SIC
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Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça Velocidade TIPO DE FET Ganho Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base (R1) Resistor - Base de Emissor (R2) Figura de Ruído (dB typ @ f)
BZX79-C36,113 NXP Semiconductors BZX79-C36,113 0,0200
RFQ
ECAD 209 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 400 MW ALF2 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-BZX79-C36,113-954 Ear99 8541.10.0070 1 900 mV a 10 mA 50 Na @ 25,2 V 36 v 90 ohms
BZX79-B12143 NXP Semiconductors BZX79-B12143 -
RFQ
ECAD 4369 0,00000000 Semicondutores nxp BZX79 Volume Ativo ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 400 MW ALF2 - Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-BZX79-B12143-954 1 900 mV a 10 mA 100 Na @ 8 V 12 v 25 ohms
1PS79SB31,115 NXP Semiconductors 1PS79SB31,115 -
RFQ
ECAD 5059 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo Montagem na Superfície SC-79, SOD-523 Schottky SOD-523 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-1PS79SB31,115-954 Ear99 8541.10.0070 1 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 30 v 500 mV @ 200 mA 30 µA a 10 V 125 ° C (Máximo) 200Ma 25pf @ 1V, 1MHz
BUK7225-55A,118 NXP Semiconductors Buk7225-55a, 118 0,2700
RFQ
ECAD 9 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) DPAK download Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-BUK7225-55A, 118 Ear99 8541.29.0075 1 N-canal 55 v 43a (TA) 10V 25mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA ± 20V 1310 pf @ 25 V - 94W (TA)
PEMH13,315 NXP Semiconductors PEMH13.315 1.0000
RFQ
ECAD 4656 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo Montagem na Superfície SOT-563, SOT-666 PEMH13 300mw SOT-666 download 0000.00.0000 1 50V 100mA 1µA 2 npn - pré -tendencioso (duplo) 100mv @ 250µA, 5MA 100 @ 10Ma, 5V - 4.7kohms 47kohms
BZB984-C2V4,115 NXP Semiconductors BZB984-C2V4,115 1.0000
RFQ
ECAD 2756 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo ± 5% - Montagem na Superfície SOT-663 BZB984-C2V4 265 MW SOT-663 download 0000.00.0000 1 1 par ânodo comum 900 mV a 10 mA 50 µA @ 1 V 2,4 v 70 ohms
BZX79-C15,133 NXP Semiconductors BZX79-C15,133 0,0200
RFQ
ECAD 244 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 400 MW ALF2 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-BZX79-C15,133-954 1 900 mV a 10 mA 50 Na @ 10,5 V 15 v 30 ohms
BZX585-B20,115 NXP Semiconductors BZX585-B20.115 -
RFQ
ECAD 2164 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C. Montagem na Superfície SC-79, SOD-523 300 MW SOD-523 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-BZX585-B20,115-954 Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 100 Ma 50 Na @ 700 mV 20 v 55 ohms
TDZ3V3J,115 NXP Semiconductors Tdz3v3j, 115 0,0300
RFQ
ECAD 10 0,00000000 Semicondutores nxp Automotive, AEC-Q101, TDZXJ Volume Ativo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C. Montagem na Superfície SC-90, SOD-323F TDZ3V3 500 MW SOD-323F download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-TDZ3V3J, 115-954 Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 100 Ma 5 µA @ 1 V 3,3 v 95 ohms
BFU610F,115 NXP Semiconductors BFU610F, 115 0,2200
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-343F 136MW 4-DFP - 2156-BFU610F, 115 1.391 17db 5.5V 10mA Npn 90 @ 1MA, 2V 15GHz 0,9dB ~ 1,7dB A 1,5 GHz ~ 5,8 GHz
BC847BPN,115 NXP Semiconductors BC847BPN, 115 -
RFQ
ECAD 4290 0,00000000 Semicondutores nxp * Volume Ativo download 0000.00.0000 1
PEMH30,115 NXP Semiconductors PEMH30,115 0,0400
RFQ
ECAD 128 0,00000000 Semicondutores nxp * Volume Ativo download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-PEMH30,115-954 1
BC51-16PA,115 NXP Semiconductors BC51-16PA, 115 1.0000
RFQ
ECAD 2956 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 3-Powerudfn BC51 420 MW 3-Huson (2x2) download 0000.00.0000 1 45 v 1 a 100na (ICBO) Pnp 500mv @ 50Ma, 500mA 63 @ 150mA, 2V 145MHz
PBHV8115TLHR NXP Semiconductors PBHV8115TLHR -
RFQ
ECAD 4414 0,00000000 Semicondutores nxp Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300 MW SOT23-3 (TO-236) - 2156-PBHV8115TLHR 1 150 v 1 a 100na Npn 60mv @ 10ma, 100mA 70 @ 50MA, 10V 30MHz
