SIC
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Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Tensão - Classificada Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Freqüência Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça Velocidade TIPO DE FET Classificação ATUAL (Amplificadorores) ATUAL - TESTE POTÊNCIA - SAÍDA Ganho Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Figura de Ruído Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção CapacitânCia @ VR, F Tensão - Teste Tipo de diodo Tensão - Pico Reverso (Max) Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT) Razão de Capacitânncia Condição da Razão de Capacitância Q @ vr, f
PZU3.9B2,115 NXP USA Inc. PZU3.9B2.115 -
RFQ
ECAD 6048 0,00000000 NXP USA Inc. * Volume Ativo Pzu3.9 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000
BZB84-C20,215 NXP USA Inc. BZB84-C20.215 0,0200
RFQ
ECAD 29 0,00000000 NXP USA Inc. - Volume Ativo ± 5% - Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300 MW SOT-23 download Ear99 8541.10.0050 1 1 par ânodo comum 900 mV a 10 mA 50 Na @ 14 V 20 v 55 ohms
PSMN3R7-25YLC,115 NXP USA Inc. PSMN3R7-25YLC, 115 -
RFQ
ECAD 7551 0,00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-100, SOT-669 PSMN3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) LFPAK56, Power-So8 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.500 N-canal 25 v 97a (TC) 4.5V, 10V 3.9mohm @ 20a, 10V 1.95V @ 1MA 21,6 nc @ 10 V ± 20V 1585 pf @ 12 V - 64W (TC)
PZU2.7B1A115 NXP USA Inc. PZU2.7B1A115 0,0200
RFQ
ECAD 4989 0,00000000 NXP USA Inc. * Volume Ativo download Ear99 8541.10.0050 8.950
BZB784-C9V1,115 NXP USA Inc. BZB784-C9V1,115 0,0300
RFQ
ECAD 11 0,00000000 NXP USA Inc. * Volume Ativo BZB784 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000
PSMN017-30BL118 NXP USA Inc. PSMN017-30BL118 -
RFQ
ECAD 9646 0,00000000 NXP USA Inc. * Volume Ativo download Ear99 8541.29.0095 1
PSMN2R7-30BL,118 NXP USA Inc. PSMN2R7-30BL, 118 0,7500
RFQ
ECAD 1 0,00000000 NXP USA Inc. - Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download Ear99 8541.29.0095 436 N-canal 30 v 100a (TC) 4.5V, 10V 3mohm @ 25a, 10V 2.15V @ 1Ma 66 nc @ 10 V ± 20V 3954 PF @ 15 V - 170W (TC)
BFR505215 NXP USA Inc. BFR505215 0,1600
RFQ
ECAD 14 0,00000000 NXP USA Inc. * Volume Ativo download Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.21.0075 3.000
PDZ36B,115 NXP USA Inc. PDZ36B, 115 -
RFQ
ECAD 9479 0,00000000 NXP USA Inc. * Volume Ativo PDZ36 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000
BZX84-B22,215 NXP USA Inc. BZX84-B22.215 0,0200
RFQ
ECAD 154 0,00000000 NXP USA Inc. * Volume Ativo BZX84 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000
PZU15BL,315 NXP USA Inc. Pzu15bl, 315 1.0000
RFQ
ECAD 7780 0,00000000 NXP USA Inc. - Volume Ativo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C. Montagem na Superfície SOD-882 250 MW DFN1006-2 download Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 100 Ma 50 Na @ 11 V 15 v 15 ohms
BAT54C/6215 NXP USA Inc. BAT54C/6215 0,0300
RFQ
ECAD 33 0,00000000 NXP USA Inc. Automotivo, AEC-Q101, BAT54 Volume Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAT54 Schottky SOT-23-3 download Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 1 par cátodo comum 30 v 200Ma (DC) 800 mV @ 100 Ma 5 ns 2 µA A 25 V 150 ° C (Máximo)
MRF6S21100HR5 NXP USA Inc. MRF6S21100HR5 -
RFQ
ECAD 6555 0,00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 68 v Montagem do chassi SOT-957A MRF6 2,11 GHz ~ 2,17 GHz LDMOS NI-780H-2L download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0075 50 - 950 MA 23W 15.9dB - 28 v
PZU7.5B2,115 NXP USA Inc. Pzu7.5b2,115 0,0400
RFQ
ECAD 7238 0,00000000 NXP USA Inc. * Volume Ativo Pzu7.5 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000
PSMN041-80YL115 NXP USA Inc. PSMN041-80YL115 1.0000
RFQ
ECAD 3638 0,00000000 NXP USA Inc. * Volume Ativo download 0000.00.0000 1
BUK6510-75C,127 NXP USA Inc. Buk6510-75C, 127 -
RFQ
