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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Ganho | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) | Tipo de transistor | Vce saturação (max) @ ib, ic | Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE | Frequencia - Transmissão | Resistor - Base (R1) | Resistor - Base de Emissor (R2) | Figura de Ruído (dB typ @ f) |
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![]() | PHPT60410PYX | 0,2100 | ![]() | 40 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-100, SOT-669 | 1.3 w | LFPAK56, Power-So8 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-FPT60410PYX-954 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.550 | 40 v | 10 a | 100na | Pnp | 800mv a 500mA, 10a | 240 @ 500MA, 2V | 97MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C3V0,143 | 0,0200 | ![]() | 230 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX79-C3V0,143-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 10 µA A 1 V | 3 v | 95 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHP29N08T, 127 | 0,5400 | ![]() | 24 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Trenchmos ™ | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | 2156-PHP29N08T, 127-954 | 600 | N-canal | 75 v | 27a (TC) | 11v | 50mohm @ 14a, 11v | 5V @ 2MA | 19 NC @ 10 V | ± 30V | 810 pf @ 25 V | - | 88W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN012-80BS, 118 | - | ![]() | 4498 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-PSMN012-80BS, 118-954 | 1 | N-canal | 80 v | 74a (TC) | 10V | 11mohm @ 15a, 10V | 4V @ 1MA | 43 nc @ 10 V | ± 20V | 2782 pf @ 12 V | - | 148W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | BZB84-B9V1.215 | - | ![]() | 6918 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | TO-236AB | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-BZB84-B9V1,215-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 500 Na @ 6 V | 9.1 v | 15 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Pumd14,115 | - | ![]() | 4001 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | * | Volume | Ativo | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-pumd14,115-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC144EM, 315 | - | ![]() | 1783 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SC-101, SOT-883 | 250 MW | DFN1006-3 | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-PDTC144EM, 315-954 | 1 | 50 v | 100 ma | 1µA | Npn - pré -tendencioso | 150mv @ 500µA, 10MA | 80 @ 5MA, 5V | 230 MHz | 47 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZB784-C15,115 | - | ![]() | 6350 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | BZB784 | Volume | Ativo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-70, SOT-323 | 180 MW | SC-70 | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-BZB784-C15,115-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 10,5 V | 15 v | 30 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZB984-C12,115 | - | ![]() | 4745 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | - | Montagem na Superfície | SOT-663 | 265 MW | SOT-663 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZB984-C12,115-954 | 1 | 1 par ânodo comum | 900 mV a 10 mA | 100 Na @ 8 V | 12 v | 10 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZB784-C2V7,115 | 0,0300 | ![]() | 75 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | - | Montagem na Superfície | SC-70, SOT-323 | 180 MW | SOT-323 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZB784-C2V7,115-954 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 par ânodo comum | 900 mV a 10 mA | 20 µA @ 1 V | 2,7 v | 100 ohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | NZX10C, 133 | - | ![]() | 2866 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | NZX | Volume | Ativo | ± 2% | 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 500 MW | ALF2 | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-NZX10C, 133-954 | 1 | 1,5 V @ 200 mA | 200 Na @ 7 V | 10 v | 25 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZB84-B12,215 | - | ![]() | 2966 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | - | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23 | download | 0000.00.0000 | 1 | 1 par ânodo comum | 900 mV a 10 mA | 100 Na @ 8 V | 12 v | 25 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZB984-C7V5,115 | - | ![]() | 8437 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | - | Montagem na Superfície | SOT-663 | BZB984-C7V5 | 265 MW | SOT-663 | download | 0000.00.0000 | 1 | 1 par ânodo comum | 900 mV a 10 mA | 1 µA a 5 V | 7,5 v | 6 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C16,133 | - | ![]() | 3155 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | BZX79-C16 | 400 MW | ALF2 | download | 0000.00.0000 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 11,2 V | 16 v | 40 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Pzu3.6b2l, 315 | 0,0300 | ![]() | 20 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SOD-882 | 250 MW | DFN1006-2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-PZU3.6B2L, 315-954 | Ear99 | 8541.10.0050 | 9.947 | 1,1 V @ 100 Ma | 5 µA @ 1 V | 3,6 v | 90 ohms | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA113ZMB, 315 | - | ![]() | 8068 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | * | Volume | Ativo | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-PDTA113ZMB, 315-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-B16,215 | 0,0200 | ![]() | 26 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | TO-236AB | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX84-B16,215-954 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 11,2 V | 16 v | 40 ohms | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF723,115 | 0,1000 | ![]() | 27 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-261-4, TO-261AA | 1.2 w | SOT-223 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BF723,115-954 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 250 v | 100 ma | 10na (ICBO) | Pnp | 600mV @ 5MA, 30MA | 50 @ 25MA, 20V | 60MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C10,133 | 0,0200 | ![]() | 240 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX79-C10,133-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 200 Na @ 7 V | 10 v | 20 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52H-C4V3,115 | 0,0200 | ![]() | 102 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TA) | Montagem na Superfície | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZT52H-C4V3,115-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 3 µA @ 1 V | 4.3 v | 95 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55-C75,115 | 0,0200 | ![]() | 55 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | 500 MW | LLDS; Mínimo | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZV55-C75,115-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 52,5 V | 75 v | 255 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84J-B20.115 | 0,0300 | ![]() | 12 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SC-90, SOD-323F | 550 MW | SOD-323F | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX84J-B20,115-954 | 1 | 1,1 V @ 100 Ma | 50 Na @ 14 V | 20 v | 20 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C22.133 | 0,0200 | ![]() | 119 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX79-C22,133-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 15,4 V | 22 v | 55 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCW89.215 | 0,0200 | ![]() | 142 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BCW89 | 250 MW | TO-236AB | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BCW89,215-954 | 1 | 60 v | 100 ma | 100na (ICBO) | Pnp | 150mV a 2,5mA, 50mA | 120 @ 2MA, 5V | 150MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFU768F, 115 | 0,1600 | ![]() | 14 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-343F | 220mw | 4-DFP | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-BFU768F, 115 | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 13.1dB | 2.8V | 70mA | Npn | 155 @ 10MA, 2V | 110GHz | 1,1dB ~ 1,2dB @ 5GHz ~ 5,9GHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-B3V6,133 | 0,0200 | ![]() | 88 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX79-B3V6,133-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 5 µA @ 1 V | 3,6 v | 90 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Pumb9,115 | 0,0300 | ![]() | 21 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | * | Volume | Ativo | Pumb9 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-Pumb9,115-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMN27XPE115 | 0,2300 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | * | Volume | Ativo | download | Fornecedor indefinido | Alcançar Não Afetado | 2156-PMN27XPE115-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK762R0-40C, 118 | - | ![]() | 7294 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | Fornecedor indefinido | Alcançar Não Afetado | 2156-BUK762R0-40C, 118-954 | 1 | N-canal | 40 v | 100a (TC) | 10V | 2mohm @ 25a, 10V | 4V @ 1MA | 175 NC @ 10 V | ± 20V | 11323 pf @ 25 V | - | 333W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-C47.215 | - | ![]() | 6984 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | BZX84 | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | TO-236AB | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-BZX84-C47,215-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 32,9 V | 47 v | 170 ohms |
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