PDTB143EU115 NXP Semiconductors PDTB143EU115 0,0400
RFQ
ECAD 11 0,00000000 Semicondutores nxp * Volume Ativo download Ear99 8541.21.0075 1
BZX84-C7V5,215 NXP Semiconductors BZX84-C7V5.215 0,0200
RFQ
ECAD 353 0,00000000 Semicondutores nxp Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-BZX84-C7V5.215-954 1 900 mV a 10 mA 1 µA a 5 V 7,5 v 15 ohms
NZX13A,133 NXP Semiconductors NZX13A, 133 0,0200
RFQ
ECAD 88 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C. Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 500 MW ALF2 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-NZX13A, 133-954 1 1,5 V @ 200 mA 100 Na @ 8 V 13 v 35 ohms
PDTC123YMB,315 NXP Semiconductors PDTC123Amb, 315 0,0300
RFQ
ECAD 99 0,00000000 Semicondutores nxp * Volume Ativo PDTC123 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-PDTC123YMB, 315-954 1
PBSS4620PA,115 NXP Semiconductors PBSS4620PA, 115 -
RFQ
ECAD 5876 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 3-Powerudfn 2.1 w 3-Huson (2x2) download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-PBSS4620PA, 115-954 1 20 v 6 a 100na Npn 275mv @ 300ma, 6a 260 @ 2A, 2V 80MHz
BZV90-C13,115 NXP Semiconductors BZV90-C13,115 0,1500
RFQ
ECAD 4 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Montagem na Superfície TO-261-4, TO-261AA 1,5 w SOT-223 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-BZV90-C13,115-954 1 1 V @ 50 Ma 100 Na @ 8 V 13 v 30 ohms
BAS40-07,215 NXP Semiconductors Bas40-07.215 0,0300
RFQ
ECAD 178 0,00000000 Semicondutores nxp * Volume Ativo Bas40 - 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-BAS40-07.215-954 1
BZX79-B9V1,133 NXP Semiconductors BZX79-B9V1,133 1.0000
RFQ
ECAD 9762 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco Do-204ah, do-35, axial BZX79-B9V1 400 MW ALF2 download 0000.00.0000 1 900 mV a 10 mA 500 Na @ 6 V 9.1 v 15 ohms
BC847CM,315 NXP Semiconductors BC847CM, 315 -
RFQ
ECAD 2710 0,00000000 Semicondutores nxp * Volume Ativo - Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-BC847CM, 315-954 1
1N4728A,113 NXP Semiconductors 1N4728A, 113 0,0300
RFQ
ECAD 258 0,00000000 Semicondutores nxp * Volume Ativo download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-1N4728A, 113-954 1
BZX884-C47,315 NXP Semiconductors BZX884-C47,315 0,0200
RFQ
ECAD 28 0,00000000 Semicondutores nxp - Volume Ativo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Montagem na Superfície SOD-882 250 MW DFN1006-2 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-BZX884-C47,315-954 Ear99 8541.10.0070 1 900 mV a 10 mA 50 Na @ 32,9 V 47 v 170 ohms
MRF6VP2600HR5,178 NXP Semiconductors MRF6VP2600HR5.178 -
RFQ
ECAD 3283 0,00000000 Semicondutores nxp * Volume Ativo MRF6VP2600 - download Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido 1 -
BZT52H-B9V1,115 NXP Semiconductors BZT52H-B9V1,115 -
RFQ
ECAD 2099 0,00000000 Semicondutores nxp Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TA) Montagem na Superfície SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 2156-BZT52H-B9V1,115-954 1 900 mV a 10 mA 500 Na @ 6 V 9.1 v 10 ohms
PZU3.0B2A,115 NXP Semiconductors Pzu3.0b2a, 115 -
RFQ
ECAD 1522 0,00000000 Semicondutores nxp Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo ± 2% 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-76, SOD-323 320 MW SOD-323 - Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-PZU3.0B2A, 115-954 1 1,1 V @ 100 Ma 10 µA A 1 V 3 v 95 ohms
PZU12BA,115 NXP Semiconductors Pzu12ba, 115 -
RFQ
ECAD 6428 0,00000000 Semicondutores nxp Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo ± 5% 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-76, SOD-323 320 MW SOD-323 - Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-PZU12BA, 115-954 1 1,1 V @ 100 Ma 100 Na @ 9 V 12 v 10 ohms
PDZ33BGWX NXP Semiconductors PDZ33BGWX -
RFQ
ECAD 8602 0,00000000 Semicondutores nxp Automotivo, AEC-Q101, PDZ-GW Volume Ativo ± 2% 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOD-123 365 MW SOD-123 - Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-PDZ33BGWX-954 1 1,1 V @ 100 Ma 50 Na @ 25 V 33 v 40 ohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque