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Produtos semicondutores discretos (6133)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | Velocidade | TIPO DE FET | ATUAL - Hold (ih) (Máx) | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Tipo Triac | Tensão - Estado Off - Off | ATUAL - SEM ESTADO (IT (RMS)) (Max) | Tensão - Gatilho de Porta (VGT) (MAX) | Corrente - Não Rep. Surge 50, 60Hz (ITSM) | Corrente - Gatilho de Portão (IGT) (max) | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) | Tipo de transistor | Vce saturação (max) @ ib, ic | Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE | Frequencia - Transmissão | Resistor - Base (R1) | Resistor - Base de Emissor (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BCX51,115 | 0,0700 |  | 45 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-243AA | 1.3 w | SOT-89 | download | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.133 | 45 v | 1 a | 100na (ICBO) | Pnp | 500mv @ 50Ma, 500mA | 63 @ 150mA, 2V | 145MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX585-C10,115 | - | | 1491 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SC-79, SOD-523 | 300 MW | SOD-523 | download | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 100 Ma | 200 Na @ 7 V | 10 v | 10 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZB84-B6V8.215 | - | | 2986 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Ativo | ± 2% | - | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23 | download | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 par ânodo comum | 900 mV a 10 mA | 2 µA A 4 V | 6,8 v | 15 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTA144WMB, 315 | 0,0200 | | 149 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SC-101, SOT-883 | PDTA144 | 250 MW | DFN1006B-3 | download | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 v | 100 ma | 1µA | PNP - Pré -tendencioso | 150mv @ 500µA, 10MA | 60 @ 5MA, 5V | 180 MHz | 47 Kohms | 22 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBSS303px, 115 | - | | 6145 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | PBSS3 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMEG2005EPK, 315 | 0,0500 | | 11 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | 2-xdfn | Schottky | DFN1608D-2 | download | Ear99 | 8541.10.0070 | 6.086 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 410 mV @ 500 mA | 3 ns | 130 µA A 10 V | 150 ° C (Máximo) | 500mA | 35pf @ 1V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Pumd2125 | 1.0000 | | 6250 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | download | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMLL4148L, 115 | 0,0200 | | 2 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | Pmll4 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 2.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZB84-C43,215 | 0,0200 | | 8006 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | BZB84 | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC857AQAZ | 0,0300 | | 162 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 3-XDFN PAD EXPOSTO | BC857 | 280 MW | DFN1010D-3 | download | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 45 v | 100 ma | 15na (ICBO) | Pnp | 400mv @ 5Ma, 100mA | 125 @ 2MA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2PC4081R | - | | 2701 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | download | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZV55-C5V1,135 | 0,0200 | | 110 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | BZV55 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Buk7611-55a, 118 | 0,5700 | | 6 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automotivo, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | Ear99 | 8541.29.0095 | 523 | N-canal | 55 v | 75a (TC) | 10V | 11mohm @ 25a, 10V | 4V @ 1MA | ± 20V | 3093 pf @ 25 V | - | 166W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC856B, 235 | 0,0200 | | 26 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC856 | 250 MW | SOT-23 | download | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 65 v | 100 ma | 15na (ICBO) | Pnp | 650mv @ 5Ma, 100mA | 220 @ 2MA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZB84-C36.215 | 1.0000 | | 3141 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Ativo | ± 5% | - | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23 | download | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 par ânodo comum | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 25,2 V | 36 v | 90 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZV85-C33,133 | 0,0400 | | 58 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Ativo | ± 5% | 200 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1 w | DO-41 | download | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.969 | 1 V @ 50 Ma | 50 Na @ 23 V | 33 v | 45 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NZX9V1B, 133 | 0,0200 | | 17 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | NZX9 | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZB84-C12215 | 0,0200 | | 81 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | download | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PZU2.7BL315 | 0,0300 | | 138 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | download | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZV55-C51,115 | 0,0200 | | 57 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | BZV55 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1PS76SB21145 | 0,0400 | | 60 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | 1PS76S | download | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84J-C10,115 | - | | 2351 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | BZX84 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Pzu3.0b1a, 115 | 0,0300 | | 10 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | SC-76, SOD-323 | 320 MW | SOD-323 | download | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,1 V @ 100 Ma | 10 µA A 1 V | 3 v | 95 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PZU5.6b2,115 | - | | 5377 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | Pzu5.6 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84-C39.235 | 0,0200 | | 25 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23 | download | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 900 mV a 10 mA | 50 Na @ 27,3 V | 39 v | 130 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMP4201V, 115 | - | | 9047 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | Pmp4 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0075 | 4.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDTC143XMB315 | 0,0300 | | 159 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | download | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Bas40-06W, 115 | 0,0300 | | 1573 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | Bas40 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BTA216-800B, 127 | 1.0000 | | 1020 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Ativo | 125 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.30.0080 | 1 | Solteiro | 60 MA | Padrão | 800 v | 16 a | 1,5 v | 140A, 150A | 50 MA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBSS5220T, 215 | - | | 9502 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | PBSS5 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 |
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