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Produtos semicondutores discretos(447)

Número do produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade disponível	Fabricante	Série	Pacote	Estado do produto	Tolerância	Temperatura operacional	Tipo de montagem	Pacote/Caso	Número básico do produto	Tipo de entrada	Tecnologia	Potência - Máx.	Pacote de dispositivos do fornecedor	Ficha de dados	Estado RoHS	Nível de sensibilidade à umidade (MSL)	Estado do REACH	Outros nomes	ECCN	HTSU	Pacote Padrão	Configuração	Tipo FET	Atual - Espera (Ih) (Máx.)	Condição de teste	Ganho	Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)	Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)	Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs	Vgs(th) (máx.) @ ID	Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs	Vgs (máx.)	Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	Recurso FET	Dissipação de energia (máx.)	Tipo Triac	Tensão - Estado desligado	Atual - Estado ligado (It (RMS)) (Máx.)	Tensão - Gatilho de Porta (Vgt) (Máx.)	Corrente - Não Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)	Atual - Gatilho de Portão (Igt) (Máx.)	Tempo de recuperação reversa (trr)	Corrente - Vazamento reverso @ Vr	Tipo IGBT	Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)	Atual - Coletor (Ic) (Máx.)	Corrente - Coletor Pulsado (Icm)	Vce(ligado) (Máx.) @ Vge, Ic	Trocando Energia	Taxa de portão	Td (ligado/desligado) @ 25°C	Atual - Corte do Coletor (Máx.)	Tensão - Zener (Nom) (Vz)	Impedância (Máx.) (Zzt)	Tipo de transistor	Saturação Vce (Máx.) @ Ib, Ic	Ganho de corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequência - Transição	Resistor - Base (R1)	Resistor - Emissor Base (R2)	Figura de ruído (dB Typ @ f)
RQA0009TXDQS#H1	-	Solicitação de cotação	1446	Renesas	-	Volume	Obsoleto		150ºC	Montagem em superfície	TO-243AA			MOSFET (óxido metálico)		UPAK	-				2156-RQA0009TXDQS#H1			1		Canal N				16V	3,2A (Ta)	-	-	0,8V a 1mA		±5V	76 pF a 0 V	-	15W (Tc)
AC03FGM(CY)-AZ	1.7400	Solicitação de cotação	10	Renesas	-	Volume	Obsoleto		-40°C ~ 125°C (TJ)	Através do furo	Guia longa TO-202					PARA-202	-	RoHS não compatível		REACH não afetado	2156-AC03FGM(CY)-AZ	EAR99	8541.30.0080	1	Solteiro		10 mA													padrão	600V	3A	1,5 V	30A, 33A	12mA
2SK3755-AZ	-	Solicitação de cotação	1934	Renesas	-	Volume	Obsoleto		150ºC	Através do furo	Guia Isolada TO-220-3			MOSFET (óxido metálico)		MP-45F	-	RoHS não compatível		REACH não afetado	2156-2SK3755-AZ	EAR99	8541.29.0095	1		Canal N				40 V	45A (Tc)	4,5V, 10V	12mOhm @ 23A, 10V	2,5V a 1mA	25,5 nC a 10 V	±20V	1200 pF a 10 V	-	2W (Ta), 24W (Tc)
BCR10KM-12LA-1#B00	1.2600	Solicitação de cotação	936	Renesas	-	Volume	Obsoleto		-40°C ~ 125°C (TJ)	Através do furo	Pacote completo TO-220-3					TO-220FN	-	RoHS não compatível		REACH não afetado	2156-BCR10KM-12LA-1#B00	EAR99	8541.30.0080	1	Solteiro															padrão	600V	10A	1,5 V	100A a 60Hz	30 mA
BCR3AS-12A#B00	-	Solicitação de cotação	5569	Renesas	-	Volume	Obsoleto		-40°C ~ 125°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63					MP-3A	-				2156-BCR3AS-12A#B00			1	Solteiro															padrão	600V	3A	1,5 V	30A a 60Hz	15 mA
