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Produtos Semicondutores discretos (1062)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Tensão - Classificada | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Freqüência | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | Velocidade | TIPO DE FET | Classificação ATUAL (Amplificadorores) | ATUAL - TESTE | POTÊNCIA - SAÍDA | Ganho | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Figura de Ruído | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Tensão - Teste | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) | Tipo de transistor | Vce saturação (max) @ ib, ic | Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE | Frequencia - Transmissão |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BZB784-C5V6,115 | - |  | 5706 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | - | Montagem na Superfície | SC-70, SOT-323 | 350 MW | SOT-323 | download | 0000.00.0000 | 1 | 1 par ânodo comum | 900 mV a 10 mA | 1 µA @ 2 V | 5,6 v | 40 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMK50XP, 518 | 0,1000 | | 56 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Trenchmos ™ | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-so | download | 2 (1 Ano) | Alcançar Não Afetado | 2156-PMK50XP, 518-954 | 1 | Canal P. | 20 v | 7.9a (TC) | 4.5V | 50mohm @ 2.8a, 4.5V | 950MV A 250µA | 10 nc @ 4,5 V | ± 12V | 1020 pf @ 20 V | - | 5W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZB84-B3V9.215 | - | | 1884 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | - | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZB84-B3V9 | 300 MW | TO-236AB | download | 0000.00.0000 | 1 | 1 par ânodo comum | 900 mV a 10 mA | 3 µA @ 1 V | 3,9 v | 90 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PSMN009-100P, 127 | 1.5000 | | 291 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Trenchmos ™ | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | 2156-PSMN009-100P, 127-954 | 217 | N-canal | 100 v | 75a (TC) | 10V | 8.8mohm @ 25a, 10V | 4V @ 1MA | 156 nc @ 10 V | ± 20V | 8250 pf @ 25 V | - | 230W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BCM847BV, 115 | - | | 9326 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-563, SOT-666 | BCM847 | 300mw | SOT-666 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BCM847BV, 115-954 | 1 | 45V | 100mA | 15na (ICBO) | 2 NPN (Duplo) par correspondente | 400mv @ 5Ma, 100mA | 200 @ 2MA, 5V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NX7002AK215 | - | | 3044 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23-3 (TO-236) | - | 2156-NX7002AK215 | 1 | N-canal | 60 v | 190mA (TA), 300mA (TC) | 5V, 10V | 4.5OHM @ 100MA, 10V | 2.1V @ 250µA | 0,43 nc @ 4,5 V | ± 20V | 20 pf @ 10 V | - | 265mW (TA), 1,33W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NX138BKR | 1.0000 | | 3178 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-236AB | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-NX138BKR-954 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | N-canal | 60 v | 265mA (TA) | 2.5V, 10V | 3.5Ohm @ 200Ma, 10V | 1,5V a 250µA | 0,49 nc @ 4,5 V | ± 20V | 20,2 pf @ 30 V | - | 310mW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZV49-C2V7,115 | 0,1700 | | 16 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-243AA | 1 w | SOT-89 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZV49-C2V7,115-954 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 20 µA @ 1 V | 2,7 v | 100 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSR41,115 | 0,1900 | | 25 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-243AA | 1,35 w | SOT-89 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BSR41,115-954 | 1 | 60 v | 1 a | 100na (ICBO) | Npn | 500mv @ 50Ma, 500mA | 100 @ 100mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Pzu10b2a, 115 | - | | 1079 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SC-76, SOD-323 | Pzu10 | 320 MW | SOD-323 | download | 0000.00.0000 | 1 | 1,1 V @ 100 Ma | 100 Na @ 7 V | 10 v | 10 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Pzu9.1b2l, 315 | 0,0300 | | 31 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SOD-882 | 250 MW | DFN1006-2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-PZU9.1B2L, 315-954 | 10.764 | 1,1 V @ 100 Ma | 500 Na @ 6 V | 9.1 v | 10 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2pd2150,115 | 0,0800 | | 8 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-243AA | 2 w | SOT-89 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-2pd2150,115-954 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 20 v | 3 a | 100na (ICBO) | Npn | 500mv @ 100ma, 2a | 180 @ 100MA, 2V | 220MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC68PASX | 0,0700 | | 84 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 3-AUDFN PAD EXPOSTO | 420 MW | DFN2020D-3 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BC68PASX-954 | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 20 v | 2 a | 100na (ICBO) | Npn | 600mv @ 200Ma, 2a | 85 @ 500mA, 1V | 170MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZV85-C5V6,113 | 0,0400 | | 568 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1 