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Produtos semicondutores discretos (6133)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Tensão - Classificada | Temperatura operacional | Aplicações | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Freqüência | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | Velocidade | TIPO DE FET | Classificação ATUAL (Amplificadorores) | ATUAL - TESTE | POTÊNCIA - SAÍDA | Ganho | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Figura de Ruído | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Tensão - Teste | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) | Tipo de transistor | Vce saturação (max) @ ib, ic | Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE | Frequencia - Transmissão | Resistor - Base (R1) | Resistor - Base de Emissor (R2) | Figura de Ruído (dB typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Pdta114ys, 126 | - |  | 7644 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads | PDTA114 | 500 MW | TO-92-3 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 50 v | 100 ma | 1µA | PNP - Pré -tendencioso | 100mv @ 250µA, 5MA | 100 @ 5MA, 5V | 10 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBSS4160K, 115 | - | | 4859 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | PBSS4 | 425 MW | Smt3; MPAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 60 v | 750 Ma | 100na | Npn | 280mv @ 100ma, 1a | 200 @ 500MA, 5V | 220MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX284-C5V1,115 | - | | 5305 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SOD-110 | BZX284 | 400 MW | SOD-110 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 Ma | 2 µA @ 2 V | 5.1 v | 60 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2PC1815Y, 126 | - | | 1198 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads | 2PC18 | 500 MW | TO-92-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 50 v | 150 MA | 100na (ICBO) | Npn | 300mv @ 10ma, 100mA | 120 @ 2MA, 6V | 80MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BFU550XAR | 0,6400 | | 36 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-253-4, TO-253AA | BFU550 | 450mw | SOT-143B | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 21.5dB | 12V | 50mA | Npn | 60 @ 15MA, 8V | 11 GHz | 0,75dB @ 900MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDTC123ES, 126 | - | | 1267 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads | PDTC123 | 500 MW | TO-92-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 50 v | 100 ma | 1µA | Npn - pré -tendencioso | 150mv @ 500µA, 10MA | 30 @ 20MA, 5V | 2.2 Kohms | 2.2 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAV70S135 | 1.0000 | | 6730 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Bav70 | Padrão | 6-TSSOP | download | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 2 par cátodo comum | 100 v | 250mA (DC) | 1,25 V @ 150 Ma | 4 ns | 500 Na @ 80 V | 150 ° C (Máximo) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSP100,135 | 1.0000 | | 2686 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Volume | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-223 | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 30 v | 3.2a (ta) | 4.5V, 10V | 100mohm @ 2.2a, 10V | 2.8V @ 1MA | 6 nc @ 10 V | ± 20V | 250 pf @ 20 V | - | 8.3W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC327.412 | - | | 6867 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads | BC32 | 625 MW | TO-92-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 1.000 | 45 v | 500 MA | 100na (ICBO) | Pnp | 700mv @ 50Ma, 500mA | 100 @ 100mA, 1V | 80MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTC123YMB315 | 0,0200 | | 2063 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | PDTC123 | download | Ear99 | 8541.21.0075 | 4.895 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDTA143XS, 126 | - | | 4528 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads | PDTA143 | 500 MW | TO-92-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 50 v | 100 ma | 1µA | PNP - Pré -tendencioso | 150mv @ 500µA, 10MA | 50 @ 10MA, 5V | 4.7 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMD5001K, 115 | - | | 1210 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 40V | Driver de Portão | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | PMD50 | Smt3; MPAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 3.000 | 100mA | Diodo PNP + Base-Emitter | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Pdta123ye, 115 | - | | 1950 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | SC-75, SOT-416 | PDTA123 | 150 MW | SC-75 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 1µA | PNP - Pré -tendencioso | 150mv @ 500µA, 10MA | 35 @ 5MA, 5V | 2.2 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBSS2515M3145 | 1.0000 | | 6634 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC327.126 | - | | 9029 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads | BC32 | 625 MW | TO-92-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 45 v | 500 MA | 100na (ICBO) | Pnp | 700mv @ 50Ma, 500mA | 100 @ 100mA, 1V | 80MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PhD13003C, 412 | 0,0800 | | 23 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | PhD13 | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 10.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTD113EU135 | 1.0000 | | 6401 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBR941B, 215 | - | | 5671 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | PBR94 | 360mw | SOT-23 (TO-236AB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | - | 10V | 50mA | Npn | 100 @ 5MA, 6V | 9GHz | 1,5dB ~ 2,5dB @ 1GHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MAS11APX-1200,127 | - | | 9400 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | MAS11 | 32 w | TO-220F | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 550 v | 6 a | 1Ma | Npn | 1V @ 400MA, 2A | 20 @ 500mA, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF6S19100HR3 | - | | 3060 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 68 v | Montagem do chassi | SOT-957A | MRF6 | 1,99 GHz | LDMOS | NI-780H-2L | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 935316735128 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 900 MA | 22W | 16.1db | - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BYC10X-600PQ127 | - | | 2105 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PEMD48,115 | - | | 4144 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SOT-563, SOT-666 | PEMD48 | 300mw | SOT-666 | download | 0000.00.0000 | 1 | 50V | 100mA | 1µA | 1 npn, 1 pnp - pré -tendencioso (duplo) | 150MV @ 500µA, 10MA / 100MV @ 250µA, 5MA | 80 @ 5MA, 5V / 100 @ 10Ma, 5V | - | 4.7kohms, 22kohms | 47kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Pdta114yu | 1.0000 | | 4603 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | download | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAV70.215 | - | | 4727 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bav70 | Padrão | SOT-23 | download | 0000.00.0000 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 215mA (DC) | 1,25 V @ 150 Ma | 4 ns | 500 Na @ 80 V | 150 ° C (Máximo) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZB84-C18.215 | 0,0200 | | 3384 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Ativo | ± 5% | - | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23 | download | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 par ânodo comum | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 12,6 V | 18 v | 45 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRFE6S9160HR5 | - | | 8242 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 66 v | Montagem do chassi | SOT-957A | Mrfe6 | 880MHz | LDMOS | NI-780H-2L | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 1.2 a | 35W | 21dB | - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84-C4V3,215 | 0,0200 | | 40 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23 | download | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV a 10 mA | 3 µA @ 1 V | 4.3 v | 90 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PSMN9RO-25YLC115 | 1.0000 | | 5645 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX384-C11 | - | | 1234 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | BZX384 | download | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| A2T09D400-23NR6 | 95.1720 | | 4344 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 70 v | Montagem do chassi | OM-1230-4L2S | A2T09 | 716MHz ~ 960MHz | LDMOS | OM-1230-4L2S | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 935318726528 | Ear99 | 8541.29.0075 | 150 | 10µA | 1.2 a | 400W | 17.8db | - | 28 v |
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