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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Tolerância | Temperatura operacional | Aplicativos | Tipo de montagem | Pacote/Caixa | Número básico do produto | Tecnologia | Potência - Máx. | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Velocidade | Configuração de diodo | Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.) | Corrente - Média Retificada (Io) (por Diodo) | Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se | Tempo de recuperação reversa (trr) | Corrente - Vazamento reverso @ Vr | Temperatura Operacional - Junção | Corrente - Média Retificada (Io) | Capacitância @ Vr, F | Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.) | Atual - Coletor (Ic) (Máx.) | Atual - Corte do Coletor (Máx.) | Tensão - Zener (Nom) (Vz) | Impedância (Máx.) (Zzt) | Tipo de transistor | Saturação Vce (Máx.) @ Ib, Ic | Ganho de corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequência - Transição | Tensão - Ânodo - Cátodo (Vak)(Máx.) | Corrente do Regulador (Máx.) | Tensão - Limitação (Máx.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | S2105 | 33.4500 | ![]() | 9749 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | * | Volume | Ativo | - | REACH não afetado | 150-S2105 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX1N991C-1 | - | ![]() | 7353 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Volume | Ativo | ±2% | -65°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 mW | DO-35 (DO-204AH) | - | RoHS não compatível | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,3 V a 200 mA | 500 nA a 137 V | 180 V | 2.200 Ohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5281BUR-1/TR | 5.3400 | ![]() | 2250 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±5% | -65°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | DO-213AA | 500 mW | DO-213AA | - | EAR99 | 8541.10.0050 | 182 | 1,1 V a 200 mA | 100 nA @ 152 V | 200 V | 2500 Ohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N990BUR-1/TR | 8.2600 | ![]() | 1903 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±5% | -65°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | DO-213AA | 400 mW | DO-213AA | - | EAR99 | 8541.10.0050 | 117 | 1,3 V a 200 mA | 500 nA a 122 V | 160 V | 1700 Ohms | ||||||||||||||||||||||||||
| 1N5521A/TR | 1.9950 | ![]() | 6606 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±10% | -65°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 mW | DO-35 (DO-204AH) | - | REACH não afetado | 150-1N5521A/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 477 | 1,1 V a 200 mA | 3 µA a 1 V | 4,3V | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | CD4621 | 1.8620 | ![]() | 7298 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±5% | -65°C ~ 175°C | Montagem em superfície | Morrer | 500 mW | Morrer | download | Compatível com ROHS3 | REACH não afetado | 150-CD4621 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V a 200 mA | 7,5 µA a 2 V | 3,6V | 1700 Ohms | |||||||||||||||||||||||
![]() | JANS1N6343 | 140.1300 | ![]() | 9857 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Volume | Ativo | ±5% | -65°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | B, axial | 500 mW | B, axial | - | RoHS não compatível | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V a 1 A | 50 nA a 47 V | 62 V | 125 Ohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTXV1N5806 | 9.7650 | ![]() | 9476 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/477 | Volume | Ativo | Através do furo | A, axial | 1N5806 | padrão | A, axial | - | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 150 V | 875 mV por 1 A | 25 ns | 1 µA a 150 V | -65°C ~ 175°C | 1A | 25pF @ 10V, 1MHz | ||||||||||||||||||||
| 1N5280A | 3.4050 | ![]() | 2661 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Volume | Ativo | ±10% | -65°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | DO-204AH, DO-35, Axial | 1N5280 | 500 mW | DO-35 (DO-204AH) | download | RoHS não compatível | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V a 200 mA | 100 nA a 144 V | 190 V | 2.400 Ohms | ||||||||||||||||||||||||
| 1N5932BUR-1 | 4.0650 | ![]() | 2562 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Volume | Ativo | ±5% | -65°C ~ 175°C | Montagem em superfície | DO-213AB, MELF | 1N5932 | 1,25W | DO-213AB | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 15,2 V | 20 V | 14 ohms | |||||||||||||||||||||||
![]() | 1N2133RA | 74.5200 | ![]() | 1394 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Volume | Ativo | Montagem em pino | DO-203AB, DO-5, pino | Padrão, inversão de polaridade | DO-5 (DO-203AB) | download | REACH não afetado | 150-1N2133RA | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 300V | 1,25 V a 200 A | 25 µA a 300 V | -65°C ~ 200°C | 70A | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | JANTXV1N3022D-1/TR | 33.8618 | ![]() | 9131 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±1% | -55°C ~ 175°C | Através do furo | DO-204AL, DO-41, Axial | 1W | DO-41 | - | Compatível com ROHS3 | REACH não afetado | 150-JANTXV1N3022D-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V a 200 mA | 10 µA a 9,1 V | 12V | 9 Ohms | |||||||||||||||||||||||
![]() | JANSF2N3439U4 | 413.4420 | ![]() | 2395 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Volume | Ativo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Montagem em superfície | 3-SMD, sem chumbo | 800 mW | U4 | - | REACH não afetado | 150-JANSF2N3439U4 | 1 | 350 V | 1A | 2µA | NPN | 500mV @ 4mA, 50mA | 40 @ 20mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR3040CTE3/TU | 1.1700 | ![]() | 2586 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Tubo | Ativo | Através do furo | PARA-220-3 | MBR3040 | Schottky | PARA-220AB | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 40 V | 15A | 700 mV a 15 A | 50 µA a 40 V | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||
![]() | JANTX1N6768R | - | ![]() | 6910 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Volume | Ativo | Através do furo | PARA-257-3 | padrão | PARA-257 | - | RoHS não compatível | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 50 V | 1,06 V a 8 A | 35 ns | 10 µA a 40 V | - | 8A | 150pF @ 5V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | JANS1N5307-1/TR | 100.0200 | ![]() | 1196 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | Através do furo | DO-204AA, DO-7, Axial | 500mW | DO-7 | - | Compatível com ROHS3 | REACH não afetado | 150-JANS1N5307-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2,64mA | 2V | ||||||||||||||||||||||||
![]() | JANS2N3740 | 745.4720 | ![]() | 5864 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/441 | Volume | Ativo | -55°C ~ 200°C (TJ) | Através do furo | TO-213AA, TO-66-2 | 25W | TO-66 (TO-213AA) | - | RoHS não compatível | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 V | 10 µA | 10µA | PNP | 600mV a 1,25mA, 1A | 30 @ 250mA, 1V | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5941CP/TR12 | 2.2800 | ![]() | 6551 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±2% | -65°C ~ 150°C | Através do furo | DO-204AL, DO-41, Axial | 1N5941 | 1,5W | DO-204AL (DO-41) | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 35,8 V | 47V | 67 Ohms | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2C5339JS | 19.2450 | ![]() | 5584 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | * | Volume | Ativo | - | REACH não afetado | 150-2C5339JS | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTXV2N2369AU | - | ![]() | 6871 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/317 | Volume | Ativo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Montagem em superfície | 6-CLCC | 2N2369A | 500 mW | 6-LCC | - | RoHS não compatível | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 15V | 400nA | NPN | 450mV a 10mA, 100mA | 40 @ 10mA, 1V | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1PMT5929C/TR7 | 2.7600 | ![]() | 8549 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±2% | -55°C ~ 150°C | Montagem em superfície | DO-216AA | 13h005929 | 3 W | DO-216AA | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 11,4 V | 15V | 8 Ohms | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1N249 | 74.5200 | ![]() | 6001 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Volume | Ativo | Montagem em pino | DO-203AB, DO-5, pino | padrão | DO-5 (DO-203AB) | download | REACH não afetado | 150-1N249 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 100V | 1,19 V a 90 A | 5 µs | 10 µA a 100 V | -65°C ~ 200°C | 10A | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1N914UR | 2.2500 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Volume | Ativo | Montagem em superfície | DO-213AA | 1N914 | padrão | DO-213AA | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeno sinal =<200mA (Io), qualquer velocidade | 75V | 1,2 V a 50 mA | 20 ns | 500 nA @ 75 V | -65°C ~ 175°C | 200mA | 4pF a 0 V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | JAN1N4994CUS/TR | - | ![]() | 2419 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | MIL-PRF-19500/356 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±2% | -65°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | SQ-MELF, E | 5 W | E-MELF | download | 150-JAN1N4994CUS/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V a 1 A | 2 µA a 251 V | 330V | 1175 Ohms | |||||||||||||||||||||||||
| JANS1N4129D-1 | 101.3100 | ![]() | 2706 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Volume | Ativo | ±1% | -65°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 mW | DO-35 (DO-204AH) | - | RoHS não compatível | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V a 200 mA | 10 nA a 47,1 V | 62 V | 500 Ohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTXV1N970BUR-1 | 7.5600 | ![]() | 4081 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Volume | Ativo | ±5% | -65°C ~ 175°C | Montagem em superfície | DO-213AA (vídeo) | 1N970 | 500 mW | DO-213AA | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V a 200 mA | 500 nA @ 18 V | 24 V | 33 Ohms | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4588RD | 102.2400 | ![]() | 7975 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Volume | Ativo | Montagem em pino | DO-205AA, DO-8, pino | Padrão, inversão de polaridade | DO-205AA (DO-8) | download | REACH não afetado | 150-1N4588RD | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 200 V | 1,1 V a 200 A | 50 µA a 200 V | -65°C ~ 200°C | 150A | - | |||||||||||||||||||||||
| JANTXV1N4119C-1/TR | 20.6815 | ![]() | 7737 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±2% | -65°C ~ 175°C | Através do furo | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 mW | DO-35 (DO-204AH) | download | Compatível com ROHS3 | REACH não afetado | 150-JANTXV1N4119C-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V a 200 mA | 10 nA a 21,3 V | 28 V | 200 Ohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL3029B/TR | 13.7522 | ![]() | 6418 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±5% | -55°C ~ 175°C | Montagem em superfície | DO-213AB, MELF | 1W | DO-213AB | download | Compatível com ROHS3 | REACH não afetado | 150-CDLL3029B/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 18,2 V | 24 V | 25 Ohms | |||||||||||||||||||||||
![]() | JAN1N4148UB2 | 23.0100 | ![]() | 2202 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/116 | Volume | Ativo | Montagem em superfície | 2-SMD, sem chumbo | 1N4148 | padrão | UB2 | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeno sinal =<200mA (Io), qualquer velocidade | 75V | 1,2 V a 100 mA | 20 ns | 500 nA @ 75 V | -65°C ~ 200°C | 200mA | 4pF a 0 V, 1 MHz |

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