0050 1
HZM13NB3TL-E Renesas HZM13NB3TL-E 0,1500
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ECAD 33 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto ±2,16% 150°C (TJ) Montagem em superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 mW 3-MPAK download RoHS não compatível REACH não afetado 2156-HZM13NB3TL-E EAR99 8541.10.0050 1 2 µA a 10 V 13,67V 35 Ohms
UPA1902TE-T1-AT Renesas UPA1902TE-T1-AT 0,3000
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ECAD 111 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto 150ºC Montagem em superfície SC-95 MOSFET (óxido metálico) SC-95 download RoHS não compatível Fornecedor indefinido 2156-UPA1902TE-T1-AT EAR99 8541.29.0095 1 Canal N 30 V 7A (Ta) 4,5V, 10V 22mOhm a 3,5A, 10V 2,5V a 1mA 8 nC @ 5 V ±20V 780 pF a 10 V - 200mW (Ta)
NP110N055PUJ-E1B-AY Renesas NP110N055PUJ-E1B-AY 5.9800
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ECAD 1 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto 175°C Montagem em superfície TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB MOSFET (óxido metálico) PARA-263-3 - RoHS não compatível REACH não afetado 2156-NP110N055PUJ-E1B-AY EAR99 8541.21.0095 51 Canal N 55V 110A (Tc) 10V 2,4mOhm a 55A, 10V 4 V a 250 µA 230 nC @ 10 V ±20V 14250 pF a 25 V - 1,8 W (Ta), 288 W (Tc)
HZU2.2BTRF-E Renesas HZU2.2BTRF-E 0,1300
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ECAD 30 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto ±6,67% 150°C (TJ) Montagem em superfície SC-76A 200 mW 2-URP - RoHS não compatível REACH não afetado 2156-HZU2.2BTRF-E EAR99 8541.10.0050 1 120 µA a 700 mV 2,25V 100 Ohms
NP28N10SDE-E1-AY Renesas NP28N10SDE-E1-AY 1.3400
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ECAD 2 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto 175°C Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 MOSFET (óxido metálico) TO-252 (MP-3ZK) download RoHS não compatível REACH não afetado 2156-NP28N10SDE-E1-AY EAR99 8541.29.0095 1 Canal N 100V 28A (Tc) 4,5V, 10V 52mOhm @ 14A, 10V 2,5 V a 250 µA 75 nC @ 10 V ±20V 3300 pF a 25 V - 1,2 W (Ta), 100 W (Tc)
CR5AS-12A#C01 Renesas CR5AS-12A#C01 -
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ECAD 3436 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto -40°C ~ 125°C (TJ) Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 MP-3A - 2156-CR5AS-12A#C01 1 3,5mA 600V 7,8A 800 mV 90A a 60Hz 100 µA 1,8V 5A 1mA Portão Sensível
HZU8.2B2TRF-E-Q Renesas HZU8.2B2TRF-EQ 0,0600
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ECAD 351 0,00000000 Renesas * Volume Ativo download Fornecedor indefinido REACH não afetado 2156-HZU8.2B2TRF-EQ-1833 1
UPA2702TP-E2-AZ Renesas UPA2702TP-E2-AZ 1.7500
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ECAD 5 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto 150ºC Montagem em superfície 8-PowerSOIC (0,173", 4,40 mm de largura) MOSFET (óxido metálico) 8-HSOP - RoHS não compatível REACH não afetado 2156-UPA2702TP-E2-AZ EAR99 8541.21.0095 1 Canal N 30 V 14A (Ta), 35A (Tc) 4V, 10V 9,5mOhm a 7A, 10V 2,5V a 1mA 9 nC @ 5 V ±20V 900 pF a 10 V - 3W (Ta), 22W (Tc)
2SK3357-A Renesas 2SK3357-A 4.0400
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ECAD 294 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto 150ºC Através do furo TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (óxido metálico) TO-3P (MP-88) - RoHS não compatível Fornecedor indefinido 2156-2SK3357-A EAR99 8541.29.0075 1 Canal N 60 V 75A (Ta) 4V, 10V 5,8mOhm a 38A, 10V 2,5V a 1mA 170 nC @ 10 V ±20V 9.800 pF a 10 V - 3W (Ta), 150W (Tc)
UPA2790GR-E1-AT Renesas UPA2790GR-E1-AT 0,9400
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ECAD 10 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto 150ºC Montagem em superfície 8-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura) UPA2790 MOSFET (óxido metálico) 1,7 W (Ta) 8-POP download RoHS não compatível REACH não afetado 2156-UPA2790GR-E1-AT EAR99 8541.29.0095 1 Canal N e P 30V 6A (Ta) 28mOhm a 3A, 10V, 60mOhm a 3A, 10V 2,5V a 1mA 12,6nC a 10V, 11nC a 10V 500pF a 10V, 460pF a 10V -
HZU6.2B2TRF-E-Q Renesas HZU6.2B2TRF-EQ 0,0500
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ECAD 177 0,00000000 Renesas * Volume Ativo download Fornecedor indefinido REACH não afetado 2156-HZU6.2B2TRF-EQ-1833 1
KA4F3R(0)-T1-A Renesas KA4F3R(0)-T1-A -
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ECAD 3352 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto Montagem em superfície SC-75, SOT-416 200 mW SC-75 - 2156-KA4F3R(0)-T1-A 1 50 V 100 mA 100nA (ICBO) NPN - Pré-tendencioso 200mV @ 250µA, 5mA 95 @ 50mA, 5V 2,2 kOhms 47 kOhms
2SK3575-AZ Renesas 2SK3575-AZ 2.3800
Solicitação de cotação
ECAD 824 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto 150ºC Através do furo PARA-220-3 MOSFET (óxido metálico) PARA-220AB - RoHS não compatível REACH não afetado 2156-2SK3575-AZ EAR99 8541.29.0075 1 Canal N 30 V 83A (Tc) 4,5V, 10V 4,5mOhm a 42A, 10V 2,5V a 1mA 70 nC @ 10 V ±20V 3700 pF a 10 V - 1,5 W (Ta), 105 W (Tc)
2SB798(0)-T1-AZ Renesas 2SB798(0)-T1-AZ -
Solicitação de cotação
ECAD 2144 0,00000000 Renesas - Volume Obsoleto -65°C ~ 150°C (TJ) Montagem em superfície TO-243AA SC-62 - 2156-2SB798(0)-T1-AZ 1 100nA (ICBO) PNP 400mV @ 100mA, 1A 90 @ 100mA, 1V 110MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2.000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2.800+

    Fabricantes mundiais

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque