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Produtos semicondutores discretos (6133)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Tensão - Classificada | Temperatura operacional | Aplicações | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Freqüência | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Status de alcance | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | Velocidade | TIPO DE FET | Classificação ATUAL (Amplificadorores) | ATUAL - Hold (ih) (Máx) | ATUAL - TESTE | POTÊNCIA - SAÍDA | Ganho | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Tipo Triac | Tensão - Estado Off - Off | ATUAL - SEM ESTADO (IT (RMS)) (Max) | Tensão - Gatilho de Porta (VGT) (MAX) | Corrente - Não Rep. Surge 50, 60Hz (ITSM) | Corrente - Gatilho de Portão (IGT) (max) | Figura de Ruído | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Tensão - Teste | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) | Tipo de transistor | Vce saturação (max) @ ib, ic | Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE | Frequencia - Transmissão |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BZT52-B5V6X | - |  | 2480 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 1,96% | -55 ° C ~ 150 ° C (TA) | Montagem na Superfície | SOD-123 | BZT52 | 590 MW | SOD-123 | download | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV a 10 mA | 1 µA @ 2 V | 5,6 v | 40 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK7Y9R9-80EX | 1.0000 | | 7555 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-100, SOT-669 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | LFPAK56, Power-So8 | download | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 80 v | 89a (TC) | 10V | 98mohm @ 5a, 10V | 4V @ 1MA | 51,6 nc @ 10 V | ± 20V | 498 pf @ 25 V | - | 195W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Bas16h, 115 | 0,0200 | | 266 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, BAS16 | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123F | Bas16 | Padrão | SOD-123F | download | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,25 V @ 150 Ma | 4 ns | 500 Na @ 80 V | 150 ° C (Máximo) | 215mA | 1.5pf @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX79-C7V5,113 | 0,0200 | | 458 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | BZX79 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAT54W135 | 1.0000 | | 3638 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SC-70, SOT-323 | BAT54 | Schottky | SOT-323 | download | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 30 v | 800 mV @ 100 Ma | 5 ns | 2 µA A 25 V | 150 ° C (Máximo) | 200Ma | 10pf @ 1V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZB84-B68.215 | - | | 4488 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | BZB84 | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZV55-C22.135 | 0,0200 | | 164 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | BZV55 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAV23.215 | 0,0400 | | 1 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | BAV2 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZB84-C6V8.215 | 0,0200 | | 3639 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Ativo | ± 5% | - | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23 | download | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.900 | 1 par ânodo comum | 900 mV a 10 mA | 2 µA A 4 V | 6,8 v | 15 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84J-B3V9,115 | 0,0300 | | 1062 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SC-90, SOD-323F | 550 MW | SOD-323F | download | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 100 Ma | 3 µA @ 1 V | 3,9 v | 90 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX79-C24,133 | 0,0200 | | 126 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | BZX79 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK762R7-30B118 | 0,8500 | | 2 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | download | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Buk9675-100A118 | - | | 5338 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | download | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BTA208-600F, 127 | 0,3700 | | 1 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | BTA20 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.30.0080 | 1.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BF824235 | - | | 8649 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | download | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZB84-B6V2.215 | - | | 8448 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | BZB84 | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZB84-C3V6,215 | 0,0200 | | 5682 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Ativo | ± 5% | - | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23 | download | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.278 | 1 par ânodo comum | 900 mV a 10 mA | 5 µA @ 1 V | 3,6 v | 90 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZV85-C15,133 | - | | 9859 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | BZV85 | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZV85-C30,133 | 0,0400 | | 118 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | BZV85 | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLF578XR, 112 | 384.5800 | | 24 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Ativo | 110 v | Montagem do chassi | SOT-539A | 225MHz | LDMOS | SOT539A | download | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | Fonte Dupla E Comum | - | 40 MA | 1400W | 23.5dB | - | 50 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BCV62.235 | 0,0800 | | 38 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Ativo | 30V | Espelho atual | Montagem na Superfície | TO-253-4, TO-253AA | BCV62 | SOT-143B | download | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 100mA | 2 Espelhho de Corrente PNP (DUPLO) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BTA2008W-600D, 135 | 0,1800 | | 15 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Ativo | 125 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-261-4, TO-261AA | SOT-223 | download | Ear99 | 8541.30.0080 | 1.708 | Solteiro | 10 MA | Lógica - Portão Sensível | 600 v | 800 mA | 2 v | 9a, 9.9a | 5 MA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAT54S, 215 | - | | 3887 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | BAT54 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC817-16W, 115 | 0,0200 | | 51 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-70, SOT-323 | BC817 | 200 MW | SOT-323 | download | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 45 v | 500 MA | 100na (ICBO) | Npn | 700mv @ 50Ma, 500mA | 100 @ 100mA, 1V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC817-25.235 | - | | 3935 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | BC817 | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX585-B3V3,135 | - | | 9983 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | BZX585 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZT52H-C7V5,115 | - | | 6217 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | BZT52 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1PS79SB31,115 | - | | 2474 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SC-79, SOD-523 | Schottky | SOD-523 | download | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 30 v | 500 mV @ 200 mA | 30 µA a 10 V | 125 ° C (Máximo) | 200Ma | 25pf @ 1V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NZX30A, 133 | - | | 7476 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | NZX3 | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX79-B24133 | - | | 6037 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | download | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 |
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