- RFQ
- Bom
- Contate-nos
Tel: +86-0755-83501315
E-mail:sales@sic-compponents.com
- chinês
- Inglês
- Francês
- Alemão
- Português
- Espanhol
- russo
- japonês
- coreano
- árabe
- irlandês
- grego
- turco
- italiano
- dinamarquês
- romeno
- indonésio
- Tcheco
- afrikaans
- sueco
- polonês
- Basco
- catalão
- esperanto
- hindi
- Laos
- albanês
- Amárico
- Armênio
- Azerbaijão
- Bielorrusso
- bengali
- Bósnia
- búlgaro
- Cebuano
- Chichewa
- Córsega
- croata
- Holandês
- estoniano
- Filipino
- finlandês
- Frisiano
- Galian
- Georgiano
- Gujarati
- haitiano
- Hausa
- havaiano
- hebraico
- Hmong
- húngaro
- islandês
- Igbo
- Javanês
- Kannada
- Cazaque
- Khmer
- curdo
- Kyrgyz
- Latim
- letão
- lituano
- Luxembou ..
- Macedônio
- malgaxe
- malaio
- Malaiala
- maltês
- maori
- Marathi
- mongol
- birmanês
- Nepalês
- norueguês
- Pashto
- persa
- Punjabi
- sérvio
- Sesoto
- Sinhala
- Eslovaco
- esloveno
- Somali
- Samoano
- Gaélico escocês
- Shona
- Sindhi
- Sundanês
- Suaíli
- Tajique
- tâmil
- Telugu
- Tailandês
- ucraniano
- urdu
- Uzbek
- vietnamita
- galês
- Xhosa
- Yiddish
- Ioruba
- zulu
- Kinyarwanda
- Tatar
- Oriya
- Turquemen
- Uyghur
Produtos Semicondutores discretos (471)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Tipo de transistor | Vce saturação (max) @ ib, ic | Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE | Frequencia - Transmissão |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CSD18511KTTT | 2.0100 |  | 657 | 0,00000000 | Texas Instruments | NexFET ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | CSD18511 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DDPAK/TO-263-3 | download | ROHS3 Compatível | 2 (1 Ano) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 40 v | 110A (TA), 194a (TC) | 4.5V, 10V | 2.6mohm @ 100a, 10V | 2.4V a 250µA | 64 nc @ 10 V | ± 20V | 5940 PF @ 20 V | - | 188W (TA) | |||||||||||
 | Lbs-uln2003an | - | | 4763 | 0,00000000 | Texas Instruments | * | Volume | Ativo | Lbs-uln2003 | - | Não Aplicável | 3 (168 Horas) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
 | Uln2803an | - | | 6590 | 0,00000000 | Texas Instruments | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Através do buraco | 18-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Uln2803 | - | 18-PDIP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | 50V | 500mA | - | 8 NPN Darlington | 1.6V @ 500µA, 350mA | - | - | |||||||||||||||
 | 5962-9053801PA | 26.1200 | | 210 | 0,00000000 | Texas Instruments | * | Volume | Ativo | 5962-905 | download | Ear99 | 8541.10.0080 | 12 | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | CSD87588N | 1.3900 | | 14 | 0,00000000 | Texas Instruments | NexFET ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 5-xflga | CSD87588 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 6w | 5-PTAB (3x2.5) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Meia Ponte) | 30V | 25a | 9.6mohm @ 15a, 10V | 1.9V a 250µA | 4.1NC @ 4.5V | 736pf @ 15V | Portão de Nível Lógico | |||||||||||||
 | CSD13303W1015 | 0,5500 | | 56 | 0,00000000 | Texas Instruments | NexFET ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-UFBGA, DSBGA | CSD13303 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 6-DSBGA (1x1.5) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 12 v | 31a (TA) | 2.5V, 4.5V | 20mohm @ 1.5a, 4.5V | 1.2V a 250µA | 4,7 nc @ 4,5 V | ± 8V | 715 pf @ 6 V | - | 1.65W (TA) | |||||||||||
 | CSD18502Q5B | 2.6200 | | 7 | 0,00000000 | Texas Instruments | NexFET ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | CSD18502 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-vson-clip (5x6) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 40 v | 26a (ta), 100a (tc) | 4.5V, 10V | 2.3mohm @ 30a, 10V | 2.2V A 250µA | 68 nc @ 10 V | ± 20V | 5070 pf @ 20 V | - | 3.2W (TA), 156W (TC) | |||||||||||
| CSD16411Q3T | - | | 1656 | 0,00000000 | Texas Instruments | NexFET ™ | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | CSD16411 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-vson-clip (3.3x3.3) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 296-CSD16411Q3T | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 25 v | 50a (TC) | 4.5V, 10V | 10mohm @ 10a, 10V | 2.3V A 250µA | 3,8 nc @ 4,5 V | +16V, -12V | 570 pf @ 12,5 V | - | 35W (TC) | |||||||||||
