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Produtos semicondutores discretos(447)

Número do produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade disponível	Fabricante	Série	Pacote	Estado do produto	Tolerância	Temperatura operacional	Tipo de montagem	Pacote/Caixa	Número básico do produto	Tecnologia	Potência - Máx.	Pacote de dispositivos do fornecedor	Ficha de dados	Estado RoHS	Nível de sensibilidade à umidade (MSL)	Estado do REACH	Outros nomes	ECCN	HTSU	Pacote Padrão	Configuração	Tipo FET	Atual - Espera (Ih) (Máx.)	Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)	Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)	Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs	Vgs(th) (máx.) @ ID	Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs	Vgs (máx.)	Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	Recurso FET	Dissipação de energia (máx.)	Tipo Triac	Tensão - Estado desligado	Atual - Estado ligado (It (RMS)) (Máx.)	Tensão - Gatilho de Porta (Vgt) (Máx.)	Corrente - Não Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)	Atual - Gatilho de Portão (Igt) (Máx.)	Tensão - Estado Ligado (Vtm) (Máx.)	Atual - Estado ligado (It (AV)) (Máx.)	Atual - Estado desligado (máx.)	Tipo de SCR	Corrente - Vazamento reverso @ Vr	Atual - Corte do Coletor (Máx.)	Tensão - Zener (Nom) (Vz)	Impedância (Máx.) (Zzt)	Tipo de transistor	Saturação Vce (Máx.) @ Ib, Ic	Ganho de corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequência - Transição
2SK3575-AZ	2.3800	Solicitação de cotação	824	Renesas	-	Volume	Obsoleto		150ºC	Através do furo	PARA-220-3		MOSFET (óxido metálico)		PARA-220AB	-	RoHS não compatível		REACH não afetado	2156-2SK3575-AZ	EAR99	8541.29.0075	1		Canal N		30 V	83A (Tc)	4,5V, 10V	4,5mOhm a 42A, 10V	2,5V a 1mA	70 nC @ 10 V	±20V	3700 pF a 10 V	-	1,5 W (Ta), 105 W (Tc)
2SB798(0)-T1-AZ	-	Solicitação de cotação	2144	Renesas	-	Volume	Obsoleto		-65°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-243AA				SC-62	-				2156-2SB798(0)-T1-AZ			1																									100nA (ICBO)			PNP	400mV @ 100mA, 1A	90 @ 100mA, 1V	110MHz
2SA1611(0)-T1-A	-	Solicitação de cotação	1026	Renesas	-	Volume	Obsoleto		150°C (TJ)	Montagem em superfície	SC-70, SOT-323				SC-70	-				2156-2SA1611(0)-T1-A			1																									100nA (ICBO)			PNP	300mV @ 10mA, 100mA	90 @ 1mA, 6V	180MHz
RJK0349DSP-00#J0	-	Solicitação de cotação	8794	Renesas	-	Volume	Ativo		150ºC	Montagem em superfície	8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura)		MOSFET (óxido metálico)		8-POP	-				2156-RJK0349DSP-00#J0			1		Canal N		30 V	20A (Ta)	4,5V, 10V	3,8mOhm a 10A, 10V	2,5V a 1mA	25 nC @ 4,5 V	±20V	3850 pF a 10 V	-	2,5W (Ta)
UPA2701TP-E1-AZ	-	Solicitação de cotação	1268	Renesas	-	Volume	Obsoleto		150ºC	Montagem em superfície	Almofada exposta 8-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura)		MOSFET (óxido metálico)		8-HSOP	-				2156-UPA2701TP-E1-AZ			1		Canal N		30 V	16A(Ta), 35A(Tc)	4V, 10V	7,5mOhm a 7A, 10V	2,5V a 1mA	12 nC @ 5 V	±20V	1200 pF a 10 V	-	3W (Ta), 28W (Tc)
HAT1146C-EL-E	-	Solicitação de cotação	6451	Renesas	-	Volume	Obsoleto									-				2156-HAT1146C-EL-E			1
2SK3480(0)-Z-E1-AZ	-	Solicitação de cotação	2272	Renesas	-	Volume	Obsoleto		150ºC	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB		MOSFET (óxido metálico)		TO-263, TO-220SMD	-				2156-2SK3480(0)-Z-E1-AZ			1		Canal N		100V	50A (Tc)	4,5V, 10V	31mOhm a 25A, 10V	2,5V a 1mA	74 nC @ 10 V	±20V	3600 pF a 10 V	-	1,5 W (Ta), 84 W (Tc)
2SC4942(0)-T1-AZ	-	Solicitação de cotação	9149	Renesas	-	Volume	Obsoleto		150°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-243AA				MP-2	-				2156-2SC4942(0)-T1-AZ			1																									10µA (ICBO)			NPN	1V a 80mA, 400mA	30 @ 100mA, 5V	30MHz
2SA673BTZ-E	-	Solicitação de cotação	2996	Renesas	-	Volume	Obsoleto		150°C (TJ)	Através do furo	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)				TO-92	-				2156-2SA673BTZ-E			1																									500nA (ICBO)			PNP	600mV a 15mA, 150mA	60 @ 10mA, 3V	-
2SC1623B-T1B-AT	-	Solicitação de cotação	3602	Renesas	-	Volume	Obsoleto									-				2156-2SC1623B-T1B-AT			1
RD30FS(0)-T1-AY	-	Solicitação de cotação	3778	Renesas	-	Volume	Obsoleto									-				2156-RD30FS(0)-T1-AY			1
HZM13NB3TR-E	0,1600	Solicitação de cotação	21	Renesas	-	Volume	Obsoleto	±2,16%	150°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			200 mW	3-MPAK	download	RoHS não compatível		REACH não afetado	2156-HZM13NB3TR-E	EAR99	8541.10.0050	1																								2 µA a 10 V		13,67V	35 Ohms
HZU24B-JTRF-E	0,0700	Solicitação de cotação	321	Renesas	*	Volume	Ativo									download		Fornecedor indefinido	REACH não afetado	2156-HZU24B-JTRF-E-1833			1
RJK5012DPP-MG#T2	2.3100	Solicitação de cotação	478	Renesas	-	Volume	Obsoleto		150ºC	Através do furo	Pacote completo TO-220-3		MOSFET (óxido metálico)		TO-220FN	download	RoHS não compatível		REACH não afetado	2156-RJK5012DPP-MG#T2	EAR99	8541.29.0095	1		Canal N		500 V	12A (Ta)	10V	620mOhm @ 6A, 10V	4,5V a 1mA	29 nC @ 10 V	±30V	1100 pF a 25 V	-	30W (Tc)
BCR16CM-12LB#BB0	0,1000	Solicitação de cotação	96	Renesas	-	Volume	Obsoleto		-40°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	PARA-220-3				TO-220ABS	-				2156-BCR16CM-12LB#BB0			2.996	Solteiro													padrão	600 V	16A	1,5 V	170A a 60Hz	30 mA
HZM9.1NB1TL-E	0,1500	Solicitação de cotação	80	Renesas	-	Volume	Obsoleto	±2,11%	150°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			200 mW	3-MPAK	download	Compatível com ROHS3		REACH não afetado	2156-HZM9.1NB1TL-E	EAR99	8541.10.0050	1																								2 µA a 6 V		8,75V	30 Ohms
RQA0002DNSTB-E	3.9600	Solicitação de cotação	9	Renesas	-	Volume	Obsoleto		150ºC	Montagem em superfície	Almofada exposta 3-DFN		MOSFET (óxido metálico)		2-HWSON (5x4)	-	RoHS não compatível		REACH não afetado	2156-RQA0002DNSTB-E	EAR99	8541.29.0075	1		Canal N		16V	3,8A (Ta)	-	-	750mV @ 1mA		±5V	102 pF a 0 V	-	15W (Tc)
BCR12FM-14LJ#BB0	-	Solicitação de cotação	3991	Renesas	-	Volume	Obsoleto		-40°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	Pacote completo TO-220-3				TO-220FP	-				2156-BCR12FM-14LJ#BB0			1	Solteiro													padrão	800V	12A	1,5 V	120A a 60Hz	30 mA
2SJ494-AZ	1.0000	Solicitação de cotação	3579	Renesas	-	Volume	Obsoleto		150ºC	Através do furo	Guia Isolada TO-220-3		MOSFET (óxido metálico)		MP-45F	download	RoHS não compatível		REACH não afetado	2156-2SJ494-AZ	EAR99	8541.29.0075	1		Canal P		60 V	20A (Ta)	4V, 10V	50mOhm @ 10A, 10V	2V @ 1mA	74 nC @ 10 V	±20V	2360 pF a 10 V	-	2W (Ta), 35W (Tc)
UPA2752GR-E1-A	1.3000	Solicitação de cotação	32	Renesas	-	Volume	Obsoleto		150ºC	Montagem em superfície	8-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura)	UPA2752	MOSFET (óxido metálico)	1,7 W (Ta)	8-POP	-	RoHS não compatível		Fornecedor indefinido	2156-UPA2752GR-E1-A	EAR99	8541.29.0095	1	2 canais N (duplo)			30V	8A (Tc)		23mOhm @ 4A, 10V	2,5V a 1mA	10nC @ 10V		480pF a 10V	-
CR6CM-12A#BB0	-	Solicitação de cotação	9680	Renesas	-	Volume	Obsoleto		-40°C ~ 125°C (TJ)	Através do furo	PARA-220-3				TO-220ABS	-				2156-CR6CM-12A#BB0			1			15 mA												600 V	9,4A	1 V	90A a 50Hz	10 mA	1,7V	6A	2 mA	Recuperação Padrão
UPA2782GR-E1-A	1.7700	Solicitação de cotação	7	Renesas	-	Volume	Obsoleto		150°C (TJ)	Montagem em superfície	8-SOIC (0,173", 4,40 mm de largura)		MOSFET (óxido metálico)		8-POP	download	RoHS não compatível		Fornecedor indefinido	2156-UPA2782GR-E1-A	EAR99	8541.29.0075	1		Canal N		30 V	11A (Ta)	4V, 10V	15mOhm @ 5,5A, 10V	2,5V a 1mA	7,1 nC a 5 V	±20V	660 pF a 10 V	-	2W (Ta)
RJK0601DPN-E0#T2	3.5400	Solicitação de cotação	1	Renesas	-	Volume	Obsoleto		150ºC	Através do furo	PARA-220-3		MOSFET (óxido metálico)		TO-220ABS	-	RoHS não compatível		REACH não afetado	2156-RJK0601DPN-E0#T2	EAR99	8541.29.0095	1		Canal N		60 V	110A (Ta)	10V	3,1mOhm a 55A, 10V	4V @ 1mA	141 nC @ 10 V	±20V	10.000 pF a 10 V	-	200W (Tc)
HZM8.2NB2TR-E	0,1500	Solicitação de cotação	21	Renesas	-	Volume	Obsoleto	±2,08%	150°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			200 mW	3-MPAK	download	RoHS não compatível		REACH não afetado	2156-HZM8.2NB2TR-E	EAR99	8541.10.0050	1																								2 µA a 5 V		8,19 V	30 Ohms
HZU4.7B2JTRF-E	0,0900	Solicitação de cotação	372	Renesas	*	Volume	Ativo									download		Fornecedor indefinido	Fornecedor indefinido	2156-HZU4.7B2JTRF-E-1833			1
RD24F-AZ	0,2400	Solicitação de cotação	15	Renesas	*	Volume	Ativo									download		Fornecedor indefinido	REACH não afetado	2156-RD24F-AZ-1833			1
RD3.0P-T1-AZ	0,3500	Solicitação de cotação	2	Renesas	-	Volume	Obsoleto									-	RoHS não compatível		REACH não afetado	2156-RD3.0P-T1-AZ	EAR99	8541.10.0050	1
2SB804-D-T1-AZ	-	Solicitação de cotação	6963	Renesas	-	Volume	Obsoleto									-				2156-2SB804-D-T1-AZ			1
NP32N055SLE-E1-AY	-	Solicitação de cotação	1281	Renesas	-	Volume	Obsoleto		175°C	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63		MOSFET (óxido metálico)		TO-252 (MP-3ZK)	-	RoHS não compatível		REACH não afetado	2156-NP32N055SLE-E1-AY	EAR99	8541.29.0095	1		Canal N		55V	32A (Ta)	4,5V, 10V	24mOhm @ 16A, 10V	2,5 V a 250 µA	41 nC @ 10 V	±20V	2.000 pF a 25 V	-	1,2 W (Ta), 66 W (Tc)
HZU12B2JTRF-E	0,1000	Solicitação de cotação	42	Renesas	*	Volume	Ativo									download		Fornecedor indefinido	REACH não afetado	2156-HZU12B2JTRF-E-1833			1