- RFQ
- Bom
- Contate-nos
Tel: +86-0755-83501315
E-mail:sales@sic-compponents.com
- chinês
- Inglês
- Francês
- Alemão
- Português
- Espanhol
- russo
- japonês
- coreano
- árabe
- irlandês
- grego
- turco
- italiano
- dinamarquês
- romeno
- indonésio
- Tcheco
- afrikaans
- sueco
- polonês
- Basco
- catalão
- esperanto
- hindi
- Laos
- albanês
- Amárico
- Armênio
- Azerbaijão
- Bielorrusso
- bengali
- Bósnia
- búlgaro
- Cebuano
- Chichewa
- Córsega
- croata
- Holandês
- estoniano
- Filipino
- finlandês
- Frisiano
- Galian
- Georgiano
- Gujarati
- haitiano
- Hausa
- havaiano
- hebraico
- Hmong
- húngaro
- islandês
- Igbo
- Javanês
- Kannada
- Cazaque
- Khmer
- curdo
- Kyrgyz
- Latim
- letão
- lituano
- Luxembou ..
- Macedônio
- malgaxe
- malaio
- Malaiala
- maltês
- maori
- Marathi
- mongol
- birmanês
- Nepalês
- norueguês
- Pashto
- persa
- Punjabi
- sérvio
- Sesoto
- Sinhala
- Eslovaco
- esloveno
- Somali
- Samoano
- Gaélico escocês
- Shona
- Sindhi
- Sundanês
- Suaíli
- Tajique
- tâmil
- Telugu
- Tailandês
- ucraniano
- urdu
- Uzbek
- vietnamita
- galês
- Xhosa
- Yiddish
- Ioruba
- zulu
- Kinyarwanda
- Tatar
- Oriya
- Turquemen
- Uyghur
Produtos Semicondutores discretos (471)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Tipo de transistor | Vce saturação (max) @ ib, ic | Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE | Frequencia - Transmissão |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CSD25484F4T | 0,9100 |  | 16 | 0,00000000 | Texas Instruments | FEMTOFET ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 3-xfdfn | CSD25484 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 3-Picosstar | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 250 | Canal P. | 20 v | 2.5a (ta) | 1.8V, 8V | 94mohm @ 500Ma, 8V | 1.2V a 250µA | 1,42 nc @ 4,5 V | -12v | 230 PF @ 10 V | - | 500mW (TA) | |||||||||||
 | CSD83325LT | 1.2300 | | 2 | 0,00000000 | Texas Instruments | NexFET ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-xfbga | CSD83325 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2.3W | 6-picosstar | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | 2-canal n (Duplo) Dreno Comum | 12V | - | - | 1,25V a 250µA | 10.9nc @ 4.5V | - | - | |||||||||||||
 | CSD23382F4 | 0,4700 | | 74 | 0,00000000 | Texas Instruments | FEMTOFET ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 3-xfdfn | CSD23382 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 3-Picosstar | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P. | 12 v | 3.5a (ta) | 1.8V, 4.5V | 76mohm @ 500mA, 4,5V | 1.1V @ 250µA | 1,35 nc @ 6 V | ± 8V | 235 pf @ 6 V | - | 500mW (TA) | |||||||||||
 | CSD88599Q5DCT | 5.0100 | | 97 | 0,00000000 | Texas Instruments | NexFET ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 22-powertfdfn | CSD88599Q5 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 12w | 22-vson-clip (5x6) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | 2 canal n (Meia Ponte) | 60V | - | 2.1mohm @ 30a, 10V | 2,5V a 250µA | 27NC @ 4.5V | 4840pf @ 30V | - | |||||||||||||
 | CSD13306WT | 1.0900 | | 930 | 0,00000000 | Texas Instruments | NexFET ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-UFBGA, DSBGA | CSD13306 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 6-DSBGA (1x1.5) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | N-canal | 12 v | 3.5a (ta) | 2.5V, 4.5V | 10.2mohm @ 1.5a, 4.5V | 1.3V a 250µA | 11,2 nc a 4,5 V | ± 10V | 1370 pf @ 6 V | - | 1.9W (TA) | |||||||||||
 | CSD86330Q3D | 2.1100 | | 23 | 0,00000000 | Texas Instruments | NexFET ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-Powerldfn | CSD86330Q3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 6w | 8-lson (3,3x3.3) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Meia Ponte) | 25V | 20a | 9.6mohm @ 14a, 8v | 2.1V @ 250µA | 6.2NC @ 4.5V | 920pf @ 12.5V | Portão de Nível Lógico | |||||||||||||
 | CSD16323Q3C | - | | 1183 | 0,00000000 | Texas Instruments | NexFET ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | CSD16323 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SON-EP (3x3) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 25 v | 21a (ta), 60a (tc) | 3V, 8V | 4.5mohm @ 24a, 8v | 1.4V A 250µA | 8,4 nc @ 4,5 V | +10V, -8V | 1300 pf @ 12,5 V | - | 3W (TA) | |||||||||||
 | LM395T/NOPB | 3.7500 | | 1 | 0,00000000 | Texas Instruments | - | Tubo | Ativo | 0 ° C ~ 125 ° C (TA) | Através do buraco | To-220-3 | LM395 | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 45 | 36 v | 2.2 a | - | Npn | - | - | - | ||||||||||||||||
| CSD17302Q5a | 1.0200 | | 7250 | 0,00000000 | Texas Instruments | NexFET ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | CSD17302 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-vsonp (5x6) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 v | 16a (ta), 87a (tc) | 3V, 8V | 7.9mohm @ 14a, 8v | 1.7V a 250µA | 7 nc @ 4,5 V | +10V, -8V | 950 pf @ 15 V | - | 3W (TA) | |||||||||||
| CSD16410Q5a | 0,9600 | | 8 | 0,00000000 | Texas Instruments | NexFET ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | CSD16410 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-vsonp (5x6) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 25 v | 16a (ta), 59a (tc) | 4.5V, 10V | 8.5mohm @ 17a, 10V | 2.3V A 250µA | 5 nc @ 4,5 V | +16V, -12V | 740 pf @ 12,5 V | - | 3W (TA) | |||||||||||
 | CSD17577Q3a | 0,6500 | | 32 | 0,00000000 | Texas Instruments | NexFET ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-powervdfn | CSD17577 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-vsonp (3x3.3) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 v | 35a (ta) | 4.5V, 10V | 4.8mohm @ 16a, 10V | 1.8V a 250µA | 35 nc @ 10 V | ± 20V | 2310 pf @ 15 V | - | 2.8W (TA), 53W (TC) | |||||||||||
| CSD18502Q5BT | 2.7900 | | 341 | 0,00000000 | Texas Instruments | NexFET ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | CSD18502 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-vson-clip (5x6) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | N-canal | 40 v | 100a (ta) | 4.5V, 10V | 2.3mohm @ 30a, 10V | 2.2V A 250µA | 33 NC a 4,5 V | ± 20V | 5070 pf @ 20 V | - | 3.2W (TA), 156W (TC) | |||||||||||
 | UC3838Q | 3.1200 | | 1 | 0,00000000 | Texas Instruments | * | Volume | Ativo | download | Fornecedor indefinido | Fornecedor indefinido | 2156-UC3838Q-296 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | CSD16408Q5C | 1.6100 | | 70 | 0,00000000 | Texas Instruments | NexFET ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | CSD164 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-vson-clip (5x6) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 25 v | 22a (ta), 113a (tc) | 4.5V, 10V | 4.5mohm @ 25a, 10V | 2.1V @ 250µA | 8,9 nc a 4,5 V | +16V, -12V | 1300 pf @ 12,5 V | - | 3.1W (TA) | |||||||||||
 | CSD88537nd | 1.3900 | | 5 | 0,00000000 | Texas Instruments | NexFET ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | CSD88537 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2.1W | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 60V | 15a | 15mohm @ 8a, 10V | 3,6V a 250µA | 18NC @ 10V | 1400pf @ 30V | - | |||||||||||||
| CSD17505Q5a | 1.7400 | | 1 | 0,00000000 | Texas Instruments | NexFET ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | CSD17505 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-vsonp (5x6) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 v | 24a (ta), 100a (tc) | 4.5V, 10V | 3.5mohm @ 20a, 10V | 1.8V a 250µA | 13 NC @ 4,5 V | ± 20V | 1980 pf @ 15 V | - | 3.2W (TA) | |||||||||||
| CSD18509Q5B | 2.4900 | | 2 | 0,00000000 | Texas Instruments | NexFET ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | CSD18509 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-vson-clip (5x6) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 40 v | 100a (ta) | 4.5V, 10V | 1.2mohm @ 32a, 10V | 2.2V A 250µA | 195 NC @ 10 V | ± 20V | 13900 pf @ 20 V | - | 3.1W (TA), 195W (TC) | |||||||||||
 | CSD18510KTT | 2.5000 | | 338 | 0,00000000 | Texas Instruments | NexFET ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | CSD18510 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DDPAK/TO-263-3 | download | ROHS3 Compatível | 2 (1 Ano) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 40 v | 274a (TC) | 4.5V, 10V | 1.7mohm @ 100a, 10V | 2.3V A 250µA | 153 NC @ 10 V | ± 20V | 11400 pf @ 20 V | - | 250W (TA) | |||||||||||
 | Ntk3134nt1h | 0,0800 | | 191 | 0,00000000 | Texas Instruments | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-723 | NTK3134 | - | SOT-723 | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8542.39.0001 | 4.000 | - | 890mA (TA) | 1.5V, 4.5V | - | - | ± 6V | - | - | ||||||||||||||
