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Produtos Semicondutores discretos (1062)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Estrutura Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade TIPO DE FET ATUAL - Hold (ih) (Máx) Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tensão - Estado Off - Off ATUAL - SEM ESTADO (IT (RMS)) (Max) Tensão - Gatilho de Porta (VGT) (MAX) Corrente - Não Rep. Surge 50, 60Hz (ITSM) Corrente - Gatilho de Portão (IGT) (max) ATUAL - SEM ESTADO (IT (AV)) (MAX) Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Número de SCRS, Diodos Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão
PSMN9R5-100PS,127 NXP Semiconductors PSMN9R5-100PS, 127 1.0700
RFQ
 ECAD 42 0,00000000 Semicondutores nxp * Volume Ativo download Não Aplicável Alcançar Não Afetado 2156-PSMN9R5-100PS, 127-954 Ear99 8541.29.0075 280
BSR16/DG/B4215 NXP Semiconductors BSR16/DG/B4215 0,0700
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Semicondutores nxp * Volume Ativo download Fornecedor indefinido Alcançar Não Afetado 2156-BSR16/DG/B4215-954 1
TD570N18KOFHPSA1 NXP Semiconductors TD570N18KOFHPSA1 313.8000
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo 125 ° C (TJ) Montagem do chassi Módlo CONEXÃO EM SÉRIE - TODOS OS SCRS - 2156-TD570N18KOFHPSA1 2 300 mA 1,8 kV 1050 a 2 v 20000a 250 Ma 566 a 2 scrs
PBSS4160PANPSX NXP Semiconductors PBSS4160PANPSX 0,1200
RFQ
 ECAD 15 0,00000000 Semicondutores nxp * Volume Ativo PBSS4160 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-PBSS4160PANPSX-954 Ear99 8541.29.0075 2.423
MMBD4148,215 NXP Semiconductors MMBD4148.215 -
RFQ
 ECAD 6158 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Padrão TO-236AB download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-MMBD4148.215-954 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 75 v 1,25 V @ 150 Ma 4 ns 500 Na @ 75 V 150 ° C (Máximo) 215mA 1.5pf @ 0V, 1MHz
PBSS4230PAN,115 NXP Semiconductors PBSS4230PAN, 115 -
RFQ
 ECAD 3391 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 6-AUDFN PAD EXPOSTO PBSS4230 510MW 6-Huson-EP (2x2) - 0000.00.0000 1 30V 2a 100na (ICBO) - 290MV @ 200Ma, 2A 200 @ 1A, 2V 120MHz
BZX84J-C4V3,115 NXP Semiconductors BZX84J-C4V3,115 -
RFQ
 ECAD 1319 0,00000000 Semicondutores nxp Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Montagem na Superfície SC-90, SOD-323F BZX84J-C4V3 550 MW SOD-323F download 0000.00.0000 1 1,1 V @ 100 Ma 3 µA @ 1 V 4.3 v 90 ohms
BZX79-C27,113 NXP Semiconductors BZX79-C27,113 0,0200
RFQ
 ECAD 520 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 400 MW ALF2 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-BZX79-C27,113-954 Ear99 8541.10.0070 1 900 mV a 10 mA 50 Na @ 18,9 V 27 v 80 ohms
BCX55-10,115 NXP Semiconductors BCX55-10,115 0,0700
RFQ
 ECAD 52 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-243AA 1,25 w SOT-89 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-BCX55-10,115-954 Ear99 8541.29.0095 1 60 v 1 a 100na (ICBO) Npn 500mv @ 50Ma, 500mA 63 @ 150mA, 2V 180MHz
BAS116GWJ NXP Semiconductors Bas116gwj 1.0000
RFQ
 ECAD 6893 0,00000000 Semicondutores nxp Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo Montagem na Superfície SOD-123 Padrão SOD-123 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-BAS116GWJ-954 Ear99 8541.10.0070 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 75 v 1,25 V @ 150 Ma 3 µs 5 Na @ 75 V 150 ° C (Máximo) 215mA 2pf @ 0V, 1MHz
BC53-16PA,115 NXP Semiconductors BC53-16PA, 115 -
RFQ
 ECAD 6134 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 3-Powerudfn 420 MW 3-Huson (2x2) download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-BC53-16PA, 115-954 1 80 v 1 a 100na (ICBO) Pnp 500mv @ 50Ma, 500mA 63 @ 150mA, 2V 145MHz
PHP45NQ10T,127 NXP Semiconductors Php45nq10t, 127 0,9500
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Semicondutores nxp Trenchmos ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB download Não Aplicável Alcançar Não Afetado 2156-PHP45NQ10T, 127-954 341 N-canal 100 v 47a (TC) 10V 25mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 61 nc @ 10 V ± 20V 2600 pf @ 25 V - 150W (TC)
BZX79-C24,113 NXP Semiconductors BZX79-C24,113 0,0200
RFQ
 ECAD 350 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 400 MW ALF2 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-BZX79-C24,113-954 Ear99 8541.10.0070 1 900 mV a 10 mA 50 Na @ 16,8 V 24 v 70 ohms
PSMN6R0-30YLB,115 NXP Semiconductors PSMN6R0-30YLB, 115 -
RFQ
 ECAD 9157 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-100, SOT-669 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) LFPAK56, Power-So8 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-PSMN6R0-30YLB, 115-954 Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 30 v 71a (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 20a, 10V 1.95V @ 1MA 19 NC @ 10 V ± 20V 1088 pf @ 15 V - 58W (TC)
PMV40UN2R NXP Semiconductors PMV40UN2R -
RFQ
 ECAD 2975 0,00000000 Semicondutores nxp * Volume Ativo download Ear99 8541.29.0095 1
PDTA113ET,215 NXP Semiconductors Pdta113et, 215 -
RFQ
 ECAD 8996 0,00000000 Semicondutores nxp * Volume Ativo - Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-PDTA113ET, 215-954 1
PEMB18,115 NXP Semiconductors PEMB18,115 0,0400
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 Semicondutores nxp * Volume Ativo download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-PEMB18,115-954 1
BZV55-C33,115 NXP Semiconductors BZV55-C33,115 0,0200
RFQ
 ECAD 304 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Montagem na Superfície DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 500 MW LLDS; Mínimo download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-BZV55-C33,115-954 1 900 mV a 10 mA 50 Na @ 23,1 V 33 v 80 ohms
1PS70SB40,115 NXP Semiconductors 1PS70SB40,115 0,0300
RFQ
 ECAD 779 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 Schottky SOT-323 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-1PS70SB40,115-954 10.051 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 40 v 1 V @ 40 Ma 10 µA A 40 V 150 ° C (Máximo) 120mA 5pf @ 0V, 1MHz
PBSS5112PAP,115 NXP Semiconductors PBSS5112PAP, 115 0,1400
RFQ
 ECAD 34 0,00000000 Semicondutores nxp * Volume Ativo download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-PBSS5112PAP, 115-954 2.166
BCW32,215 NXP Semiconductors BCW32.215 0,0200
RFQ
 ECAD 204 0,00000000 Semicondutores nxp Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-BCW32,215-954 1 32 v 100 ma 100na (ICBO) Npn 210mv @ 2.5mA, 50mA 200 @ 2MA, 5V 100MHz
BC860B,235 NXP Semiconductors BC860B, 235 0,0200
RFQ
 ECAD 100 0,00000000 Semicondutores nxp Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-BC860B, 235-954 1 45 v 100 ma 15na (ICBO) Pnp 650mv @ 5Ma, 100mA 220 @ 2MA, 5V 100MHz
PSMN6R0-25YLD115 NXP Semiconductors PSMN6R0-25YLD115 0,2200
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Semicondutores nxp * Volume Ativo download Fornecedor indefinido Alcançar Não Afetado 2156-PSMN6R0-25YLD115-954 1.340
BCW72,235 NXP Semiconductors BCW72.235 0,0300
RFQ
 ECAD 130 0,00000000 Semicondutores nxp Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-BCW72,235-954 1 45 v 100 ma 100na (ICBO) Npn 210mv @ 2.5mA, 50mA 200 @ 2MA, 5V 100MHz
BAS70-04W,115 NXP Semiconductors Bas70-04W, 115 -
RFQ
 ECAD 9472 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 Schottky SC-70 - Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-BAS70-04W, 115-954 1 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE 70 v 70mA 1 V @ 15 mA 10 µA A 70 V 150 ° C.
PBSS8110Y,115 NXP Semiconductors PBSS8110Y, 115 -
RFQ
 ECAD 8170 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 625 MW 6-TSSOP download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-PBSS8110Y, 115-954 1 100 v 1 a 100na Npn 200mv @ 100ma, 1a 150 @ 250mA, 10V 100MHz
PMEG3020CEP,115 NXP Semiconductors PMEG3020CEP, 115 0,0900
RFQ
 ECAD 386 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo Montagem na Superfície SOD-128 Schottky SOD-128/CFP5 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-PMEG3020CEP, 115-954 Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 420 mv @ 2 a 1,5 mA a 30 V 150 ° C (Máximo) 2a 170pf @ 1V, 1MHz
BZX79-B56,113 NXP Semiconductors BZX79-B56,113 0,0200
RFQ
 ECAD 24 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 400 MW ALF2 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-BZX79-B56,113-954 1 900 mV a 10 mA 50 Na @ 39,2 V 56 v 200 ohms
PMEG6010ESBYL NXP Semiconductors PMEG6010esbyl 0,0400
RFQ
 ECAD 200 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo Montagem na Superfície 2-xdfn PMEG6010 Schottky DSN1006-2 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-PMEG6010esbyl-954 Ear99 8541.10.0080 8.126 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 60 v 730 mV @ 1 a 2.4 ns 30 µA A 60 V 150 ° C (Máximo) 1a 20pf @ 10V, 1MHz
PMEG045V050EPDZ NXP Semiconductors PMEG045V050EPDZ 0,1700
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Semicondutores nxp Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo Montagem na Superfície TO-277, 3-POWERDFN Schottky CFP15 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-PMEG045V050EPDZ-954 Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 45 v 490 mV @ 5 A 19 ns 300 µA @ 45 V 175 ° C (max) 5a 580pf @ 1V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque

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