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Produtos semicondutores discretos (6133)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Tensão - Classificada | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Freqüência | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | TIPO DE FET | Classificação ATUAL (Amplificadorores) | ATUAL - TESTE | POTÊNCIA - SAÍDA | Ganho | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Figura de Ruído | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Tensão - Teste | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) | Tipo de transistor | Vce saturação (max) @ ib, ic | Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE | Frequencia - Transmissão | Resistor - Base (R1) | Resistor - Base de Emissor (R2) | Figura de Ruído (dB typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BC547B, 112 | - |  | 1307 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads | BC54 | 500 MW | TO-92-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 45 v | 100 ma | 15na (ICBO) | Npn | 400mv @ 5Ma, 100mA | 200 @ 2MA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | Pdtd113es, 126 | - | | 9705 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads | PDTD113 | 500 MW | TO-92-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 50 v | 500 MA | 500na | Npn - pré -tendencioso | 300mv @ 2.5mA, 50mA | 33 @ 50MA, 5V | 1 Kohms | 1 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK7Y153-100E115 | - | | 1495 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PSMN3R3-80ES, 127 | 1.4700 | | 1 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | I2pak | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 80 v | 120A (TC) | 10V | 3.3mohm @ 25a, 10V | 4V @ 1MA | 139 NC @ 10 V | ± 20V | 9961 pf @ 40 V | - | 338W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | PHB27NQ10T, 118 | - | | 7872 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | PHB27 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PSMN3R2-30YLC, 115 | - | | 9850 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | PSMN3 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1PS70SB85,115 | 0,1000 | | 362 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | 1ps70 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PSMN5R3-25MLDX | 1.0000 | | 5003 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-1210, 8-LFPAK33 (5 FLEDES) | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | LFPAK33 | download | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 25 v | 70A (TC) | 4.5V, 10V | 5.9mohm @ 15a, 10V | 2.2V @ 1Ma | 12,7 nc @ 10 V | ± 20V | 858 pf @ 12 V | Diodo Schottky (Corpo) | 51W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | Buk7105-40aie, 118 | 1.2300 | | 5 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | Buk71 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Buk9515-60E, 127 | - | | 7879 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | Buk95 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 v | 54a (TC) | 5V, 10V | 13mohm @ 15a, 10V | 2.1V @ 1Ma | 20,5 nc @ 5 V | ± 10V | 2651 pf @ 25 V | - | 96W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
| PDTC143XS, 126 | - | | 3635 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads | PDTC143 | 500 MW | TO-92-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 50 v | 100 ma | 1µA | Npn - pré -tendencioso | 100mv @ 500µA, 10ma | 50 @ 10MA, 5V | 4.7 Kohms | 10 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
 | PBSS2515E, 115 | - | | 5287 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-75, SOT-416 | PBSS2 | 250 MW | SC-75 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 15 v | 500 MA | 100na (ICBO) | Npn | 250mv @ 50Ma, 500mA | 150 @ 100mA, 2V | 420MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | A2G35S200-01SR3 | 139.2100 | | 129 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 125 v | Montagem na Superfície | NI-400S-2S | A2G35 | 3,4 GHz ~ 3,6 GHz | Gan Hema | NI-400S-2S | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Disco 3A001B3 | 8541.29.0075 | 250 | - | 291 MA | 180W | 16.1db | - | 48 v | |||||||||||||||||||||||||||||
| BUK7Y22-100E115 | - | | 7119 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BLF7G24LS-140,118 | 68.7500 | | 970 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Ativo | 65 v | SOT-502B | Blf7 | 2,3 GHz ~ 2,4 GHz | LDMOS | SOT502B | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 28a | 1.3 a | 30w | 18.5dB | - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | Pmpb33xn, 115 | 0,0800 | | 141 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-XFDFN PAD EXPOSTO | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DFN1010B-6 | download | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 30 v | 4.3a (ta) | 2.5V, 4.5V | 47mohm @ 4.3a, 4.5V | 1.2V a 250µA | 7,6 nc @ 4,5 V | ± 12V | 505 pf @ 15 V | - | 1,5W (TA), 8,3W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | PZM8.2NB1,115 | - | | 6439 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | PZM8.2 | 300 MW | Smt3; MPAK | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 Ma | 700 Na @ 5 V | 8.2 v | 10 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF7S38010HR3 | - | | 1700 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 v | Montagem do chassi | NI-400-240 | MRF7 | 3,4 GHz ~ 3,6 GHz | LDMOS | NI-400-240 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 160 MA | 2W | 15dB | - | 30 v | |||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX284-C13,115 | - | | 2481 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SOD-110 | BZX284 | 400 MW | SOD-110 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 Ma | 100 Na @ 8 V | 13 v | 10 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAT54J | - | | 5426 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | BAT54 | download | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PRF957,115 | - | | 9538 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-70, SOT-323 | Prf95 | 270mw | SC-70 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | - | 10V | 100mA | Npn | 50 @ 5MA, 6V | 8,5 GHz | 1,3dB ~ 1,8dB @ 1GHz ~ 2GHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF6S21190HR3 | - | | 6484 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 68 v | Montagem do chassi | SOT-957A | MRF6 | 2,11 GHz ~ 2,17 GHz | LDMOS | NI-880H-2L | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 1.6 a | 54W | 16dB | - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||
| PHPT60610PYX | - | | 9450 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Ativo | 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-100, SOT-669 | PHPT60610 | 1,5 w | LFPAK56, Power-So8 | download | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 60 v | 10 a | 100na | Pnp | 470MV @ 1A, 10A | 120 @ 500mA, 2V | 85MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Pumb11.135 | 1.0000 | | 8128 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Pumb11 | 300mw | SOT-363 | download | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 50V | 100mA | 1µA | 2 PNP - Pré -tendencioso (Duplo) | 150mv @ 500µA, 10MA | 30 @ 5MA, 5V | - | 10kohms | 10kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTC114YT, 215 | - | | 6906 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | PDTC11 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BFG310W/XR, 115 | - | | 9291 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-82A, SOT-343 | BFG31 | 60mw | CMPAK-4 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 18dB | 6V | 10mA | Npn | 60 @ 5MA, 3V | 14GHz | 1db @ 2GHz | |||||||||||||||||||||||||||||
| BC817.215 | - | | 9704 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | BC817 | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMBT2222.215 | - | | 2040 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | PMBT2222 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC51-16PASX | 0,0600 | | 2482 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 3-AUDFN PAD EXPOSTO | 420 MW | DFN2020D-3 | download | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 45 v | 1 a | 100na (ICBO) | Pnp | 500mv @ 50Ma, 500mA | 63 @ 150mA, 2V | 145MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTC144EMB315 | 0,0300 | | 72 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | download | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 |
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