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Produtos semicondutores discretos (6133)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Status de alcance | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | ATUAL - Hold (ih) (Máx) | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Tipo Triac | Tensão - Estado Off - Off | ATUAL - SEM ESTADO (IT (RMS)) (Max) | Tensão - Gatilho de Porta (VGT) (MAX) | Corrente - Não Rep. Surge 50, 60Hz (ITSM) | Corrente - Gatilho de Portão (IGT) (max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BZV85-C6V8,113 | 0,0400 |  | 67 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1.3 w | DO-41 | download | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.969 | 1 V @ 50 Ma | 2 µA A 4 V | 6,8 v | 3,5 ohms | ||||||||||||||||||||||||
 | BZV85-C7V5,113 | 0,0400 | | 122 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | BZV85 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84J-C3V9,115 | - | | 4025 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | BZX84 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | BCM61B, 215 | - | | 5875 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | BCM61 | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK9226-75A/C1,118 | 1.0000 | | 4294 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | download | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BUK762R6-60E, 118 | - | | 6607 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automotivo, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 60 v | 120A (TC) | 10V | 2.6mohm @ 25a, 10V | 4V @ 1MA | 140 nc @ 10 V | ± 20V | 10170 pf @ 25 V | - | 324W (TC) | |||||||||||||||||||
| BZX79-C36,133 | 0,0200 | | 7293 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | BZX79 | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2pb709arl, 215 | 0,0200 | | 199 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | 2pb70 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX79-B27,133 | 0,0200 | | 37 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | download | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 18,9 V | 27 v | 80 ohms | ||||||||||||||||||||||||
| BC857.215 | 0,0200 | | 88 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | BC857 | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX79-B7V5133 | - | | 8113 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | download | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZB784-C5V6,115 | 1.0000 | | 2211 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Ativo | ± 5% | - | Montagem na Superfície | SC-70, SOT-323 | 350 MW | SOT-323 | download | 0000.00.0000 | 1 | 1 par ânodo comum | 900 mV a 10 mA | 1 µA @ 2 V | 5,6 v | 40 ohms | ||||||||||||||||||||||||
 | BZB84-C30,215 | 0,0200 | | 59 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Ativo | ± 5% | - | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23 | download | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 par ânodo comum | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 21 V | 30 v | 80 ohms | |||||||||||||||||||||||
| BC848B, 215 | 0,0200 | | 3 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | BC84 | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| BC847W, 115 | - | | 3403 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | BC84 | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX79-B3V6,143 | 0,0200 | | 20 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | download | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV a 10 mA | 5 µA @ 1 V | 3,6 v | 90 ohms | ||||||||||||||||||||||||
| BZX79-C27,143 | 0,0200 | | 194 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | BZX79 | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTA143EU, 115 | - | | 8257 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | PDTA14 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 2PD602AQL, 215 | 0,0300 | | 2210 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | 2pd60 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| BAT721A, 215 | 0,0700 | | 458 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | BAT72 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| BZV55-C20135 | - | | 7644 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | download | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NZX14B, 133 | 0,0200 | | 257 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | NZX1 | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | Buk7237-55a, 118 | 0,3200 | | 21 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | Buk72 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| NZX15A, 133 | - | | 8771 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | NZX1 | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | BT134-600,127 | - | | 1237 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Ativo | 125 ° C (TJ) | Através do buraco | SOT-82 | SOT-82-3 | download | Ear99 | 8541.30.0080 | 272 | Solteiro | 15 MA | Padrão | 600 v | 4 a | 1,5 v | 25a, 27a | 35 Ma | ||||||||||||||||||||||
| Buk7214-75b, 118 | - | | 9154 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | Buk72 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| PDTC143ET235 | - | | 3530 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | download | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84J-C47,115 | 1.0000 | | 9081 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SC-90, SOD-323F | BZX84J-C47 | 550 MW | SOD-323F | download | 0000.00.0000 | 1 | 1,1 V @ 100 Ma | 50 Na @ 32,9 V | 47 v | 90 ohms | ||||||||||||||||||||||||
 | BZX79-C27,133 | 0,0200 | | 147 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | BZX79 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| BA891 | - | | 2033 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | download | 0000.00.0000 | 1 |
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