- Solicitação de cotação
- BOM
- Contate-nos
Tel: +86-0755-83501315
E-mail:sales@sic-components.com
- chinês
- Inglês
- Francês
- Alemão
- Português
- Espanhol
- russo
- japonês
- coreano
- árabe
- irlandês
- grego
- turco
- italiano
- dinamarquês
- romeno
- indonésio
- Tcheco
- afrikaans
- sueco
- polonês
- Basco
- catalão
- esperanto
- hindi
- Laos
- albanês
- amárico
- Armênio
- Azerbaijano
- Bielorrusso
- bengali
- Bósnio
- búlgaro
- Cebuano
- Chichewa
- Córsega
- croata
- Holandês
- estoniano
- filipino
- finlandês
- Frísio
- Galego
- Georgiano
- Guzerate
- haitiano
- Hauçá
- havaiano
- hebraico
- Hmong
- húngaro
- islandês
- Ibo
- Javanês
- Kannada
- Cazaque
- Khmer
- curdo
- Quirguistão
- Latim
- letão
- lituano
- Luxemburgo..
- Macedônio
- malgaxe
- malaio
- Malaiala
- maltês
- maori
- Marathi
- mongol
- birmanês
- nepalês
- norueguês
- pashto
- persa
- punjabi
- sérvio
- Sesoto
- Cingalês
- Eslovaco
- esloveno
- somali
- samoano
- Gaélico escocês
- Shona
- Sindi
- Sudanês
- suaíli
- tadjique
- tâmil
- Telugu
- Tailandês
- ucraniano
- urdu
- Usbeque
- vietnamita
- galês
- Xhosa
- iídiche
- Iorubá
- zulu
- Kinyarwanda
- tártaro
- Oriá
- turcomano
- Uigur
Produtos semicondutores discretos (41164)
| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Tolerância | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caixa | Número básico do produto | Tecnologia | Potência - Máx. | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Configuração | Velocidade | Tipo FET | Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs | Vgs(th) (máx.) @ ID | Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs | Vgs (máx.) | Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | Recurso FET | Dissipação de energia (máx.) | Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.) | Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se | Tempo de recuperação reversa (trr) | Corrente - Vazamento reverso @ Vr | Temperatura Operacional - Junção | Corrente - Média Retificada (Io) | Capacitância @ Vr, F | Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.) | Atual - Coletor (Ic) (Máx.) | Atual - Corte do Coletor (Máx.) | Tensão - Zener (Nom) (Vz) | Impedância (Máx.) (Zzt) | Tipo de transistor | Saturação Vce (Máx.) @ Ib, Ic | Ganho de corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequência - Transição |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1N3879 | 47.0100 |  | 2241 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Volume | Ativo | Montagem em pino | DO-203AA, DO-4, pino | 1N3879 | padrão | DO-4 (DO-203AA) | download | RoHS não compatível | REACH não afetado | 1N3879MS | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 50 V | 1,4 V a 20 A | 200 ns | 15 µA a 50 V | -65°C ~ 175°C | 6A | 115pF @ 10V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||
 | JAN2N498 | - | | 7229 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Volume | Ativo | 200°C (TJ) | Através do furo | TO-205AA, TO-5-3 Lata de metal | PARA-5 | - | RoHS não compatível | REACH não afetado | 0000.00.0000 | 1 | 100V | 200 mA | - | NPN | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 2CGA301A-MSCL | 56.1600 | | 6981 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | * | Volume | Ativo | - | REACH não afetado | 150-2CGA301A-MSCL | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANS2N2906AUBC | 194.6602 | | 5925 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/291 | Volume | Ativo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Montagem em superfície | 3-CLCC | 2N2906 | 500 mW | UBC | download | RoHS não compatível | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 V | 600 mA | 50nA | PNP | 1,6 V a 50 mA, 500 mA | 40 @ 150mA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV1N4477DUS/TR | 56.5650 | | 6501 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | MIL-PRF-19500/406 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±1% | -65°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | SQ-MELF, A | 1,5W | D-5A | - | 150-JANTXV1N4477DUS/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,5 V a 1 A | 50 nA a 26,4 V | 33V | 25 Ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | SMJ5353BE3/TR13 | 0,8250 | | 7044 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Montagem em superfície | DO-214AA, SMB | SMJ5353 | 5 W | SMBJ (DO-214AA) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 1 µA a 11,5 V | 16V | 2,5 Ohms | ||||||||||||||||||||||||||||
