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Produtos semicondutores discretos (6133)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Status de alcance | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | TIPO DE FET | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) | Tipo de transistor | Vce saturação (max) @ ib, ic | Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE | Frequencia - Transmissão | Resistor - Base (R1) | Resistor - Base de Emissor (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Pumx2,115 | 0,0200 |  | 4970 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Pumx2 | 300mw | SOT-363 | download | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50V | 150mA | 100na (ICBO) | 2 NPN (DUPLO) | 250mv @ 5Ma, 50Ma | 120 @ 1MA, 6V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | Pmpb33xp, 115 | 0,0900 | | 31 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-XFDFN PAD EXPOSTO | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DFN1010B-6 | download | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.206 | Canal P. | 20 v | 5.5a (ta) | 1.8V, 4.5V | 37mohm @ 5.5a, 4.5V | 900MV A 250µA | 23 NC @ 4,5 V | ± 12V | 1575 pf @ 10 V | - | 1.7W (TA), 12,5W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | PZU13B3,115 | - | | 8242 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | Pzu13 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMZ250UN, 315 | 0,1900 | | 83 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | PMZ25 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 10.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PEMB30,115 | 0,0400 | | 12 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | PEMB3 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PZU5.6b3,115 | 0,0400 | | 35 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | Pzu5.6 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PEMD13,115 | 0,0700 | | 6 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | PEMD1 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0075 | 4.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTB123YT, 215 | 0,0300 | | 81 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | PDTB12 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Pzu6.8b, 115 | 0,0300 | | 14 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | Pzu6.8 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PEMD20,115 | 0,0600 | | 9180 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SOT-563, SOT-666 | PEMD20 | 300mw | SOT-666 | download | Ear99 | 8541.21.0095 | 411 | 50V | 100mA | 1µA | 1 npn, 1 pnp - pré -tendencioso (duplo) | 150mv @ 500µA, 10MA | 30 @ 20MA, 5V | - | 2.2kohms | 2.2kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
 | NZX14A, 133 | 0,0200 | | 33 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 500 MW | ALF2 | download | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 mA | 50 Na @ 9,8 V | 14 v | 35 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NZX15X, 133 | 0,0200 | | 79 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | NZX1 | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBSS8110X, 135 | - | | 3741 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | PBSS8 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTC144VT215 | - | | 7005 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | download | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTA144TMB, 315 | 0,0200 | | 169 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SC-101, SOT-883 | PDTA144 | 250 MW | DFN1006B-3 | download | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 v | 100 ma | 1µA | PNP - Pré -tendencioso | 150mv @ 500µA, 10MA | 100 @ 1MA, 5V | 180 MHz | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
| NZX8V2D, 133 | 0,0200 | | 15 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | NZX8 | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RB751V40,115 | 0,0200 | | 5386 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SC-76, SOD-323 | RB751 | Schottky | SOD-323 | download | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 40 v | 370 mV @ 1 Ma | 500 Na @ 30 V | 150 ° C (Máximo) | 120mA | 2pf @ 1V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | PZU16BL315 | 0,0300 | | 139 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | PZU16 | download | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTA114YU/L115 | 0,0200 | | 3333 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | download | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PZU9.1B2A115 | - | | 6177 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | download | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Pzu9.1b3 | - | | 4131 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | download | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDTA143TM, 315 | 0,0300 | | 159 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | PDTA14 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NX7002BKS115 | 0,0300 | | 18 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | download | Ear99 | 8541.21.0095 | 9.158 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDTA124TMB, 315 | 0,0200 | | 168 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SC-101, SOT-883 | PDTA124 | 250 MW | DFN1006B-3 | download | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 v | 100 ma | 1µA | PNP - Pré -tendencioso | 150mv @ 500µA, 10MA | 100 @ 1MA, 5V | 180 MHz | 22 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
 | NXPS20H100CX, 127 | 0,2800 | | 162 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | Schottky | TO-220F | download | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 10a | 770 mV @ 10 a | 4,5 mA a 100 V | 175 ° C (max) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBSS4021pz, 115 | 0,2200 | | 17 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | PBSS4 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Pumb14,115 | 0,0300 | | 84 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Pumb14 | 300mw | SOT-363 | download | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 50V | 100mA | 1µA | 2 PNP - Pré -tendencioso (Duplo) | 150mv @ 500µA, 10MA | 100 @ 1MA, 5V | - | 47kohms | - | ||||||||||||||||||||||||||||
| PBSS4220V, 115 | 0,0500 | | 42 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-563, SOT-666 | 900 MW | SOT-666 | download | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 20 v | 2 a | 100na | Npn | 350mv @ 200Ma, 2a | 200 @ 1A, 2V | 210MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | Pumh9,115 | - | | 3479 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | Pumh9 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PBLS1504Y, 115 | - | | 2927 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | PBLS15 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 |
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