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Produtos semicondutores discretos (6133)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Tensão - Classificada | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Freqüência | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | Velocidade | TIPO DE FET | Classificação ATUAL (Amplificadorores) | ATUAL - TESTE | POTÊNCIA - SAÍDA | Ganho | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Figura de Ruído | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Tensão - Teste | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) | Tipo de transistor | Vce saturação (max) @ ib, ic | Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE | Frequencia - Transmissão | Resistor - Base (R1) | Resistor - Base de Emissor (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BUK7C3R1-80EJ | - |  | 8251 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Montagem na Superfície | TO-263-7, D²PAK (6 leads + guia) | BUK7C3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK-7 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 934067493118 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 80 v | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Buk9E3R7-60E, 127 | - | | 6212 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | Buk9 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | I2pak | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 v | 120A (TC) | 5V, 10V | 3.4mohm @ 25a, 10V | 2.1V @ 1Ma | 95 NC @ 5 V | ± 10V | 13490 pf @ 25 V | - | 293W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTA114Amb, 315 | 0,0300 | | 152 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SC-101, SOT-883 | PDTA114 | 250 MW | DFN1006B-3 | download | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 v | 100 ma | 1µA | PNP - Pré -tendencioso | 100mv @ 250µA, 5MA | 100 @ 5MA, 5V | 180 MHz | 10 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Pzu2.4b, 115 | - | | 5729 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | Pzu2.4 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NZX36X, 133 | 0,0200 | | 48 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | NZX3 | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBSS5140U, 115 | - | | 2134 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | PBSS5 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX585-B68,115 | 0,0400 | | 9 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | BZX585 | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMEG045V100EPD146 | - | | 5503 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK764R2-80E, 118 | - | | 6782 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automotivo, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 80 v | 120A (TC) | 10V | 4.2mohm @ 25a, 10V | 4V @ 1MA | 136 NC @ 10 V | ± 20V | 10426 pf @ 25 V | - | 324W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTC144VE, 115 | - | | 2590 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | SC-75, SOT-416 | PDTC144 | 150 MW | SC-75 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 1µA | Npn - pré -tendencioso | 150mv @ 500µA, 10MA | 40 @ 5MA, 5V | 47 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MMRF1012NR1 | - | | 5258 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 120 v | Montagem na Superfície | TO-270-2 | Mmrf1 | 220MHz | LDMOS | TO-270-2 | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 30 mA | 10W | 23.9dB | - | 50 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PZM8.2NB1,115 | - | | 6439 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | PZM8.2 | 300 MW | Smt3; MPAK | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 Ma | 700 Na @ 5 V | 8.2 v | 10 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX884-C4V3315 | - | | 6967 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | download | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX79-C27,133 | 0,0200 | | 147 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | BZX79 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZV90-C22,115 | - | | 1582 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | BZV90 | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX284-C43,115 | - | | 6012 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SOD-110 | BZX284 | 400 MW | SOD-110 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 Ma | 50 Na @ 30,1 V | 43 v | 80 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX79-C51,113 | - | | 9582 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | BZX79 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLF6G27LS-40P, 112 | 75.6200 | | 40 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Ativo | 65 v | Montagem na Superfície | SOT-1121B | 2,5 GHz ~ 2,7 GHz | LDMOS | LD mais | download | Ear99 | 8541.29.0075 | 4 | Fonte Dupla E Comum | - | 450 Ma | 12w | 17.5dB | - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PHPT60610PY115 | - | | 2238 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | download | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Pdz4.7b/zlf | - | | 2271 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Tape & Reel (TR) | Ativo | PDZ4.7 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 934069111135 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX79-B62,113 | 0,0200 | | 19 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | download | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 43,4 V | 62 v | 215 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK754R0-40C, 127 | 0,4900 | | 989 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automotivo, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 40 v | 100a (ta) | 4mohm @ 25a, 10V | 4V @ 1MA | 97 nc @ 10 V | ± 20V | 5708 PF @ 25 V | - | 203W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX79-C75143 | 0,0200 | | 4739 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | download | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAT86.133 | 0,0800 | | 30 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Ativo | Através do buraco | DO-204AG, DO-34, axial | Schottky | Do-34 | download | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.985 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 50 v | 900 mV @ 100 Ma | 4 ns | 5 µA A 40 V | 125 ° C (Máximo) | 200Ma | 8pf @ 1V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84J-B39115 | - | | 9031 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | download | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRFG35002N6AT1 | - | | 5235 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 8 v | Montagem na Superfície | PLD-1.5 | MRFG35 | 3,55 GHz | phemt fet | PLD-1.5 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | - | 65 mA | 158MW | 10dB | - | 6 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AFT27S012NT1 | 12.8987 | | 1430 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 65 v | Montagem na Superfície | PLD-1.5W | AFT27 | 728MHz ~ 2,7 GHz | LDMOS | PLD-1.5W | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 935347325515 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 10µA | 90 MA | 13w | 20.9dB | - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBSS4021NT/WD215 | - | | 1916 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBSS5140U, 135 | 0,0500 | | 13 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-70, SOT-323 | 350 MW | SOT-323 | download | Ear99 | 8541.21.0075 | 5.793 | 40 v | 1 a | 100na | Pnp | 500mv @ 100ma, 1a | 300 @ 100mA, 5V | 150MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX79-B22.143 | 0,0200 | | 45 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | download | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 15,4 V | 22 v | 55 ohms |
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