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Produtos Semicondutores discretos (1062)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Tensão - Classificada Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Freqüência Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade TIPO DE FET Classificação ATUAL (Amplificadorores) ATUAL - TESTE POTÊNCIA - SAÍDA Ganho Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Figura de Ruído Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Tensão - Teste Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão
PZU2.4BL,315 NXP Semiconductors Pzu2.4bl, 315 -
RFQ
 ECAD 6739 0,00000000 Semicondutores nxp Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo ± 5% 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOD-882 250 MW DFN1006-2 - Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-PZU2.4BL, 315-954 1 1,1 V @ 100 Ma 50 µA @ 1 V 2,4 v 100 ohms
PMEG6010ESBC,315 NXP Semiconductors PMEG6010ESBC, 315 0,0300
RFQ
 ECAD 30 0,00000000 Semicondutores nxp * Volume Ativo PMEG6010 download Fornecedor indefinido Alcançar Não Afetado 2156-PMEG6010SBC, 315-954 1
1PS88SB82,115 NXP Semiconductors 1PS88SB82.115 -
RFQ
 ECAD 9512 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Obsoleto Montagem na Superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Schottky 6-TSSOP - 2156-1PS88SB82,115 1 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 15 v 700 mV a 30 mA 200 Na @ 1 V -65 ° C ~ 125 ° C.
PMEG3020CEP,115 NXP Semiconductors PMEG3020CEP, 115 0,0900
RFQ
 ECAD 386 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo Montagem na Superfície SOD-128 Schottky SOD-128/CFP5 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-PMEG3020CEP, 115-954 Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 420 mv @ 2 a 1,5 mA a 30 V 150 ° C (Máximo) 2a 170pf @ 1V, 1MHz
BYV29F-600,127 NXP Semiconductors BYV29F-600,127 0,3700
RFQ
 ECAD 51 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo Através do buraco To-220-2 Padrão TO-220AC download Ear99 8541.10.0080 802 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,9 V @ 8 A 35 ns 50 µA A 600 V 150 ° C (Máximo) 9a -
PMEG3005AESF,315 NXP Semiconductors PMEG3005AESF, 315 -
RFQ
 ECAD 9404 0,00000000 Semicondutores nxp * Volume Ativo PMEG3005 download Ear99 8541.10.0070 1
BCW72,235 NXP Semiconductors BCW72.235 0,0300
RFQ
 ECAD 130 0,00000000 Semicondutores nxp Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-BCW72,235-954 1 45 v 100 ma 100na (ICBO) Npn 210mv @ 2.5mA, 50mA 200 @ 2MA, 5V 100MHz
BAS70-04W,115 NXP Semiconductors Bas70-04W, 115 -
RFQ
 ECAD 9472 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 Schottky SC-70 - Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-BAS70-04W, 115-954 1 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 70 v 70mA 1 V @ 15 mA 10 µA A 70 V 150 ° C.
PBSS8110Y,115 NXP Semiconductors PBSS8110Y, 115 -
RFQ
 ECAD 8170 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 625 MW 6-TSSOP download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-PBSS8110Y, 115-954 1 100 v 1 a 100na Npn 200mv @ 100ma, 1a 150 @ 250mA, 10V 100MHz
PMEG2015EH,115 NXP Semiconductors PMEG2015EH, 115 0,0500
RFQ
 ECAD 94 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo Montagem na Superfície SOD-123F Schottky SOD-123F download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-PMEG2015EH, 115-954 5.912 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 20 v 660 mV @ 1,5 A 70 µA A 20 V 150 ° C (Máximo) 1.5a 50pf @ 1V, 1MHz
PMEG3010BEV,115 NXP Semiconductors PMEG3010BEV, 115 0,0500
RFQ
 ECAD 141 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo Montagem na Superfície SOT-563, SOT-666 Schottky SOT-666 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-PMEG3010BEV, 115-954 6.542 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 560 mV @ 1 a 150 µA A 30 V 150 ° C (Máximo) 1a 70pf @ 1V, 1MHz
BZX84-C13,235 NXP Semiconductors BZX84-C13,235 0,0200
RFQ
 ECAD 80 0,00000000 Semicondutores nxp Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-BZX84-C13,235-954 Ear99 8541.10.0050 1 900 mV a 10 mA 100 Na @ 8 V 13 v 30 ohms
BC54-16PA,115 NXP Semiconductors BC54-16pa, 115 0,0600
RFQ
 ECAD 29 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 3-Powerudfn 420 MW 3-Huson (2x2) download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-BC54-16PA, 115-954 Ear99 8541.21.0075 1 45 v 1 a 100na (ICBO) Npn 500mv @ 50Ma, 500mA 63 @ 150mA, 2V 180MHz
BZX79-C39,143 NXP Semiconductors BZX79-C39,143 0,0200
RFQ
 ECAD 150 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 400 MW ALF2 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-BZX79-C39,143-954 1 900 mV a 10 mA 50 Na @ 27,3 V 39 v 130 ohms
PBSS5230QAZ NXP Semiconductors PBSS5230QAZ 0,0600
RFQ
 ECAD 554 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 3-XDFN PAD EXPOSTO 325 MW DFN1010D-3 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-PBSS5230QAZ-954 Ear99 8541.29.0075 1 30 v 2 a 100na (ICBO) Pnp 210MV @ 50MA, 1A 60 @ 2A, 2V 170MHz
A7101CLTK2/T0BC27J NXP Semiconductors A7101CLTK2/T0BC27J 1.3400
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semicondutores nxp * Volume Ativo download Fornecedor indefinido Alcançar Não Afetado 2156-A7101CLTK2/T0BC27J-954 243
PZU22B1,115 NXP Semiconductors PZU22B1,115 -
RFQ
 ECAD 2294 0,00000000 Semicondutores nxp Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo ± 2% 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-90, SOD-323F 310 MW SC-90 - Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-PZU22B1,115-954 1 1,1 V @ 100 Ma 50 Na @ 17 V 22 v 20 ohms
BUK7E2R3-40E,127 NXP Semiconductors BUK7E2R3-40E, 127 0,8500
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semicondutores nxp Automotivo, AEC-Q101, Trenchmos ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) I2pak download Fornecedor indefinido Alcançar Não Afetado 2156-BUK7E2R3-40E, 127-954 1 N-canal 40 v 120A (TC) 10V 2.3mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 109,2 nc @ 10 V ± 20V 8500 pf @ 25 V - 293W (TC)
BUK762R6-40E,118 NXP Semiconductors BUK762R6-40E, 118 -
RFQ
 ECAD 8816 0,00000000 Semicondutores nxp Automotivo, AEC-Q101, Trenchmos ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-BUK762R6-40E, 118-954 1 N-canal 40 v 100a (TC) 10V 2.6mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 91 nc @ 10 V ± 20V 7130 pf @ 25 V - 263W (TC)
PZU6.8B2L,315 NXP Semiconductors Pzu6.8b2l, 315 -
RFQ
 ECAD 5372 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C. Montagem na Superfície SOD-882 Pzu6.8 250 MW DFN1006-2 download 0000.00.0000 1 1,1 V @ 100 Ma 500 Na @ 3,5 V 6,8 v 20 ohms
BZT52H-C4V7,115 NXP Semiconductors BZT52H-C4V7,115 0,0200
RFQ
 ECAD 179 0,00000000 Semicondutores nxp Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TA) Montagem na Superfície SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-BZT52H-C4V7,115-954 1 900 mV a 10 mA 3 µA @ 2 V 4,7 v 78 ohms
PBSS5350T,215 NXP Semiconductors PBSS5350T, 215 1.0000
RFQ
 ECAD 4318 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300 MW SOT-23 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 1 50 v 2 a 100na (ICBO) Pnp 390mv @ 300Ma, 3a 200 @ 1A, 2V 100MHz
BZV85-C3V6,133 NXP Semiconductors BZV85-C3V6,133 0,0300
RFQ
 ECAD 30 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco Do-204al, DO-41, axial 1.3 w DO-41 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-BZV85-C3V6,133-954 1 1 V @ 50 Ma 50 µA @ 1 V 3,6 v 15 ohms
AFT27S010NT1 NXP Semiconductors AFT27S010NT1 10.3900
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Obsoleto 65 v Montagem na Superfície PLD-1.5W 728MHz ~ 3,6 GHz LDMOS PLD-1.5W - Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-AFT27S010NT1 Ear99 8541.29.0075 1 10µA 90 MA 1.26W 21.7db - 28 v
PMV33UPE,215 NXP Semiconductors PMV33UPE, 215 -
RFQ
 ECAD 7551 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-23 download Ear99 8541.21.0095 1 Canal P. 20 v 4.4a (ta) 1.8V, 4.5V 36mohm @ 3a, 4.5V 950MV A 250µA 22,1 nc @ 4,5 V ± 8V 1820 pf @ 10 V - 490MW (TA)
PBLS1503Y,115 NXP Semiconductors PBLS1503Y, 115 0,0700
RFQ
 ECAD 222 0,00000000 Semicondutores nxp * Volume Ativo PBLS1503 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-PBLS1503Y, 115-954 4.873
PMZB950UPELYL NXP Semiconductors PMZB950UPELYL 1.0000
RFQ
 ECAD 3640 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 3-xfdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) DFN1006B-3 download Fornecedor indefinido Alcançar Não Afetado 2156-PMZB950UPELYL-954 1 Canal P. 20 v 500mA (TA) 1.2V, 4.5V 1.4OHM @ 500MA, 4,5V 950MV A 250µA 2,1 nc @ 4,5 V ± 8V 43 pf @ 10 V - 360MW (TA)
BCX54,115 NXP Semiconductors BCX54,115 0,0700
RFQ
 ECAD 132 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-243AA 1,25 w SOT-89 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-BCX54,115-954 1 45 v 1 a 100na (ICBO) Npn 500mv @ 50Ma, 500mA 63 @ 150mA, 2V 180MHz
BZX79-B5V1,133 NXP Semiconductors BZX79-B5V1,133 0,0200
RFQ
 ECAD 139 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 400 MW ALF2 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-BZX79-B5V1,133-954 1 900 mV a 10 mA 2 µA @ 2 V 5.1 v 60 ohms
BZX84J-B62,115 NXP Semiconductors BZX84J-B62,115 0,0300
RFQ
 ECAD 59 0,00000000 Semicondutores nxp Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C. Montagem na Superfície SC-90, SOD-323F 550 MW SOD-323F download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-BZX84J-B62,115-954 1 1,1 V @ 100 Ma 50 Na @ 43,4 V 62 v 140 ohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque

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