 | CSD17551Q3a | 0,7600 | | 3 | 0,00000000 | Texas Instruments | NexFET ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-powervdfn | CSD17551 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SON (3,3x3.3) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 v | 12a (TC) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 11a, 10V | 2.1V @ 250µA | 7,8 nc @ 4,5 V | ± 20V | 1370 pf @ 15 V | - | 2.6W (TA) | |||||||||||
 | CSD13201W10 | 0,5000 | | 49 | 0,00000000 | Texas Instruments | NexFET ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 4-UFBGA, DSBGA | CSD13201 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 4-dsbga (1x1) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 12 v | 1.6a (ta) | 1.8V, 4.5V | 34mohm @ 1a, 4.5V | 1.1V @ 250µA | 2,9 nc @ 4,5 V | ± 8V | 462 pf @ 6 V | - | 1.2W (TA) | |||||||||||
| CSD17506Q5a | 1.6900 | | 1 | 0,00000000 | Texas Instruments | NexFET ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | CSD17506 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-vsonp (5x6) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 v | 100a (TC) | 4.5V, 10V | 4mohm @ 20a, 10V | 1.8V a 250µA | 11 NC a 4,5 V | ± 20V | 1650 PF @ 15 V | - | 3.2W (TA) | |||||||||||
 | CSD18535KTT | 3.2800 | | 482 | 0,00000000 | Texas Instruments | NexFET ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-4, D²PAK (3 leads + guia), TO-263AA | CSD18535 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DDPAK/TO-263-3 | download | ROHS3 Compatível | 2 (1 Ano) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 60 v | 200a (TA) | 4.5V, 10V | 2mohm @ 100a, 10V | 2.4V a 250µA | 81 nc @ 10 V | ± 20V | 6620 pf @ 30 V | - | 300W (TC) | |||||||||||
 | CSD23285F5T | 0,9900 | | 2 | 0,00000000 | Texas Instruments | FEMTOFET ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 3-SMD, sem chumbo | CSD23285 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 3-Picosstar | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 250 | Canal P. | 12 v | 5.4a (ta) | 1.5V, 4.5V | 35mohm @ 1a, 4.5V | 950MV A 250µA | 4,2 NC a 4,5 V | -6V | 628 pf @ 6 V | - | 500mW (TA) | |||||||||||
| CSD18536KTTT | 5.8200 | | 7727 | 0,00000000 | Texas Instruments | NexFET ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-4, D²PAK (3 leads + guia), TO-263AA | CSD18536 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DDPAK/TO-263-3 | download | ROHS3 Compatível | 2 (1 Ano) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 v | 200a (TA), 349a (TC) | 4.5V, 10V | 1.6mohm @ 100a, 10V | 2.2V A 250µA | 140 nc @ 10 V | ± 20V | 11430 pf @ 30 V | - | 375W (TC) | |||||||||||
| CSD17551Q5a | 1.0000 | | 13 | 0,00000000 | Texas Instruments | NexFET ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | CSD17551 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-vsonp (5x6) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 v | 48a (TC) | 4.5V, 10V | 8.8mohm @ 11a, 10V | 2.2V A 250µA | 7,2 nc @ 4,5 V | ± 20V | 1272 pf @ 15 V | - | 3W (TA) | |||||||||||
| CSD17310Q5a | 0,9500 | | 30 | 0,00000000 | Texas Instruments | NexFET ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | CSD17310 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-vsonp (5x6) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 v | 21a (ta), 100a (tc) | 3V, 8V | 5.1mohm @ 20a, 8v | 1.8V a 250µA | 11,6 nc a 4,5 V | +10V, -8V | 1560 pf @ 15 V | - | 3.1W (TA) | |||||||||||
 | TPIC5223LD | 1.0400 | | 1 | 0,00000000 | Texas Instruments | * | Volume | Ativo | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | SN75469D | 1.0600 | | 1 | 0,00000000 | Texas Instruments | Automotivo, AEC-Q100 | Tubo | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 16-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SN75469 | - | 16-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 40 | 100V | 500mA | - | 7 NPN Darlington | 1.6V @ 500µA, 350mA | - | - | |||||||||||||||
| CSD18542KTT | 2.6600 | | 153 | 0,00000000 | Texas Instruments | NexFET ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-4, D²PAK (3 leads + guia), TO-263AA | CSD18542 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DDPAK/TO-263-3 | download | ROHS3 Compatível | 2 (1 Ano) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 60 v | 200a (TA) | 4.5V, 10V | 4mohm @ 100a, 10V | 2.2V A 250µA | 57 nc @ 10 V | ± 20V | 5070 pf @ 30 V | - | 250W (TC) | |||||||||||
 | CSD85301Q2 | 0,6700 | | 19 | 0,00000000 | Texas Instruments | NexFET ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6 WDFN PAD Exposto | CSD85301 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2.3W | 6-WSON (2x2) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 20V | 5a | 27mohm @ 5a, 4.5V | 1.2V a 250µA | 5.4NC @ 4.5V | 469pf @ 10V | Portão de Nível Lógico, Unidade de 5V | |||||||||||||
 | CSD16340Q3T | 1.4300 | | 2 | 0,00000000 | Texas Instruments | NexFET ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | CSD16340 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-vson-clip (3.3x3.3) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | N-canal | 25 v | 60a (TC) | 2.5V, 8V | 4.5mohm @ 20a, 8v | 1.1V @ 250µA | 9,2 NC a 4,5 V | +10V, -8V | 1350 pf @ 12,5 V | - | 3W (TA) | |||||||||||
 | TPS1120DR | 2.1000 | | 1 | 0,00000000 | Texas Instruments | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | TPS1120 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 840mw | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Duplo) | 15V | 1.17a | 180mohm @ 1.5a, 10V | 1,5V a 250µA | 5.45NC @ 10V | - | Portão de Nível Lógico | |||||||||||||
 | CSD13381F4 | 0,4400 | | 503 | 0,00000000 | Texas Instruments | NexFET ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 3-xfdfn | CSD13381 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 3-Picosstar | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 12 v | 2.1a (ta) | 1.8V, 4.5V | 180mohm @ 500mA, 4,5V | 1.1V @ 250µA | 1,4 NC a 4,5 V | 8V | 200 pf @ 6 V | - | 500mW (TA) | |||||||||||
 | CSD17579Q3a | 0,6000 | | 42 | 0,00000000 | Texas Instruments | NexFET ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-powervdfn | CSD17579 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-vsonp (3x3.3) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 v | 20A (TA) | 4.5V, 10V | 10.2mohm @ 8a, 10V | 1.9V a 250µA | 15 nc @ 10 V | ± 20V | 998 pf @ 15 V | - | 3.2W (TA), 29W (TC) | |||||||||||
| ULN2803ADW-P | - | | 3595 | 0,00000000 | Texas Instruments | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 18-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de largura) | Uln2803 | - | 18-SOIC | - | ROHS3 Compatível | 296-uln2803Adw-P | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 50V | 500mA | 50µA | 8 NPN Darlington | 1.6V @ 500µA, 350mA | - | - | ||||||||||||||||
| CSD25213W10 | 0,4700 | | 13 | 0,00000000 | Texas Instruments | NexFET ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 4-UFBGA, DSBGA | CSD25213 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 4-dsbga (1x1) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 20 v | 1.6a (ta) | 2.5V, 4.5V | 47mohm @ 1a, 4.5V | 1.1V @ 250µA | 2,9 nc @ 4,5 V | -6V | 478 pf @ 10 V | - | 1W (TA) | |||||||||||
| CSD16414Q5 | 2.0900 | | 2 | 0,00000000 | Texas Instruments | NexFET ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | CSD16414 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-vson-clip (5x6) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 25 v | 34A (TA), 100A (TC) | 4.5V, 10V | 1.9mohm @ 30a, 10V | 2V A 250µA | 21 NC a 4,5 V | +16V, -12V | 3650 pf @ 12,5 V | - | 3.2W (TA) | |||||||||||
| CSD16570Q5B | 2.2200 | | 4 | 0,00000000 | Texas Instruments | NexFET ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | CSD16570 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-vson-clip (5x6) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 25 v | 100a (ta) | 4.5V, 10V | 0,59mohm @ 50a, 10V | 1.9V a 250µA | 250 nc @ 10 V | ± 20V | 14000 pf @ 12 V | - | 3.2W (TA), 195W (TC) | |||||||||||
 | CSD87384MT | 2.1400 | | 822 | 0,00000000 | Texas Instruments | NexFET ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 5-lga | CSD87384 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8w | 5-PTAB (5x3.5) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | 2 canal n (Meia Ponte) | 30V | 30a | 7.7mohm @ 25a, 8v | 1.9V a 250µA | 9.2NC @ 4.5V | 1150pf @ 15V | Portão de Nível Lógico | |||||||||||||
 | CSD15380F3 | 0,4500 | | 64 | 0,00000000 | Texas Instruments | FEMTOFET ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 3-xfdfn | CSD15380 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 3-Picosstar | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 v | 500mA (TA) | 2.8V, 8V | 1190MOHM @ 100MA, 8V | 1,35V a 2,5µA | 0,281 nc @ 10 V | 10V | 10,5 pf @ 10 V | - | 500mW (TA) |
2000+
Volume médio diário de RFQ
30.000.000
Unidade de produto padrão
2800+
Fabricantes em todo o mundo
15.000 m2
Armazém em estoque
Lista de desejos (0 itens)