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Produtos Semicondutores discretos (1062)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Tensão - Classificada | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Freqüência | Tecnologia | Poder - Máx | Estrutura | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | Velocidade | TIPO DE FET | Classificação ATUAL (Amplificadorores) | ATUAL - Hold (ih) (Máx) | ATUAL - TESTE | POTÊNCIA - SAÍDA | Ganho | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Tensão - Estado Off - Off | ATUAL - SEM ESTADO (IT (RMS)) (Max) | Tensão - Gatilho de Porta (VGT) (MAX) | Corrente - Não Rep. Surge 50, 60Hz (ITSM) | Corrente - Gatilho de Portão (IGT) (max) | ATUAL - SEM ESTADO (IT (AV)) (MAX) | Figura de Ruído | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Número de SCRS, Diodos | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Tensão - Teste | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) | Tipo de transistor | Vce saturação (max) @ ib, ic | Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE | Frequencia - Transmissão |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PMV30XPEA215 | - |  | 9535 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | * | Volume | Ativo | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-PMV30XPEA215-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZV55-C56,115 | 0,0200 | | 37 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | 500 MW | LLDS; Mínimo | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZV55-C56,115-954 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 39,2 V | 56 v | 200 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BAV99/8.235 | - | | 5453 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | * | Volume | Ativo | Bav99 | download | Fornecedor indefinido | Alcançar Não Afetado | 2156-BAV99/8.235-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZV90-C6V2,115 | 0,1600 | | 4 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-261-4, TO-261AA | 1,5 w | SOT-223 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZV90-C6V2,115-954 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 3 µA A 4 V | 6.2 v | 10 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTA123JQAZ | - | | 6946 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | * | Volume | Ativo | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-PDTA123JQAZ-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZV85-C22.133 | 0,0300 | | 60 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1.3 w | DO-41 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZV85-C22,133-954 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 50 Na @ 15,5 V | 22 v | 25 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMBT4403YSX | 0,0300 | | 300 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | TO-236AB | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-PMBT4403YSX-954 | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.414 | 40 v | 600 mA | 50na (ICBO) | Pnp | 750mv @ 50Ma, 500mA | 100 @ 10Ma, 1V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMEG2015EA115 | - | | 9032 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SC-76, SOD-323 | Schottky | SOD-323 | download | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 660 mV @ 1,5 A | 50 µA A 15 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 1.5a | 25pf @ 5V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMEG4005EGW, 118 | 1.0000 | | 2203 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | * | Volume | Ativo | download | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84-A30,215 | - | | 3818 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 1% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23 | download | 0000.00.0000 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 700 mV | 30 v | 80 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMXB350UPEZ | 0,0600 | | 675 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 3-XDFN PAD EXPOSTO | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DFN1010D-3 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-PMXB350UPEZ-954 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | Canal P. | 20 v | 1.2a (ta) | 1.2V, 4.5V | 447mohm @ 1.2a, 4.5V | 950MV A 250µA | 2,3 nc @ 4,5 V | ± 8V | 116 pf @ 10 V | - | 360MW (TA), 5,68W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMEG20101SX | 0,0900 | | 27 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | 3-AUDFN PAD EXPOSTO | Schottky | DFN2020D-3 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-PMEG2010PASX-954 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.699 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 375 mV @ 1 a | 50 ns | 335 µA a 20 V | 150 ° C (Máximo) | 1a | 175pf @ 1V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZV55-B30,115 | 0,0200 | | 243 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | 500 MW | LLDS; Mínimo | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZV55-B30,115-954 | 0000.00.0000 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 700 mV | 30 v | 80 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF6VP3450HR5 | 230.3700 | | 497 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Obsoleto | 110 v | Montagem do chassi | NI-1230 | 470MHz ~ 860MHz | LDMOS | NI-1230 | download | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-MRF6VP3450HR5 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | Fonte Dupla E Comum | 10µA | 1.4 a | 450W | 22.5dB | - | 50 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TZ425N12KOFHPSA1 | 146.9300 | | 9819 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Obsoleto | 125 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Módlo | Solteiro | - | 2156-TZ425N12KOFHPSA1 | 2 | 300 mA | 1,2 kV | 800 a | 1,5 v | 14500A @ 50Hz | 250 Ma | 510 a | 1 scr | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX79-C5V6,133 | 0,0200 | | 325 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX79-C5V6,133-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 1 µA @ 2 V | 5,6 v | 40 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84-C33,215 | 0,0200 | | 295 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | TO-236AB | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX84-C33,215-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 23,1 V | 33 v | 80 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PHP29N08T, 127 | 0,5400 | | 24 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Trenchmos ™ | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | 2156-PHP29N08T, 127-954 | 600 | N-canal | 75 v | 27a (TC) | 11v | 50mohm @ 14a, 11v | 5V @ 2MA | 19 NC @ 10 V | ± 30V | 810 pf @ 25 V | - | 88W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX79-C3V0,143 | 0,0200 | | 230 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX79-C3V0,143-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 10 µA A 1 V | 3 v | 95 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NZX36A, 133 | 0,0200 | | 109 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 500 MW | ALF2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-NZX36A, 133-954 | 1 | 1,5 V @ 200 mA | 50 Na @ 25,2 V | 36 v | 140 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMP5201Y, 135 | 1.0000 | | 9027 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | * | Volume | Ativo | PMP5201 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-PMP5201Y, 135-954 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Ph9130al115 | 0,2500 | | 153 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | * | Volume | Ativo | PH9130 | download | Fornecedor indefinido | Alcançar Não Afetado | 2156-ph9130al115-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BAV170.215 | - | | 7248 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | * | Volume | Ativo | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BAV170,215-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX884-B27315 | 0,0300 | | 479 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | * | Volume | Ativo | download | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Bas28.215 | 0,0300 | | 799 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | TO-253-4, TO-253AA | Bas28 | Padrão | SOT-143B | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BAS28.215-954 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 2 Independente | 75 v | 215mA (DC) | 1,25 V @ 150 Ma | 4 ns | 1 µA A 75 V | 150 ° C (Máximo) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX384-B4V7,115 | - | | 3698 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SC-76, SOD-323 | BZX384 | 300 MW | SOD-323 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX384-B4V7,115-954 | 1 | 1,1 V @ 100 Ma | 3 µA @ 2 V | 4,7 v | 80 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Bav99W, 115 | - | | 2469 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotive, AEC-Q101, BAV99 | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SC-70, SOT-323 | Bav99 | Padrão | SOT-323 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BAV99W, 115-954 | 1 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 100 v | 150mA (DC) | 1,25 V @ 150 Ma | 4 ns | 500 Na @ 80 V | 150 ° C (Máximo) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC68-25PASX | 0,0700 | | 85 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 3-AUDFN PAD EXPOSTO | 420 MW | DFN2020D-3 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BC68-25PASX-954 | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 20 v | 2 a | 100na (ICBO) | Npn | 600mv @ 200Ma, 2a | 85 @ 500mA, 1V | 170MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Bas40-07V, 115 | 0,0600 | | 842 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | * | Volume | Ativo | Bas40 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BAS40-07V, 115-954 | 5.293 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4738A, 133 | 0,0400 | | 132 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | * | Volume | Ativo | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-1N4738A, 133-954 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 |
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