 | CDLL750A/TR | 2.7132 | | 8194 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±5% | -65°C ~ 175°C | Montagem em superfície | DO-213AB, MELF | 500 mW | DO-213AB | download | Compatível com ROHS3 | REACH não afetado | 150-CDLL750A/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V a 200 mA | 5 µA a 1,5 V | 4,7V | 19 Ohms | |||||||||||||||||||||||||||||
 | JAN1N3034B-1 | 9.2700 | | 1758 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Volume | Ativo | ±5% | -55°C ~ 175°C | Através do furo | DO-204AL, DO-41, Axial | 1N3034 | 1W | DO-41 | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V a 200 mA | 10 µA a 29,7 V | 39V | 60 Ohms | ||||||||||||||||||||||||||||
 | JAN1N4617D-1/TR | 10.7730 | | 9672 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±1% | -65°C ~ 175°C | Através do furo | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 mW | DO-35 (DO-204AH) | - | Compatível com ROHS3 | REACH não afetado | 150-JAN1N4617D-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V a 200 mA | 1 µA a 1 V | 2,4V | 1400 Ohms | |||||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV1N3024B-1 | - | | 7877 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Volume | Descontinuado na SIC | ±5% | -55°C ~ 175°C | Através do furo | DO-204AL, DO-41, Axial | 1W | DO-41 | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V a 200 mA | 10 µA a 11,4 V | 15V | 14 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||
 | CDLL5520B | 6.4800 | | 5366 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Volume | Ativo | ±5% | -65°C ~ 175°C | Montagem em superfície | DO-213AB, MELF | CDLL5520 | 500 mW | DO-213AB | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V a 200 mA | 1 µA a 1 V | 3,9 V | 22 Ohms | ||||||||||||||||||||||||||||
| JAN2N5664 | 26.9857 | | 2240 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/455 | Volume | Ativo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Através do furo | TO-213AA, TO-66-2 | 2N5664 | 2,5W | TO-66 (TO-213AA) | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 200 V | 5A | 200nA | NPN | 1V @ 1A, 5A | 40 @ 1A, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||
 | JAN1N6635US/TR | - | | 6305 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | MIL-PRF-19500/356 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±5% | -65°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | SQ-MELF, E | 5 W | E-MELF | download | 150-JAN1N6635US/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V a 1 A | 25 µA a 1 V | 4,3 V | 2 Ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
| JANS2N3501U4 | - | | 6472 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/366 | Volume | Ativo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Montagem em superfície | 3-SMD, sem chumbo | 1W | U4 | - | Compatível com ROHS3 | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 150 V | 300 mA | 50nA (ICBO) | NPN | 400mV a 15mA, 150mA | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV1N4938-1 | - | | 6723 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/169 | Volume | Ativo | Através do furo | DO-204AH, DO-35, Axial | padrão | DO-35 (DO-204AH) | - | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeno sinal =<200mA (Io), qualquer velocidade | 175 V | 1 V a 30 mA | 50 ns | 100 pa a 175 V | -65°C ~ 175°C | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||
 | JANTX2N3763 | - | | 5109 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/396 | Volume | Ativo | -55°C ~ 200°C (TJ) | Através do furo | TO-205AD, TO-39-3 Lata de metal | 2N3763 | 1W | TO-39 (TO-205AD) | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 V | 1,5A | 10µA (ICBO) | PNP | 900mV @ 100mA, 1A | 20 @ 1A, 1,5V | - | ||||||||||||||||||||||||||
 | MSCSM170DUM23T3AG | 189.6600 | | 6 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Volume | Ativo | -40°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em chassi | Módulo | MSCSM170 | Carboneto de Silício (SiC) | 602W (Tc) | SP3F | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 150-MSCSM170DUM23T3AG | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Fonte comum de 2 canais N (duplo) | 1700V (1,7kV) | 124A (Tc) | 22,5mOhm a 60A, 20V | 3,2 V a 5 mA | 356nC @ 20V | 6600pF a 1000V | - | |||||||||||||||||||||||
| JANS1N4964DUS | 429.5200 | | 6930 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Volume | Ativo | download | Compatível com ROHS3 | REACH não afetado | 150-JANS1N4964DUS | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV1N979D-1 | 9.4800 | | 3573 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Volume | Ativo | ±1% | -65°C ~ 175°C | Através do furo | DO-204AH, DO-35, Axial | 1N979 | 500 mW | DO-35 (DO-204AH) | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V a 200 mA | 500 nA a 43 V | 56 V | 150 Ohms | ||||||||||||||||||||||||||||
 | APT1201R4BLLG | 13.2600 | | 15 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | POWERMOS 7® | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | APT1201 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-247-3 | - | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 150-APT1201R4BLLG | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 1200 V | 9A (Tc) | 10V | 1,4 Ohm a 4,5 A, 10 V | 5V @ 1mA | 120 nC @ 10 V | ±30V | 2500 pF a 25 V | - | 300W (Tc) | ||||||||||||||||||||||
| MBR2090CTE3/TU | - | | 9818 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | * | Tubo | Ativo | MBR2090 | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2N3440L | 26.6665 | | 5504 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Volume | Ativo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Através do furo | TO-205AA, TO-5-3 Lata de metal | 2N3440 | 800 mW | PARA-5 | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 250 V | 1A | 2µA | NPN | 500mV @ 4mA, 50mA | 40 @ 20mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||
 | 2N6048 | - | | 6102 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | * | Volume | Obsoleto | - | RoHS não compatível | Não aplicável | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N6304R | 123.4500 | | 5274 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/550 | Volume | Ativo | Montagem em pino | DO-203AB, DO-5, pino | 1N6304 | padrão | DO-5 (DO-203AB) | download | RoHS não compatível | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 50 V | 1,18 V a 150 A | 60 ns | 25 µA a 50 V | -65°C ~ 175°C | 70A | 600pF @ 10V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV1N752C-1/TR | 10.2410 | | 3746 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/127 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±2% | -65°C ~ 175°C | Através do furo | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 mW | DO-35 (DO-204AH) | download | Compatível com ROHS3 | REACH não afetado | 150-JANTXV1N752C-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V a 200 mA | 5 µA a 2,5 V | 5,6V | 11 Ohms | |||||||||||||||||||||||||||||
 | JANTX1N6338CUS | 39.7950 | | 9823 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Volume | Ativo | ±2% | -65°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | SQ-MELF, B | 500 mW | B, SQ-MELF | - | REACH não afetado | 150-JANTX1N6338CUS | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V a 1 A | 50 nA @ 30 V | 39V | 55 Ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5528C/TR | 11.5500 | | 2022 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±2% | -65°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 mW | DO-35 (DO-204AH) | - | REACH não afetado | 150-1N5528C/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,1 V a 200 mA | 500 nA a 7,5 V | 8,2V | 40 Ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | JANTX1N3037CUR-1 | 37.3500 | | 6930 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Volume | Ativo | ±2% | -55°C ~ 175°C | Montagem em superfície | DO-213AB, MELF (vídeo) | 1N3037 | 1W | DO-213AB (MELF, LL41) | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V a 200 mA | 10 µA a 38,8 V | 51V | 95 Ohms | ||||||||||||||||||||||||||||
| CD3155A | 13.5300 | | 8481 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Volume | Ativo | ±5% | -65°C ~ 175°C | Montagem em superfície | Morrer | Morrer | - | REACH não afetado | 150-CD3155A | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 8,4V | 25 Ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N3501U4 | 120.9502 | | 9400 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Volume | Ativo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Montagem em superfície | 3-SMD, sem chumbo | 1W | U4 | - | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 150 V | 300 mA | 50nA (ICBO) | NPN | 400mV a 15mA, 150mA | 100 @ 150mA, 10V | - |
2.000+
Volume médio diário de RFQ
30.000.000
Unidade de produto padrão
2.800+
Fabricantes mundiais
15.000 m2
Armazém em estoque
Lista de desejos (0 itens)