w | DO-41 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZV85-C5V6,113-954 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 2 µA @ 2 V | 5,6 v | 7 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF6VP3091NR1 | - | | 6863 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Obsoleto | 115 v | Montagem na Superfície | TO-270AB | 470MHz ~ 1.215 GHz | LDMOS (Duplo), Fonte Comum | TO-270 WB-4 | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-MRF6VP3091NR1-954 | 1 | 2 n-canal | 10µA | 450 Ma | 90W | 22dB | - | 50 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC857AW, 115 | 0,0200 | | 279 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-70, SOT-323 | BC857 | 200 MW | SOT-323 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BC857AW, 115-954 | 0000.00.0000 | 1 | 45 v | 100 ma | 15na (ICBO) | Pnp | 600mV @ 5Ma, 100mA | 125 @ 2MA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLF888BS, 112 | 218.8600 | | 25 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | * | Volume | Ativo | download | Alcançar Não Afetado | 2156-BLF888BS, 112-954 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PHPT60606PYX | - | | 3851 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-100, SOT-669 | 1,35 w | LFPAK56, Power-So8 | - | Fornecedor indefinido | Fornecedor indefinido | 2156-FPT60606PYX-954 | 1 | 60 v | 6 a | 100na | Pnp | 525mv @ 600Ma, 6a | 120 @ 500mA, 2V | 110MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4740A, 133 | 0,0300 | | 83 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | * | Volume | Ativo | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-1N4740A, 133-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Buk9275-100A, 118 | 1.0000 | | 9408 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DPAK | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BUK9275-100A, 118-954 | 1 | N-canal | 100 v | 21.7a (TC) | 4.5V, 10V | 72mohm @ 10a, 10V | 2V @ 1MA | ± 10V | 1690 pf @ 25 V | - | 88W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84-B4V3,215 | 0,0200 | | 51 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | TO-236AB | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX84-B4V3,215-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 3 µA @ 1 V | 4.3 v | 90 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84-A16,215 | 0,1000 | | 4 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 1% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | TO-236AB | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX84-A16,215-954 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 700 mV | 16 v | 40 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZB84-C62.215 | 1.0000 | | 8473 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | - | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZB84-C62 | 300 MW | TO-236AB | download | 0000.00.0000 | 1 | 1 par ânodo comum | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 43,4 V | 62 v | 215 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX884-C10,315 | 0,0300 | | 3 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SOD-882 | 250 MW | DFN1006-2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX884-C10,315-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 200 Na @ 7 V | 10 v | 10 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMEG3002AEL315 | - | | 5787 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-882 | PMEG3002 | Schottky | DFN1006-2 | download | 0000.00.0000 | 1 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 30 v | 480 mV a 200 mA | 50 µA A 30 V | 150 ° C (Máximo) | 200Ma | 25pf @ 1V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PBSS5630PA, 115 | 0,1100 | | 1 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 3-Powerudfn | 2.1 w | 3-Huson (2x2) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-PBSS5630PA, 115-954 | 1 | 30 v | 6 a | 100na | Pnp | 350mv @ 300Ma, 6a | 190 @ 2A, 2V | 80MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Buk6212-40C, 118 | 0,3300 | | 5 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DPAK | download | Fornecedor indefinido | Alcançar Não Afetado | 2156-BUK6212-40C, 118-954 | 1 | N-canal | 40 v | 50a (ta) | 11.2mohm @ 12a, 10V | 2.8V @ 1MA | 33,9 nc @ 10 V | ± 16V | 1900 pf @ 25 V | - | 80W | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF6S20010NR1 | 34.2200 | | 500 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Obsoleto | 68 v | Montagem na Superfície | TO-270-2 | 1,6 GHz ~ 2,2 GHz | LDMOS | TO-270-2 | - | 2156-MRF6S20010NR1 | 9 | N-canal | 10µA | 130 MA | 10W | 15.5dB @ 2.17GHz | - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX79-B5V6,133 | 0,0200 | | 155 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX79-B5V6,133-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 1 µA @ 2 V | 5,6 v | 40 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC857A, 215 | 0,0200 | | 69 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC857 | 250 MW | TO-236AB | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BC857A, 215-954 | 1 | 45 v | 100 ma | 15na (ICBO) | Pnp | 650mv @ 5Ma, 100mA | 125 @ 2MA, 5V | 100MHz |
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