RQA0005AQS#H1	0,5300	Solicitação de cotação	6	Renesas	-	Volume	Obsoleto										-	RoHS não compatível		REACH não afetado	2156-RQA0005AQS#H1	EAR99	8541.29.0095	1
2SJ603(0)-Z-E1-AZ	-	Solicitação de cotação	9402	Renesas	-	Volume	Obsoleto		150ºC	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB			MOSFET (óxido metálico)		TO-263, TO-220SMD	-				2156-2SJ603(0)-Z-E1-AZ			1		Canal P				60 V	25A (Tc)	10V	48mOhm @ 13A, 10V	2,5V a 1mA	38 nC @ 10 V	±20V	1900 pF a 10 V	-	1,5W (Ta), 50W (Tc)
HZM12NB3TR-E	0,1600	Solicitação de cotação	3	Renesas	-	Volume	Obsoleto	±2,11%	150°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				200 mW	3-MPAK	-	RoHS não compatível		REACH não afetado	2156-HZM12NB3TR-E	EAR99	8541.10.0050	1																							2 µA a 9 V										12,34 V	35 Ohms
RD2.0P-T1-AZ	0,8100	Solicitação de cotação	50	Renesas	-	Volume	Obsoleto										-	RoHS não compatível		REACH não afetado	2156-RD2.0P-T1-AZ	EAR99	8541.10.0080	1
2SK3482-Z-E2-AZ	-	Solicitação de cotação	7930	Renesas	-	Volume	Obsoleto		150ºC	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63			MOSFET (óxido metálico)		TO-252 (MP-3Z)	-				2156-2SK3482-Z-E2-AZ			1		Canal N				100V	36A	4,5V, 10V	33mOhm @ 18A, 10V	2,5V a 1mA	72 nC @ 10 V	±20V	3600 pF a 10 V	-	1W
2SJ604-ZJ-E1-AZ	2.1600	Solicitação de cotação	662	Renesas	-	Volume	Obsoleto		150ºC	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB			MOSFET (óxido metálico)		PARA-263	-	RoHS não compatível		REACH não afetado	2156-2SJ604-ZJ-E1-AZ	EAR99	8541.29.0095	1		Canal P				60 V	45A (Tc)	4V, 10V	30mOhm @ 23A, 10V	2,5V a 1mA	63 nC @ 10 V	±20V	3300 pF a 10 V	-	1,5 W (Ta), 70 W (Tc)
UPA1770G-E1-AT	-	Solicitação de cotação	3730	Renesas	-	Volume	Obsoleto		150ºC	Montagem em superfície	8-PowerSOIC (0,173", 4,40 mm de largura)			MOSFET (óxido metálico)	750 mW (Ta)	8-PowerSOP	-				2156-UPA1770G-E1-AT			1	2 canaisN					20V	6A (Ta)		37mOhm @ 3A, 4,5V	1,5V a 1mA	11nC a 4,5V		1300pF a 10V	padrão
2SJ179-T2-AZ	-	Solicitação de cotação	5513	Renesas	-	Volume	Obsoleto										-				2156-2SJ179-T2-AZ			1
2SK1954-Z-E1-AZ	-	Solicitação de cotação	3177	Renesas	-	Volume	Obsoleto		150ºC	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63			MOSFET (óxido metálico)		MP-3Z	-				2156-2SK1954-Z-E1-AZ			1		Canal N				180V	4A (Ta)	10V	650mOhm @ 2A, 10V	4V @ 1mA	10 nC @ 10 V	±20V	300 pF a 10 V	-	1W (Ta), 20W (Tc)
HZM5.6NB3TR-E	0,1600	Solicitação de cotação	30	Renesas	-	Volume	Obsoleto	±2,16%	150°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				200 mW	3-MPAK	-	RoHS não compatível		REACH não afetado	2156-HZM5.6NB3TR-E	EAR99	8541.10.0050	1																							5 µA a 2,5 V										5,8V	80 Ohms
RJH65D27BDPQ-A0#T2	-	Solicitação de cotação	7829	Renesas	-	Volume	Obsoleto		175°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3		padrão		375 W	TO-247A	-				2156-RJH65D27BDPQ-A0#T2			1				400V, 50A, 10Ohm, 15V																		80 ns		Trincheira	650 V	100A	200A	1,65V a 15V, 50A	1mJ (ligado), 1,5mJ (desligado)	175nC	20ns/165ns
UPA1727G-E1-A	-	Solicitação de cotação	4456	Renesas	-	Volume	Obsoleto		150ºC	Montagem em superfície	8-PowerSOIC (0,173", 4,40 mm de largura)			MOSFET (óxido metálico)		8-PowerSOP	-				2156-UPA1727G-E1-A			1		Canal N				60 V	10A (Ta)	4V, 10V	19mOhm @ 5A, 10V	2,5V a 1mA	45 nC @ 10 V	±20V	2.400 pF a 10 V	-	2W (Ta)
