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Produtos semicondutores discretos (6133)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça Velocidade TIPO DE FET ATUAL - Hold (ih) (Máx) Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tipo Triac Tensão - Estado Off - Off ATUAL - SEM ESTADO (IT (RMS)) (Max) Tensão - Gatilho de Porta (VGT) (MAX) Corrente - Não Rep. Surge 50, 60Hz (ITSM) Corrente - Gatilho de Portão (IGT) (max) Tensão - No Estado (VTM) (Max) ATUAL - SEM ESTADO (IT (AV)) (MAX) ATUAL - Off State (Max) TIPO SCR Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base (R1) Resistor - Base de Emissor (R2)
BT131-600,116 NXP USA Inc. BT131-600,116 0,1200
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 NXP USA Inc. - Volume Ativo 125 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads TO-92-3 download Ear99 8541.30.0080 2.404 Solteiro 5 MA Lógica - Portão Sensível 600 v 1 a 1,5 v 12.5a, 13.8a 3 MA
BZB984-C11,115 NXP USA Inc. BZB984-C11,115 0,0400
RFQ
 ECAD 209 0,00000000 NXP USA Inc. - Volume Ativo ± 5% - Montagem na Superfície SOT-663 265 MW SOT-663 download Ear99 8541.10.0050 1 1 par ânodo comum 900 mV a 10 mA 100 Na @ 8 V 11 v 10 ohms
BTA312X-800B,127 NXP USA Inc. BTA312X-800B, 127 0,5200
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 NXP USA Inc. - Volume Ativo 125 ° C (TJ) Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada TO-220F download Ear99 8541.30.0080 577 Solteiro 60 MA Padrão 800 v 12 a 1,5 v 95A, 105A 50 MA
BZX585-C4V7,115 NXP USA Inc. BZX585-C4V7,115 -
RFQ
 ECAD 5880 0,00000000 NXP USA Inc. * Volume Ativo BZX585 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000
BTA2008-800E,412 NXP USA Inc. BTA2008-800E, 412 0,1600
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 NXP USA Inc. - Volume Ativo 125 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads TO-92-3 download Ear99 8541.30.0080 1.847 Solteiro 12 MA Lógica - Portão Sensível 800 v 800 mA 2 v 9a, 10a 10 MA
BB208-03 NXP USA Inc. BB208-03 1.0000
RFQ
 ECAD 7378 0,00000000 NXP USA Inc. * Volume Ativo download 0000.00.0000 1
BZX585-C11,135 NXP USA Inc. BZX585-C11,135 -
RFQ
 ECAD 2201 0,00000000 NXP USA Inc. - Volume Ativo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Montagem na Superfície SC-79, SOD-523 300 MW SOD-523 download Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 100 Ma 100 µA a 8 V 11 v 10 ohms
PZU7.5B1,115 NXP USA Inc. Pzu7.5b1,115 -
RFQ
 ECAD 5301 0,00000000 NXP USA Inc. * Volume Ativo Pzu7.5 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000
PBLS4001Y,115 NXP USA Inc. PBLS4001Y, 115 0,0700
RFQ
 ECAD 345 0,00000000 NXP USA Inc. * Volume Ativo PBLS40 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000
PSMN057-200P,127 NXP USA Inc. PSMN057-200P, 127 1.4600
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 NXP USA Inc. * Volume Ativo PSMN0 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000
BZX585-C2V7,115 NXP USA Inc. BZX585-C2V7,115 0,0300
RFQ
 ECAD 99 0,00000000 NXP USA Inc. - Volume Ativo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Montagem na Superfície SC-79, SOD-523 300 MW SOD-523 download Ear99 8541.10.0050 10.764 1,1 V @ 100 Ma 20 µA @ 1 V 2,7 v 100 ohms
BYC8DX-600,127 NXP USA Inc. BYC8DX-600,127 0,4100
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 NXP USA Inc. - Volume Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 Padrão TO-220F download Ear99 8541.10.0080 740 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 2,9 V @ 8 A 20 ns 40 µA A 600 V 150 ° C (Máximo) 8a -
NZX12D133 NXP USA Inc. NZX12D133 0,0200
RFQ
 ECAD 8309 0,00000000 NXP USA Inc. * Volume Ativo download Ear99 8541.10.0050 10.840
BUK969R3-100E,118 NXP USA Inc. BUK969R3-100E, 118 1.1100
RFQ
