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Produtos semicondutores discretos (6133)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Tensão - Classificada | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Freqüência | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Classificação ATUAL (Amplificadorores) | ATUAL - MÁX | ATUAL - Hold (ih) (Máx) | ATUAL - TESTE | POTÊNCIA - SAÍDA | Ganho | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Tipo Triac | Tensão - Estado Off - Off | ATUAL - SEM ESTADO (IT (RMS)) (Max) | Tensão - Gatilho de Porta (VGT) (MAX) | Corrente - Não Rep. Surge 50, 60Hz (ITSM) | Corrente - Gatilho de Portão (IGT) (max) | Figura de Ruído | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | CapacitânCia @ VR, F | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Tensão - Teste | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Max) | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) | Resistência @ se, f | Tipo de transistor | Vce saturação (max) @ ib, ic | Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE | Frequencia - Transmissão | Resistor - Base (R1) | Resistor - Base de Emissor (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PDTB114EUF | - |  | 3279 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SC-70, SOT-323 | PDTB114 | 300 MW | SOT-323 | download | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 v | 500 MA | 500na | Npn - pré -tendencioso | 100mv a 2,5mA, 50mA | 70 @ 50MA, 5V | 140 MHz | 10 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBSS305NZ, 135 | - | | 4669 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | PBSS3 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMBS3906.235 | 0,0200 | | 38 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23 | download | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 40 v | 100 ma | 50na (ICBO) | Pnp | 400mV @ 5MA, 50MA | 100 @ 10Ma, 1V | 150MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PSMN3R5-80PS | - | | 4544 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | download | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK765R3-40E, 118 | - | | 3258 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automotivo, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 40 v | 75a (TC) | 10V | 4.9mohm @ 25a, 10V | 4V @ 1MA | 35,5 nc @ 10 V | ± 20V | 2772 pf @ 25 V | - | 137W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMP5501V, 115 | - | | 6787 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | PMP5 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0075 | 4.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBSS4032PX, 115 | - | | 2920 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | PBSS4 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Pmpb33xn, 115 | 0,0800 | | 141 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-XFDFN PAD EXPOSTO | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DFN1010B-6 | download | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 30 v | 4.3a (ta) | 2.5V, 4.5V | 47mohm @ 4.3a, 4.5V | 1.2V a 250µA | 7,6 nc @ 4,5 V | ± 12V | 505 pf @ 15 V | - | 1,5W (TA), 8,3W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PHB45NQ10T, 118 | - | | 5158 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | PHB45 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NZH22C, 115 | - | | 6433 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | NZH2 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PSMN6R0-30YLB, 115 | 1.0000 | | 8064 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-100, SOT-669 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | LFPAK56, Power-So8 | download | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 30 v | 71a (TC) | 4.5V, 10V | 6.5mohm @ 20a, 10V | 1.95V @ 1MA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 1088 pf @ 15 V | - | 58W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PZU15B3A115 | 1.0000 | | 1726 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | download | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PZU5.1BA115 | 1.0000 | | 3750 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | download | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PEMH17,115 | 0,0400 | | 24 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SOT-563, SOT-666 | PEMH17 | 300mw | SOT-666 | download | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 50V | 100mA | 1µA | 2 npn - pré -tendencioso (duplo) | 150mv @ 500µA, 10MA | 60 @ 5MA, 5V | - | 47kohms | 22kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Z0103MA, 412 | 0,1000 | | 17 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Ativo | 125 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads | TO-92-3 | download | Ear99 | 8541.30.0080 | 2.905 | Solteiro | 7 MA | Lógica - Portão Sensível | 600 v | 1 a | 1,3 v | 8a, 8.5a | 3 MA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBSS5160T, 215 | 0,0600 | | 9141 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | PBSS5 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDTC124ET, 215 | 0,0200 | | 3 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | PDTC12 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMCPB5530X | 1.0000 | | 5685 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | download | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PBSS4230PANP, 115 | 0,1600 | | 21 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-UFDFN PAD EXPOSTO | PBSS4230 | 510MW | 6-Huson (2x2) | download | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.868 | 30V | 2a | 100na (ICBO) | Npn, pnp | 290MV @ 200Ma, 2A | 200 @ 1A, 2V | 120MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PSMN8R040PS127 | - | | 9657 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | N-canal | 40 v | 77a (TA) | 7.6mohm @ 25a, 10V | 4V @ 1MA | 21 NC @ 10 V | ± 20V | 1262 pf @ 12 V | - | 86W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NX7002AK.215 | 1.0000 | | 9268 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | download | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Pumb11.135 | 1.0000 | | 8128 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Pumb11 | 300mw | SOT-363 | download | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 50V | 100mA | 1µA | 2 PNP - Pré -tendencioso (Duplo) | 150mv @ 500µA, 10MA | 30 @ 5MA, 5V | - | 10kohms | 10kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TDZ27J, 115 | 0,0300 | | 5674 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, TDZXJ | Volume | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SC-90, SOD-323F | TDZ27 | 500 MW | SOD-323F | download | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 Ma | 50 Na @ 18,9 V | 27 v | 40 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| A3G26H200W17SR3 | 103.0700 | | 1475 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 125 v | NI-780S-4S2S | 2,496 GHz ~ 2,69 GHz | - | NI-780S-4S2S | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | - | - | 120 MA | 34W | 14.2dB | - | 48 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| A3I25D080GNR1 | 30.4350 | | 8365 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 65 v | Montagem na Superfície | TO-270-17 Variante, Asa de Gaivota | 2,3 GHz ~ 2,69 GHz | LDMOS | TO-270WBG-17 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 568-A3I25D080GNR1TR | Ear99 | 8542.33.0001 | 500 | Dual | 10µA | 175 MA | 8.3w | 29.2dB | - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| A5G35H055NT4 | 22.5600 | | 7758 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF24G300HS-2STG | 900.0000 | | 2 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Ativo | 125 v | Montagem na Superfície | NI-780S-4L | 2,4 GHz ~ 2,5 GHz | Gan | NI-780S-4L | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 568-MRF24G300HS-2STG | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | - | 336W | 15.3dB | - | 48 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLT81 | 0,5000 | | 32 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Obsoleto | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcance como informação de disponição mediana solicitada | 2832-BLT81 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BAP51-05W | 0,3200 | | 108 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | SC-70, SOT-323 | SC-70 | - | ROHS3 Compatível | Fornecedor indefinido | Alcance como informação de disponição mediana solicitada | 2832-BAP51-05W | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 50 MA | 240 MW | 0,35pf @ 5V, 1MHz | Conexão de Série de 1 Par de Pares | 50V | 2.5OHM @ 10MA, 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MHT1807T1 | 0,3200 | | 114 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Não é para desenhos para Novos | - | Não Aplicável | Fornecedor indefinido | Alcance como informação de disponição mediana solicitada | 2832-MHT1807T1 | Ear99 | 1 |
2000+
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