ECAD 4920 0,00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 Buk65 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 75 v 77a (TC) 4.5V, 10V 10.4mohm @ 25a, 10V 2.8V @ 1MA 81 nc @ 10 V ± 16V 5251 pf @ 25 V - 158W (TC)
BUK954R4-40B127 NXP USA Inc. BUK954R4-40B127 0,7200
RFQ
ECAD 2 0,00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB download Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1 N-canal 40 v 75a (TC) 4.5V, 10V 4mohm @ 25a, 10V 2V @ 1MA 64 NC @ 5 V ± 15V 7124 pf @ 25 V - 254W (TC)
BA891 NXP USA Inc. BA891 -
RFQ
ECAD 2033 0,00000000 NXP USA Inc. * Volume Ativo download 0000.00.0000 1
A2T21S260-12SR3 NXP USA Inc. A2T21S260-12SR3 -
RFQ
ECAD 5725 0,00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 v Montagem do chassi NI-780-2S2L A2T21 2.17 GHz LDMOS NI-780-2S2L download ROHS3 Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado 935320716128 Ear99 8541.29.0075 250 - 1.2 a 65W 18.7db - 28 v
PHP96NQ03LT,127 NXP USA Inc. Php96nq03lt, 127 -
RFQ
ECAD 8301 0,00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 Php96 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 25 v 75a (TC) 5V, 10V 4.95MOHM @ 25A, 10V 2V @ 1MA 26,7 nc @ 5 V ± 20V 2200 pf @ 25 V - 115W (TC)
BB200,215 NXP USA Inc. BB200,215 -
RFQ
ECAD 9483 0,00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 85 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BB20 SOT-23 (TO-236AB) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 14.8pf @ 4.5V, 1MHz 1 par cátodo comum 18 v 5 C1/C5 -
PZM2.7NB2A,115 NXP USA Inc. Pzm2.7nb2a, 115 -
RFQ
ECAD 5902 0,00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% - Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PZM2.7 220 MW Smt3; MPAK - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000 1,1 V @ 100 Ma 20 µA @ 1 V 2,7 v 100 ohms
PMPB40SNA115 NXP USA Inc. PMPB40SNA115 0,3200
RFQ
ECAD 1 0,00000000 NXP USA Inc. - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 6-AUDFN PAD EXPOSTO MOSFET (ÓXIDO DE METAL) DFN2020MD-6 download Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 60 v 12.9a (TC) 4.5V, 10V 43mohm @ 4.8a, 10V 3V A 250µA 24 nc @ 10 V ± 20V 612 pf @ 30 V - 1.7W (TA), 12,5W (TC)
PHP174NQ04LT,127 NXP USA Inc. PHP174NQ04LT, 127 -
RFQ
ECAD 2807 0,00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 Php17 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 40 v 75a (TC) 4.5V, 10V 4mohm @ 25a, 10V 2V @ 1MA 64 NC @ 5 V ± 15V 5345 pf @ 25 V - 250W (TC)
BUK9C1R3-40EJ NXP USA Inc. BUK9C1R3-40EJ -
RFQ
ECAD 8643 0,00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Ativo - Montagem na Superfície TO-263-7, D²PAK (6 leads + guia) BUK9C1 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK-7 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 934067866118 Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 40 v 190a (TC) 1.3mohm @ 90a, 5V - - -
BZX284-C9V1,115 NXP USA Inc. BZX284-C9V1,115 -
RFQ
ECAD 1608 0,00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Montagem na Superfície SOD-110 BZX284 400 MW SOD-110 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000 1,1 V @ 100 Ma 500 Na @ 6 V 9.1 v 10 ohms
BF1102,115 NXP USA Inc. BF1102,115 -
RFQ
ECAD 7660 0,00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 7 v Montagem na Superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BF110 800MHz MOSFET 6-TSSOP download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Canal Portão Duplo 40mA 15 MA - - 2dB 5 v
PDTC115TT,215 NXP USA Inc. PDTC115TT, 215 -
RFQ
ECAD 2045 0,00000000 NXP USA Inc. * Volume Ativo PDTC11 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 3.000
BZV55-B15,115 NXP USA Inc. BZV55-B15,115 -
RFQ
ECAD 8767 0,00000000 NXP USA Inc. * Volume Ativo BZV55 - ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 2.500
PHB21N06LT,118 NXP USA Inc. PHB21N06LT, 118 0,3700
RFQ
ECAD 978 0,00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D2PAK download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0075 1 N-canal 55 v 19a (TC) 5V, 10V 70mohm @ 10a, 10V 2V @ 1MA 9,4 nc @ 5 V ± 15V 650 pf @ 25 V - 56W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque