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Produtos Semicondutores discretos (1062)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Tensão - Classificada Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tipo de Entrada Freqüência Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Classificação ATUAL (Amplificadorores) Condição de teste ATUAL - TESTE POTÊNCIA - SAÍDA Ganho Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Figura de Ruído Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR CapacitânCia @ VR, F TIPO IGBT Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Coletor Pulsa (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Troca de Energia Carga do Portão TD (Ligado/Desligado) A 25 ° C Tensão - Teste Tipo de diodo Tensão - Pico Reverso (Max) Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base (R1) Resistor - Base de Emissor (R2) Razão de Capacitânncia Condição da Razão de Capacitância Q @ vr, f
BZV55-B2V7,115 NXP Semiconductors BZV55-B2V7,115 -
RFQ
 ECAD 7094 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C. Montagem na Superfície DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 500 MW LLDS; Mínimo download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-BZV55-B2V7,115-954 Ear99 8541.10.0050 1 900 mV a 10 mA 20 µA @ 1 V 2,7 v 100 ohms
BZV55-B24,115 NXP Semiconductors BZV55-B24,115 0,0200
RFQ
 ECAD 227 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C. Montagem na Superfície DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 500 MW LLDS; Mínimo download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-BZV55-B24,115-954 1 900 mV a 10 mA 50 Na @ 16,8 V 24 v 70 ohms
BUK7635-100A,118 NXP Semiconductors BUK7635-100A, 118 0,5700
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK - Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-BUK7635-100A, 118 Ear99 8541.29.0075 1 N-canal 100 v 41a (TA) 10V 35mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA ± 20V 2535 pf @ 25 V - 149W (TA)
A2I25D025NR1 NXP Semiconductors A2I25D025NR1 34.3300
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Obsoleto 65 v TO-270-17 Variante, Pistas Planas 2,1 GHz ~ 2,9 GHz LDMOS TO-270WB-17 - Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-A2I25D025NR1 Ear99 8542.33.0001 9 Dual 10µA 157 MA 3.2w 31.9dB - 28 v
MRF24301HSR5 NXP Semiconductors MRF24301HSR5 89.6400
RFQ
 ECAD 100 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Obsoleto 32 v NI-780S 2,4 GHz ~ 2,5 GHz LDMOS NI-780S - Rohs Não Compatível Alcançar Não Afetado 2156-MRF24301HSR5 Ear99 8541.29.0075 1 - 300W 13.5dB -
BZX79-B8V2113 NXP Semiconductors BZX79-B8V2113 1.0000
RFQ
 ECAD 6688 0,00000000 Semicondutores nxp * Volume Ativo download 0000.00.0000 1
PDTC123EMB,315 NXP Semiconductors PDTC123EMB, 315 -
RFQ
 ECAD 8441 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo Montagem na Superfície 3-xfdfn PDTC123 250 MW DFN1006B-3 download 0000.00.0000 1 50 v 100 ma 1µA Npn - pré -tendencioso 150mv @ 500µA, 10MA 30 @ 20MA, 5V 230 MHz 2.2 Kohms 2.2 Kohms
BZX884-B10315 NXP Semiconductors BZX884-B10315 -
RFQ
 ECAD 6947 0,00000000 Semicondutores nxp * Volume Ativo download 0000.00.0000 1
BZX84J-B56,115 NXP Semiconductors BZX84J-B56,115 -
RFQ
 ECAD 8649 0,00000000 Semicondutores nxp Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C. Montagem na Superfície SC-90, SOD-323F 550 MW SOD-323F download 0000.00.0000 1 1,1 V @ 100 Ma 50 Na @ 39,2 V 56 v 120 ohms
BCW30,215 NXP Semiconductors BCW30.215 -
RFQ
 ECAD 2289 0,00000000 Semicondutores nxp Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23 - 0000.00.0000 1 32 v 100 ma 100na (ICBO) Pnp 150mV a 2,5mA, 50mA 215 @ 2MA, 5V 100MHz
PDTC114EMB,315 NXP Semiconductors PDTC114EMB, 315 -
RFQ
 ECAD 1308 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo Montagem na Superfície SC-101, SOT-883 PDTC114 250 MW DFN1006B-3 download 0000.00.0000 1 50 v 100 ma 1µA Npn - pré -tendencioso 150mv @ 500µA, 10MA 30 @ 5MA, 5V 230 MHz 10 Kohms 10 Kohms
PDTA123EU,115 NXP Semiconductors PDTA123EU, 115 1.0000
RFQ
 ECAD 7226 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 PDTA123 200 MW SOT-323 download 0000.00.0000 1 50 v 100 ma 1µA PNP - Pré -tendencioso 150mv @ 500µA, 10MA 30 @ 20MA, 5V 2.2 Kohms 2.2 Kohms
PEMZ1,115 NXP Semiconductors PEMZ1.115 -
RFQ
 ECAD 9747 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-563, SOT-666 PEMZ1 300mw SOT-666 download 0000.00.0000 1 40V 100mA 100na (ICBO) Npn, pnp 200mv @ 5Ma, 50Ma 120 @ 1MA, 6V 100MHz
NX2301P,215 NXP Semiconductors NX2301P, 215 1.0000
RFQ
 ECAD 2299 0,00000000 Semicondutores nxp Automotivo, AEC-Q101, Trenchmos ™ Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-23 download Ear99 8541.29.0095 1 Canal P. 20 v 2a (ta) 2.5V, 4.5V 120mohm @ 1a, 4.5V 1.1V @ 250µA 6 nc @ 4,5 V ± 8V 380 pf @ 6 V - 400mW (TA), 2,8W (TC)
PMPB15XN,115 NXP Semiconductors Pmpb15xn, 115 -
RFQ
 ECAD 7468 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 6-XFDFN PAD EXPOSTO MOSFET (ÓXIDO DE METAL) DFN1010B-6 - 0000.00.0000 1 N-canal 20 v 7.3a (ta) 1.8V, 4.5V 21mohm @ 7.3a, 4.5V 900MV A 250µA 20,2 nc @ 4,5 V ± 12V 1240 pf @ 10 V - 1.7W (TA), 12,5W (TC)
1N4733A,113 NXP Semiconductors 1N4733A, 113 0,0300
RFQ
 ECAD 214 0,00000000 Semicondutores nxp * Volume Ativo download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-1N4733A, 113-954 Ear99 8541.10.0070 1
BZV85-C36,133 NXP Semiconductors BZV85-C36,133 -
RFQ
 ECAD 3634 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco Do-204al, DO-41, axial BZV85-C36 1.3 w DO-41 download 0000.00.0000 1 1 V @ 50 Ma 50 Na @ 25 V 36 v 50 ohms
BZB784-C11115 NXP Semiconductors BZB784-C11115 -
RFQ
 ECAD 3443 0,00000000 Semicondutores nxp Automotivo, AEC-Q100 Volume Ativo ± 5% - Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 180 MW SOT-323 download Ear99 8541.10.0050 1 1 par ânodo comum 900 mV a 10 mA 100 Na @ 8 V 11 v 20 ohms
PZU6.2BL,315 NXP Semiconductors Pzu6.2bl, 315 -
RFQ
 ECAD 3706 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C. Montagem na Superfície SOD-882 Pzu6.2 250 MW DFN1006-2 download 0000.00.0000 1 1,1 V @ 100 Ma 500 Na @ 3 V 6.2 v 30 ohms
BZB84-B33,215 NXP Semiconductors BZB84-B33.215 -
RFQ
 ECAD 7720 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo ± 2% - Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZB84-B33 300 MW TO-236AB download 0000.00.0000 1 1 par ânodo comum 900 mV a 10 mA 50 Na @ 23,1 V 33 v 80 ohms
BZB84-B3V3,215 NXP Semiconductors BZB84-B3V3,215 -
RFQ
 ECAD 8942 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo ± 2% - Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZB84-B3V3 300 MW TO-236AB download 0000.00.0000 1 1 par ânodo comum 900 mV a 10 mA 5 µA @ 1 V 3,3 v 95 ohms
BZX84-B51,215 NXP Semiconductors BZX84-B51.215 -
RFQ
 ECAD 4054 0,00000000 Semicondutores nxp Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C. Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23 download 0000.00.0000 1 900 mV a 10 mA 50 Na @ 35,7 V 51 v 180 ohms
PMPB43XPE,115 NXP Semiconductors PMPB43XPE, 115 1.0000
RFQ
 ECAD 6272 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 6-AUDFN PAD EXPOSTO PMPB43 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) DFN2020MD-6 download 0000.00.0000 1 Canal P. 20 v 5a (ta) 1.8V, 4.5V 48mohm @ 5a, 4.5V 900MV A 250µA 23,4 NC a 4,5 V ± 12V 1550 pf @ 10 V - 1.7W (TA), 12,5W (TC)
NZX7V5D,133 NXP Semiconductors Nzx7v5d, 133 -
RFQ
 ECAD 5910 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C. Através do buraco Do-204ah, do-35, axial NZX7V5 500 MW ALF2 download Ear99 8541.10.0050 1 1,5 V @ 200 mA 1 µA a 5 V 7,5 v 15 ohms
BLM6G22-30G,118 NXP Semiconductors BLM6G22-30G, 118 -
RFQ
 ECAD 8447 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Obsoleto 65 v Montagem na Superfície SOT-822-1 2,1 GHz ~ 2,2 GHz LDMOS (DUPLO) 16-HSOP - 2156-BLM6G22-30G, 118 1 - 3a, 9a 280 MA 30w 30dB - 28 v
STGWT20V60DF NXP Semiconductors STGWT20V60DF 1.5200
RFQ
 ECAD 600 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-3P-3, SC-65-3 Padrão 167 w TO-3P-3 - 2156-STGWT20V60DF 198 400V, 20A, 15V 40 ns Parada de Campo da Trinceira 600 v 40 a 80 a 2.2V @ 15V, 20A 200µJ (ON), 130µJ (OFF) 116 NC 38NS/149NS
AFT20P060-4NR3 NXP Semiconductors AFT20P060-4NR3 51.9900
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Obsoleto 65 v Montagem na Superfície OM-780-4L 2.17 GHz LDMOS (DUPLO) OM-780-4L - 2156-AFT20P060-4NR3 6 2 n-canal - 450 Ma 60W 18.9dB - 28 v
MD7IC2755NR1 NXP Semiconductors Md7ic2755nr1 114.3900
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Obsoleto 65 v Montagem na Superfície TO-270-14 Variante, Pistas Planas 2,5 GHz ~ 2,7 GHz LDMOS (DUPLO) TO-270 WB-14 - 2156-md7ic2755nr1 3 2 n-canal 10µA 275 MA 10W 25dB - 28 v
BB208-02,135 NXP Semiconductors BB208-02,135 -
RFQ
 ECAD 2082 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-79, SOD-523 SOD-523 - 2156-BB208-02.135 1 5.4pf @ 7.5V, 1MHz Solteiro 10 v 5.2 C1/C7.5 -
BB181,135 NXP Semiconductors BB181,135 -
RFQ
 ECAD 7708 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-79, SOD-523 SOD-523 - 2156-BB181,135 1 1.055pf @ 28V, 1MHz Solteiro 30 v 14 C0.5/C28 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque

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