SIC
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Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tensão - Classificada Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Freqüência Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade TIPO DE FET Classificação ATUAL (Amplificadorores) ATUAL - TESTE POTÊNCIA - SAÍDA Ganho Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Figura de Ruído Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Tensão - Teste Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base (R1) Resistor - Base de Emissor (R2) Figura de Ruído (dB typ @ f)
BYV42G-200,127 NXP USA Inc. BYV42G-200.127 -
RFQ
ECAD 4544 0,00000000 NXP USA Inc. - Volume Ativo Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA BYV42 Padrão I2pak (to-262) download Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 200 v 15a 850 mV @ 15 a 28 ns 100 µA A 200 V 150 ° C (Máximo)
PDTC124XK,115 NXP USA Inc. PDTC124XK, 115 -
RFQ
ECAD 6389 0,00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTC124 250 MW Smt3; MPAK download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 100 ma 1µA Npn - pré -tendencioso 150mv @ 500µA, 10MA 80 @ 5MA, 5V 22 Kohms 47 Kohms
2PD601ASW,115 NXP USA Inc. 2pd601asw, 115 0,0200
RFQ
ECAD 704 0,00000000 NXP USA Inc. Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 200 MW SOT-323 download Ear99 8541.21.0075 1 50 v 100 ma 10na (ICBO) Npn 250mv @ 10ma, 100mA 290 @ 2MA, 10V 100MHz
MRFE6S9160HR5 NXP USA Inc. MRFE6S9160HR5 -
RFQ
ECAD 8242 0,00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 66 v Montagem do chassi SOT-957A Mrfe6 880MHz LDMOS NI-780H-2L download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0075 50 - 1.2 a 35W 21dB - 28 v
AFT26H250-24SR6 NXP USA Inc. AFT26H250-24SR6 -
RFQ
ECAD 7111 0,00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 v Montagem do chassi NI-1230-4LS2L AFT26 2,5 GHz LDMOS NI-1230-4LS2L - ROHS3 Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado 935323547128 Ear99 8541.29.0095 150 - 700 MA 50W 14.1db - 28 v
PSMN004-60P,127 NXP USA Inc. PSMN004-60P, 127 -
RFQ
ECAD 7318 0,00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 PSMN0 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 60 v 75a (TC) 3.6mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 168 NC @ 10 V 8300 pf @ 25 V - -
BSH205G2235 NXP USA Inc. BSH205G2235 -
RFQ
ECAD 4171 0,00000000 NXP USA Inc. * Volume Ativo download Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.21.0095 10.000
BZV49-C36,115 NXP USA Inc. BZV49-C36,115 0,1800
RFQ
ECAD 38 0,00000000 NXP USA Inc. * Volume Ativo BZV49 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 1.000
BF240,112 NXP USA Inc. BF240,112 -
RFQ
ECAD 3286 0,00000000 NXP USA Inc. - Volume Obsoleto 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads BF240 300mw TO-92-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 1.000 - 40V 25Ma Npn 67 @ 1MA, 10V 150MHz -
PZU5.6BA115 NXP USA Inc. Pzu5.6ba115 -
RFQ
ECAD 5049 0,00000000 NXP USA Inc. * Volume Ativo download Ear99 8541.10.0050 1
PHP30NQ15T,127 NXP USA Inc. PHP30NQ15T, 127 0,5900
RFQ
ECAD 4 0,00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Volume Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB download Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 150 v 29a (TC) 10V 63mohm @ 15a, 10V 4V @ 1MA 55 nc @ 10 V ± 20V 2390 pf @ 25 V - 150W (TC)
BUK794R1-40BT,127 NXP USA Inc. BUK794R1-40BT, 127 -
RFQ
ECAD 5785 0,00000000 NXP USA Inc. Trenchplus Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-5 Buk79 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-5 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 40 v 75a (TC) 10V 4.1mohm @ 50a, 10V 4V @ 1MA 83 nc @ 10 V ± 20V 6808 pf @ 25 V Diodo de detecção de temperatura 272W (TC)
BFG67,235 NXP USA Inc. BFG67.235 -
RFQ
ECAD 1929 0,00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-253-4, TO-253AA BFG67 380mw SOT-143B download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 933779670235 Ear99 8541.21.0075 10.000 - 10V 50mA Npn 60 @ 15MA, 5V 8GHz 1.3db ~ 3db @ 1GHz ~ 2GHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque