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Produtos semicondutores discretos (6133)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Status de alcance | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | Velocidade | TIPO DE FET | ATUAL - Hold (ih) (Máx) | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Tipo Triac | Tensão - Estado Off - Off | ATUAL - SEM ESTADO (IT (RMS)) (Max) | Tensão - Gatilho de Porta (VGT) (MAX) | Corrente - Não Rep. Surge 50, 60Hz (ITSM) | Corrente - Gatilho de Portão (IGT) (max) | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) | Tipo de transistor | Vce saturação (max) @ ib, ic | Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE | Frequencia - Transmissão |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BC856B, 235 | 0,0200 |  | 26 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC856 | 250 MW | SOT-23 | download | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 65 v | 100 ma | 15na (ICBO) | Pnp | 650mv @ 5Ma, 100mA | 220 @ 2MA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZB84-C36.215 | 1.0000 | | 3141 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Ativo | ± 5% | - | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23 | download | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 par ânodo comum | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 25,2 V | 36 v | 90 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZV85-C33,133 | 0,0400 | | 58 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Ativo | ± 5% | 200 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1 w | DO-41 | download | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.969 | 1 V @ 50 Ma | 50 Na @ 23 V | 33 v | 45 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAV70QA147 | 0,0300 | | 185 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | 3-XDFN PAD EXPOSTO | Bav70 | Padrão | DFN1010D-3 | download | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 1 par cátodo comum | 100 v | 175mA (DC) | 1,25 V @ 150 Ma | 4 ns | 500 Na @ 80 V | 150 ° C (Máximo) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK7K89-100EX | 1.0000 | | 3505 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-1205, 8-LFPAK56 | Buk7K89 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 38W | LFPAK56D | download | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canal n (Duplo) | 100V | 13a | 82.5mohm @ 5a, 10V | 4V @ 1MA | 13.6NC @ 10V | 811pf @ 25V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTC124XU, 115 | 0,0200 | | 1735 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | PDTC12 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBSS5320X, 135 | 0,0700 | | 310 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | PBSS5 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NZX3V9C133 | 0,0200 | | 4453 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | download | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.484 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BTA2008-600E, 412 | 0,1600 | | 6 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Ativo | 125 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads | TO-92-3 | download | Ear99 | 8541.30.0080 | 1.697 | Solteiro | 12 MA | Lógica - Portão Sensível | 600 v | 800 mA | 2 v | 9a, 10a | 10 MA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMPB15XP, 115 | - | | 4830 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-AUDFN PAD EXPOSTO | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DFN2020MD-6 | download | Ear99 | 8541.29.0095 | 280 | Canal P. | 12 v | 8.2a (ta) | 1.8V, 4.5V | 19mohm @ 8.2a, 4.5V | 900MV A 250µA | 100 NC a 4,5 V | ± 12V | 2875 pf @ 6 V | - | 1.7W (TA), 12,5W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX884-C24.315 | 0,0300 | | 107 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | BZX884 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NZX4V3C, 133 | 0,0200 | | 76 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | NZX4 | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK964R2-80E118 | - | | 6283 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | download | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BTA208-600E, 127 | 0,3400 | | 1 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Ativo | 125 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | TO-220AB | download | Ear99 | 8541.30.0080 | 760 | Solteiro | 25 MA | Lógica - Portão Sensível | 600 v | 8 a | 1,5 v | 65a, 72a | 10 MA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX79-B4V7143 | - | | 3192 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | download | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZB84-B62.215 | 0,0300 | | 35 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Ativo | ± 2% | - | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23 | download | Ear99 | 8541.10.0050 | 11.823 | 1 par ânodo comum | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 43,4 V | 62 v | 215 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84-C62.215 | 0,0200 | | 144 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | BZX84 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZB84-C43,215 | 0,0200 | | 8006 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | BZB84 | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC857AQAZ | 0,0300 | | 162 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 3-XDFN PAD EXPOSTO | BC857 | 280 MW | DFN1010D-3 | download | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 45 v | 100 ma | 15na (ICBO) | Pnp | 400mv @ 5Ma, 100mA | 125 @ 2MA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2PC4081R | - | | 2701 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | download | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZV55-C5V1,135 | 0,0200 | | 110 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | BZV55 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTA123TU, 115 | 0,0200 | | 24 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | PDTA12 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BTA316X-600E, 127 | 0,4200 | | 1 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Ativo | 125 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | TO-220F | download | Ear99 | 8541.30.0080 | 577 | Solteiro | 15 MA | Lógica - Portão Sensível | 600 v | 16 a | 1,5 v | 140A, 150A | 10 MA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N7002BK, 215 | - | | 4606 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automotivo, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Volume | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 2N7002 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23 | download | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | N-canal | 60 v | 350mA (TA) | 10V | 1.6ohm @ 500mA, 10V | 2.1V @ 250µA | 0,6 nc @ 4,5 V | ± 20V | 50 pf @ 10 V | - | 370MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDTA144ET, 215 | - | | 3808 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | PDTA14 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BYV29FX-600,127 | 0,4100 | | 1 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Ativo | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2 | Padrão | TO-220F | download | Ear99 | 8541.10.0080 | 727 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,9 V @ 8 A | 35 ns | 50 µA A 600 V | 150 ° C (Máximo) | 9a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Pzu2.7b1,115 | 0,0400 | | 44 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | Pzu2.7 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PZU18B2L315 | 0,0300 | | 70 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | download | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.764 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC846.215 | 0,0200 | | 2 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23 | download | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 65 v | 100 ma | 15na (ICBO) | Npn | 400mv @ 5Ma, 100mA | 110 @ 2MA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBSS5330X, 135 | 1.0000 | | 9808 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-243AA | 1.6 w | SOT-89 | download | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 30 v | 3 a | 100na (ICBO) | Pnp | 320mv @ 300ma, 3a | 175 @ 1A, 2V | 100MHz |
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