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Produtos Semicondutores discretos (1062)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | Velocidade | TIPO DE FET | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) | Tipo de transistor | Vce saturação (max) @ ib, ic | Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE | Frequencia - Transmissão |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BZB984-C3V3,115 | 0,0400 |  | 5822 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | - | Montagem na Superfície | SOT-663 | 265 MW | SOT-663 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZB984-C3V3,115-954 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 par ânodo comum | 900 mV a 10 mA | 5 µA @ 1 V | 3,3 v | 85 ohms | |||||||||||||||||||||||||||
 | BZX585-B3V0,115 | - | | 1500 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SC-79, SOD-523 | 300 MW | SOD-523 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX585-B3V0,115-954 | 1 | 1,1 V @ 100 Ma | 10 µA A 1 V | 3 v | 95 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | PZU24B1,115 | 0,0300 | | 59 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SC-90, SOD-323F | 310 MW | SOD-323F | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-PZU24B1,115-954 | 1 | 1,1 V @ 100 Ma | 50 Na @ 19 V | 24 v | 30 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
| PZU20B2.115 | 0,0300 | | 32 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SC-90, SOD-323F | 310 MW | SOD-323F | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-PZU20B2,115-954 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 100 Ma | 50 Na @ 15 V | 20 v | 20 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N4742A, 113 | - | | 1206 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | * | Volume | Ativo | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-1N4742A, 113-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMCM6501VPE/S500Z | 0,1900 | | 4 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | * | Volume | Ativo | download | Fornecedor indefinido | Alcançar Não Afetado | 2156-PMCM6501VPE/S500Z-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZV55-C39,115 | 0,0200 | | 837 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | 500 MW | LLDS; Mínimo | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZV55-C39,115-954 | 0000.00.0000 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 27,3 V | 39 v | 130 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX79-C4V7,113 | 0,0200 | | 262 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | * | Volume | Ativo | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX79-C4V7,113-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tdz8v2j, 115 | 0,0300 | | 28 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotive, AEC-Q101, TDZXJ | Volume | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SC-90, SOD-323F | TDZ8V2 | 500 MW | SOD-323F | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-TDZ8V2J, 115-954 | 10.414 | 1,1 V @ 100 Ma | 700 Na @ 5 V | 8.2 v | 10 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||
 | BC807.215 | 0,0200 | | 497 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | TO-236AB | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BC807.215-954 | 1 | 45 v | 500 MA | 100na (ICBO) | Pnp | 700mv @ 50Ma, 500mA | 100 @ 100mA, 1V | 80MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BSP100,135 | 0,2000 | | 28 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Trenchmos ™ | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-223 | download | Fornecedor indefinido | Alcançar Não Afetado | 2156-BSP100,135-954 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 30 v | 3.2a (ta) | 4.5V, 10V | 100mohm @ 2.2a, 10V | 2.8V @ 1MA | 6 nc @ 10 V | ± 20V | 250 pf @ 20 V | - | 8.3W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| BZX84-A20.215 | 0,1000 | | 127 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 1% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | TO-236AB | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX84-A20.215-954 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 14 V | 20 v | 55 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||
| BZV55-B3V0,115 | 0,0200 | | 86 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | 500 MW | LLDS; Mínimo | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZV55-B3V0,115-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 10 µA A 1 V | 3 v | 95 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMEG045V050EPDAZ | 0,1600 | | 895 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | Schottky | CFP15 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-PMEG045V050EPDAZ-954 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 490 mV @ 5 A | 12 ns | 300 µA @ 45 V | 175 ° C (max) | 5a | 580pf @ 1V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||
 | BC56-10PA, 115 | 0,0600 | | 30 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 3-Powerudfn | 420 MW | 3-Huson (2x2) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BC56-10PA, 115-954 | 1 | 80 v | 1 a | 100na (ICBO) | Npn | 500mv @ 50Ma, 500mA | 63 @ 150mA, 2V | 180MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
 | PMEG4005EGWJ | - | | 1938 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123 | Schottky | SOD-123 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-PMEG4005EGWJ-954 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 470 mV @ 500 mA | 100 µA A 40 V | 150 ° C (Máximo) | 500mA | 43pf @ 1V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
 | 1PS66SB17,115 | 1.0000 | | 1033 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | * | Volume | Ativo | 1PS66 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-1PS66SB17,115-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84J-B16,115 | 0,0300 | | 16 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-90, SOD-323F | 550 MW | SOD-323F | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX84J-B16,115-954 | 10.051 | 1,1 V @ 100 Ma | 50 Na @ 11,2 V | 16 v | 20 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84-B10,215 | 0,0200 | | 1 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | TO-236AB | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX84-B10,215-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 200 Na @ 7 V | 10 v | 20 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX79-C30,143 | 0,0200 | | 165 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX79-C30,143-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 700 mV | 30 v | 80 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Pzu4.3b, 115 | 0,0300 | | 21 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SC-90, SOD-323F | 310 MW | SOD-323F | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-PZU4.3b, 115-954 | 1 | 1,1 V @ 100 Ma | 3 µA @ 1 V | 4.3 v | 90 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | Buk7620-100A, 118 | 0,5700 | | 3 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | Fornecedor indefinido | Alcançar Não Afetado | 2156-BUK7620-100A, 118-954 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 100 v | 63a (TC) | 10V | 20mohm @ 25a, 10V | 4V @ 1MA | ± 20V | 4373 pf @ 25 V | - | 200W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | BZT52H-C68,115 | 0,0200 | | 181 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TA) | Montagem na Superfície | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZT52H-C68,115-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 47,6 V | 68 v | 160 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK7Y59-60EX | - | | 7909 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Trenchmos ™ | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-100, SOT-669 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | LFPAK56, Power-So8 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BUK7Y59-60EX-954 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 60 v | 17a (TC) | 10V | 59mohm @ 5a, 10V | 4V @ 1MA | 7,8 nc @ 10 V | ± 20V | 494 pf @ 25 V | - | 37W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | PSMN070-200P, 127 | 1.1300 | | 8 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Trenchmos ™ | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | Fornecedor indefinido | Alcançar Não Afetado | 2156-PSMN070-200P, 127-954 | 1 | N-canal | 200 v | 35a (TC) | 10V | 70mohm @ 17a, 10V | 4V @ 1MA | 77 nc @ 10 V | ± 20V | 4570 pf @ 25 V | - | 250W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| MRF085HR5178 | 146.7100 | | 100 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | * | Volume | Ativo | download | Fornecedor indefinido | Alcançar Não Afetado | 2156-MRF085HR5178-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX585-B7V5,115 | - | | 9498 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SC-79, SOD-523 | 300 MW | SOD-523 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX585-B7V5,115-954 | 1 | 1,1 V @ 100 Ma | 1 µA a 5 V | 7,5 v | 10 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMPB955EEEA/FX | 0,1200 | | 5 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-AUDFN PAD EXPOSTO | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DFN2020MD-6 | download | Fornecedor indefinido | Alcançar Não Afetado | 2156-PMPB95EEA/FX-954 | 1 | N-canal | 80 v | 4.1a (ta) | 4.5V, 10V | 105mohm @ 2.8a, 10V | 2.7V @ 250µA | 14,9 nc @ 10 V | ± 20V | 504 pf @ 40 V | - | 1.6W (TA) | ||||||||||||||||||||||||
| BZX84-C3V6,215 | 0,0200 | | 554 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | TO-236AB | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BZX84-C3V6,215-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 5 µA @ 1 V | 3,6 v | 90 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Bas35.215 | 0,0400 | | 60 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | * | Volume | Ativo | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-BAS35.215-954 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 |
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