 | CSD13302WT | 0,9700 | | 965 | 0,00000000 | Texas Instruments | NexFET ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 4-UFBGA, DSBGA | CSD13302 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 4-dsbga (1x1) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | N-canal | 12 v | 1.6a (ta) | 2.5V, 4.5V | 17.1mohm @ 1a, 4.5V | 1.3V a 250µA | 7,8 nc @ 4,5 V | ± 10V | 862 pf @ 6 V | - | 1.8W (TA) | |||||||||||
 | CSD85301Q2T | 1.1300 | | 6130 | 0,00000000 | Texas Instruments | NexFET ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6 WDFN PAD Exposto | CSD85301 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2.3W | 6-WSON (2x2) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | 2 canal n (Duplo) | 20V | 5a | 27mohm @ 5a, 4.5V | 1.2V a 250µA | 5.4NC @ 4.5V | 469pf @ 10V | Portão de Nível Lógico, Unidade de 5V | |||||||||||||
| CSD75301W1015 | - | | 8370 | 0,00000000 | Texas Instruments | NexFET ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-UFBGA, DSBGA | CSD75301 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 800mw | 6-DSBGA (1x1.5) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Duplo) | 20V | 1.2a | 100mohm @ 1a, 4,5V | 1V a 250µA | 2.1NC @ 4.5V | 195pf @ 10V | Portão de Nível Lógico | |||||||||||||
| CSD19536KTT | 5.0600 | | 923 | 0,00000000 | Texas Instruments | NexFET ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-4, D²PAK (3 leads + guia), TO-263AA | CSD19536 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DDPAK/TO-263-3 | download | ROHS3 Compatível | 2 (1 Ano) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 100 v | 200a (TA) | 6V, 10V | 2.4mohm @ 100a, 10V | 3.2V @ 250µA | 153 NC @ 10 V | ± 20V | 12000 pf @ 50 V | - | 375W (TC) | |||||||||||
 | CSD25485F5T | 0,9800 | | 2 | 0,00000000 | Texas Instruments | FEMTOFET ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 3-xfdfn | CSD25485 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 3-Picosstar | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal P. | 20 v | 5.3a (ta) | 1.8V, 8V | 35mohm @ 900Ma, 8V | 1.3V a 250µA | 3,5 NC a 4,5 V | -12v | 533 pf @ 10 V | - | 1.4W (TA) | |||||||||||
| CSD88537ndt | 1.6600 | | 5 | 0,00000000 | Texas Instruments | NexFET ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | CSD88537 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2.1W | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | 2 canal n (Duplo) | 60V | 15a | 15mohm @ 8a, 10V | 3,6V a 250µA | 18NC @ 10V | 1400pf @ 30V | - | |||||||||||||
 | Tpic1501adwr | 2.5100 | | 18 | 0,00000000 | Texas Instruments | * | Volume | Ativo | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | SN75468N-A | - | | 2192 | 0,00000000 | Texas Instruments | SN7546X | Volume | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Através do buraco | 16-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | SN75468 | - | 16-PDIP | - | ROHS3 Compatível | 296-SN75468N-A | 1 | 100V | 500mA | - | - | 1.6V @ 500µA, 350mA | - | - | ||||||||||||||||||
| CSD18563Q5A-P | - | | 1961 | 0,00000000 | Texas Instruments | NexFET ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | CSD18563 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-vson (5x6) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 296-CSD18563Q5A-PTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 60 v | 15a (ta), 93a (tc) | 4.5V, 10V | 6.8mohm @ 18a, 10V | 2.4V a 250µA | 20 NC A 10 V | ± 20V | 1500 pf @ 30 V | - | 3.2W (TA), 116W (TC) | |||||||||||
| TPS1101DR | 1.0319 | | 6739 | 0,00000000 | Texas Instruments | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | TPS1101 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.500 | Canal P. | 15 v | 2.3a (ta) | 2.7V, 10V | 90mohm @ 2.5a, 10V | 1,5V a 250µA | 11,25 nc @ 10 V | +2V, -15V | - | 791MW (TA) | ||||||||||||
| TPS1100D | 1.8100 | | 369 | 0,00000000 | Texas Instruments | - | Tubo | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | TPS1100 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 75 | Canal P. | 15 v | 1.6a (ta) | 2.7V, 10V | 180mohm @ 1.5a, 10V | 1,5V a 250µA | 5,45 nc @ 10 V | +2V, -15V | - | 791MW (TA) |
2000+
Volume médio diário de RFQ
30.000.000
Unidade de produto padrão
2800+
Fabricantes em todo o mundo
15.000 m2
Armazém em estoque
Lista de desejos (0 itens)