RBK02P11GQT-0000#JCH	-	Solicitação de cotação	2275	Renesas	-	Volume	Obsoleto										-				2156-RBK02P11GQT-0000#JCH			1
2SC4901YK-TR-E	0,5400	Solicitação de cotação	213	Renesas	-	Volume	Obsoleto		150°C (TJ)	Montagem em superfície	SC-70, SOT-323				100mW	3-CMPAK	-	RoHS não compatível		Fornecedor indefinido	2156-2SC4901YK-TR-E	EAR99	8541.29.0095	1					-																				9V	50mA									NPN		50 @ 20mA, 5V	9GHz			1,2 dB a 900 MHz
KA4L4M(0)-T1-A	-	Solicitação de cotação	2905	Renesas	-	Volume	Obsoleto			Montagem em superfície	SC-75, SOT-416				200 mW	SC-75	-				2156-KA4L4M(0)-T1-A			1																									50 V	100 mA						100nA (ICBO)			NPN - Pré-tendencioso	200mV @ 250µA, 5mA	85 @ 50mA, 5V		47 kOhms	47 kOhms
UPA1760G-E1-AT	1.6000	Solicitação de cotação	80	Renesas	-	Volume	Obsoleto		150ºC	Montagem em superfície	8-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura)	UPA1760		MOSFET (óxido metálico)	2W (Ta)	8-POP	-	RoHS não compatível		Fornecedor indefinido	2156-UPA1760G-E1-AT	EAR99	8541.29.0075	1	2 canais N (duplo)					30V	8A (Ta)		26mOhm @ 4A, 10V	2,5V a 1mA	14nC @ 10V		760pF a 10V	-
RJH1BF7DPQ-E0#T2	7.7000	Solicitação de cotação	217	Renesas	-	Volume	Obsoleto										-	RoHS não compatível		REACH não afetado	2156-RJH1BF7DPQ-E0#T2	EAR99	8541.29.0095	1
RKZ27TWAJQE#H1	0,2200	Solicitação de cotação	177	Renesas	*	Volume	Ativo										download		Fornecedor indefinido	REACH não afetado	2156-RKZ27TWAJQE#H1-1833			1
RD11P-T1-AZ	0,3400	Solicitação de cotação	12	Renesas	-	Volume	Obsoleto	±5,45%	150°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-243AA				1W	SOT-89	-	Compatível com ROHS3		REACH não afetado	2156-RD11P-T1-AZ	EAR99	8541.10.0050	1																							10 µA a 8 V										11V	20 Ohms
HZM6.8NB3TL-E	0,1500	Solicitação de cotação	30	Renesas	-	Volume	Obsoleto	±2%	150°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				200 mW	3-MPAK	-	RoHS não compatível		REACH não afetado	2156-HZM6.8NB3TL-E	EAR99	8541.10.0050	1																							2 µA a 3,5 V										7V	30 Ohms
HZU3BLL-JTRF-E	0,0700	Solicitação de cotação	327	Renesas	*	Volume	Ativo										download		Fornecedor indefinido	Fornecedor indefinido	2156-HZU3BLL-JTRF-E-1833			1
HZM27NB-JTR-E	0,1500	Solicitação de cotação	66	Renesas	*	Volume	Ativo										download		Fornecedor indefinido	REACH não afetado	2156-HZM27NB-JTR-E-1833			1
RD5.1P-T1-AZ	0,2100	Solicitação de cotação	20	Renesas	-	Volume	Obsoleto	±5,88%	150°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-243AA				1W		-	RoHS não compatível		REACH não afetado	2156-RD5.1P-T1-AZ	EAR99	8541.10.0050	1																							20 µA a 1 V										5,1 V	60 Ohms
2SC2721-T-AZ	-	Solicitação de cotação	4626	Renesas	-	Volume	Obsoleto		150°C (TJ)	Através do furo	3-SSIP				1W	-	-				2156-2SC2721-T-AZ			1					-																				60V	700mA									NPN		90 @ 100mA, 1V	110MHz			-
HZU30B-JTRF-E	0,0700	Solicitação de cotação	345	Renesas	*	Volume	Ativo										download		Fornecedor indefinido	Fornecedor indefinido	2156-HZU30B-JTRF-E-1833			1