 ECAD 8475 0,00000000 NXP USA Inc. Automotivo, AEC-Q101, Trenchmos ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 100 v 100a (TC) 5V, 10V 8.9mohm @ 25a, 10V 2.1V @ 1Ma 94,3 nc @ 5 V ± 10V 11650 pf @ 25 V - 263W (TC)
BZX384-C2V7,115 NXP USA Inc. BZX384-C2V7,115 0,0200
RFQ
 ECAD 5558 0,00000000 NXP USA Inc. * Volume Ativo BZX384 - ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000
BC53-16PA,115 NXP USA Inc. BC53-16PA, 115 -
RFQ
 ECAD 8453 0,00000000 NXP USA Inc. - Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 3-Powerudfn BC53 420 MW 3-Huson (2x2) download 0000.00.0000 1 80 v 1 a 100na (ICBO) Pnp 500mv @ 50Ma, 500mA 63 @ 150mA, 2V 145MHz
BZX585-B4V3,115 NXP USA Inc. BZX585-B4V3,115 -
RFQ
 ECAD 3051 0,00000000 NXP USA Inc. - Volume Ativo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C. Montagem na Superfície SC-79, SOD-523 300 MW SOD-523 download Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 100 Ma 3 µA @ 1 V 4.3 v 90 ohms
BZX585-C15135 NXP USA Inc. BZX585-C15135 -
RFQ
 ECAD 6479 0,00000000 NXP USA Inc. Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-79, SOD-523 300 MW SOD-523 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 1 1,1 V @ 100 Ma 50 Na @ 10,5 V 15 v 15 ohms
PMEG3005EB115 NXP USA Inc. PMEG3005EB115 -
RFQ
 ECAD 9127 0,00000000 NXP USA Inc. - Volume Ativo Montagem na Superfície SC-79, SOD-523 PMEG3005 Schottky SOD-523 download Ear99 8541.10.0070 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 500 mV @ 500 mA 500 µA A 30 V 150 ° C (Máximo) 500mA 30pf @ 1V, 1MHz
EC103D1,116 NXP USA Inc. EC103D1,116 1.0000
RFQ
 ECAD 3613 0,00000000 NXP USA Inc. - Volume Ativo - Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads TO-92-3 download Ear99 8541.30.0080 1 5 MA 400 v 800 mA 800 mv 8a, 9a 12 µA 1,35 v 500 MA 100 µA Portão sensível
PBSS5250X,115 NXP USA Inc. PBSS5250x, 115 -
RFQ
 ECAD 2155 0,00000000 NXP USA Inc. * Volume Ativo PBSS5 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000
PHD13003C,126 NXP USA Inc. PhD13003C, 126 0,0600
RFQ
 ECAD 22 0,00000000 NXP USA Inc. * Volume Ativo PhD13 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.000
PZU12B,115 NXP USA Inc. Pzu12b, 115 -
RFQ
 ECAD 4309 0,00000000 NXP USA Inc. * Volume Ativo Pzu12 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000
PBRP113ZT,215 NXP USA Inc. PBRP113ZT, 215 0,0400
RFQ
 ECAD 21 0,00000000 NXP USA Inc. - Volume Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PBRP113 250 MW SOT-23 download Ear99 8541.21.0095 8.362 40 v 600 mA 500na PNP - Pré -tendencioso 750mv @ 6Ma, 600mA 230 @ 300MA, 5V 1 Kohms 10 Kohms
BZV55-B43,115 NXP USA Inc. BZV55-B43,115 -
RFQ
 ECAD 8000 0,00000000 NXP USA Inc. * Volume Ativo BZV55 - ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 2.500
2PB709ART,235 NXP USA Inc. 2pb709art, 235 0,0200
RFQ
 ECAD 7556 0,00000000 NXP USA Inc. * Volume Ativo 2pb70 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 10.000
2PB709ART,215 NXP USA Inc. 2pb709art, 215 0,0200
RFQ
 ECAD 366 0,00000000 NXP USA Inc. Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23 download Ear99 8541.21.0095 1 45 v 100 ma 10na (ICBO) Pnp 500mv @ 10ma, 100mA 210 @ 2MA, 10V 70MHz
BZB784-C2V4,115 NXP USA Inc. BZB784-C2V4,115 0,0300
RFQ
 ECAD 23 0,00000000 NXP USA Inc. * Volume Ativo BZB784 - ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000
BF840,215 NXP USA Inc. BF840.215 -
RFQ
 ECAD 1901 0,00000000 NXP USA Inc. * Volume Ativo BF840 - ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 3.000
NZX15B133 NXP USA Inc. NZX15B133 0,0200
RFQ
 ECAD 157 0,00000000 NXP USA Inc. * Volume Ativo download Ear99 8541.10.0050 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque

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