- RFQ
- Bom
- Contate-nos
Tel: +86-0755-83501315
E-mail:sales@sic-compponents.com
- chinês
- Inglês
- Francês
- Alemão
- Português
- Espanhol
- russo
- japonês
- coreano
- árabe
- irlandês
- grego
- turco
- italiano
- dinamarquês
- romeno
- indonésio
- Tcheco
- afrikaans
- sueco
- polonês
- Basco
- catalão
- esperanto
- hindi
- Laos
- albanês
- Amárico
- Armênio
- Azerbaijão
- Bielorrusso
- bengali
- Bósnia
- búlgaro
- Cebuano
- Chichewa
- Córsega
- croata
- Holandês
- estoniano
- Filipino
- finlandês
- Frisiano
- Galian
- Georgiano
- Gujarati
- haitiano
- Hausa
- havaiano
- hebraico
- Hmong
- húngaro
- islandês
- Igbo
- Javanês
- Kannada
- Cazaque
- Khmer
- curdo
- Kyrgyz
- Latim
- letão
- lituano
- Luxembou ..
- Macedônio
- malgaxe
- malaio
- Malaiala
- maltês
- maori
- Marathi
- mongol
- birmanês
- Nepalês
- norueguês
- Pashto
- persa
- Punjabi
- sérvio
- Sesoto
- Sinhala
- Eslovaco
- esloveno
- Somali
- Samoano
- Gaélico escocês
- Shona
- Sindhi
- Sundanês
- Suaíli
- Tajique
- tâmil
- Telugu
- Tailandês
- ucraniano
- urdu
- Uzbek
- vietnamita
- galês
- Xhosa
- Yiddish
- Ioruba
- zulu
- Kinyarwanda
- Tatar
- Oriya
- Turquemen
- Uyghur
Produtos Semicondutores discretos (41164)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | TIPO DE FET | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) | Tipo de transistor | Vce saturação (max) @ ib, ic | Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE | Frequencia - Transmissão |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1n823aur | 4.7550 |  | 8300 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C. | Montagem na Superfície | DO-213AA (Vidro) | 1N823 | 500 MW | DO-213AA | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.2 v | 10 ohms | |||||||||||||||||||||||||||
 | 1n6893utk1as | 259.3500 | | 7076 | 0,00000000 | Microchip Technology | * | Volume | Ativo | - | Alcançar Não Afetado | 150-1N6893utk1As | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N5925BP/TR8 | 1.8900 | | 9319 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N5925 | 1,5 w | DO-204AL (DO-41) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA a 8 V | 10 v | 4,5 ohms | ||||||||||||||||||||||||||
| BZV55C33 | 2.9400 | | 377 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | ± 6% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Montagem na Superfície | DO-213AA (Vidro) | BZV55C33 | DO-213AA | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 mA | 50 Na @ 23,1 V | 33 v | ||||||||||||||||||||||||||||
| 1N2812RB | 96.0150 | | 3981 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Através do buraco | TO-204AD | 1N2812 | 50 w | TO-204AD (TO-3) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 10 A | 10 µA a 10,6 V | 14 v | 1,2 ohms | ||||||||||||||||||||||||||
 | 1N1615 | 38.0550 | | 2894 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AA, DO-4, Stud | 1N1615 | Padrão | Do-203aa (DO-4) | download | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,5 V @ 15 A | 50 µA A 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 15a | - | ||||||||||||||||||||||||||
 | DN3535N8-G | 0,9000 | | 200 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-243AA | DN3535 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-243AA (SOT-89) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-canal | 350 v | 230mA (TJ) | 0v | 10ohm @ 150mA, 0V | - | ± 20V | 360 pf @ 25 V | Modo de Esgotamento | 1.6W (TA) | |||||||||||||||||||||
 | UPS360/TR13 | 1.5600 | | 6184 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-216AA | UPS360 | Schottky | Powermite | - | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 630 mV @ 3,5 A | 200 µA A 60 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 3a | 130pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||
 | Jantxv1n3157-1/tr | - | | 9391 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/158 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-JANTXV1N3157-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 2 A | 10 µA a 5,5 V | 8,8 v | 15 ohms | |||||||||||||||||||||||||||
| Jan1n6858-1 | - | | 4390 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/444 | Volume | Ativo | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | Schottky | DO-35 (DO-204AH) | - | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1 V @ 35 mA | 200 Na @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 75mA | 4.5pf @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
| CD5364 | 5.6700 | | 5737 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | ± 20% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Montagem na Superfície | Morrer | 5 w | Morrer | - | Alcançar Não Afetado | 150-CD5364 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 A | 500 Na @ 25,1 V | 33 v | 10 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||
| Jan1n4129cur-1/tr | 19.9367 | | 9880 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Montagem na Superfície | DO-213AA (Vidro) | DO-213AA | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-JAN1N4129CUR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 mA | 10 Na @ 47,1 V | 62 v | 500 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||
 | Jantxv1n4489dus | 56.4150 | | 6205 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Volume | Ativo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SQ-Melf, a | 1,5 w | D-5A | - | Alcançar Não Afetado | 150-Jantxv1n4489dus | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 A | 250 Na @ 80 V | 100 v | 250 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||
| CDLL4927/TR | 98.3100 | | 4842 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 100 ° C. | Montagem na Superfície | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-CDLL4927/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µA A 12 V | 19.2 v | 75 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||
| Jantx1N6486C | - | | 5076 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1,5 w | DO-41 | - | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 A | 5 µA @ 1 V | 3,6 v | 10 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||
 | UZ5856 | 32.2650 | | 9334 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Através do buraco | B, axial | 5 w | B, axial | - | Alcançar Não Afetado | 150-UZ5856 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 5 µA a 42,6 V | 56 v | 35 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||
 | LSM840JE3/TR13 | 0,8100 | | 2303 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | LSM840 | Schottky | DO-214AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 520 mV @ 8 a | 2 mA a 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - | |||||||||||||||||||||||||
| SMBG5355C/TR13 | 2.8650 | | 1998 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | DO-215AA, Asa de Gaivota SMB | SMBG5355 | 5 w | SMBG (DO-215AA) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 A | 500 Na @ 13 V | 18 v | 2,5 ohms | ||||||||||||||||||||||||||
| R4320 | 102.2400 | | 1953 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Montagem do Pino | Do-205AA, DO-8, Stud | Padrão | Do-205AA (DO-8) | - | Alcançar Não Afetado | 150-R4320 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,1 V @ 200 A | 50 µA A 200 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 150a | - | |||||||||||||||||||||||||||
| JANS1N4619UR-1/TR | 69.1050 | | 1755 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | Alcançar Não Afetado | 150-JANS1N4619UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 50 | 1,1 V @ 200 mA | 400 Na @ 1 V | 3 v | 1600 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||
| Jankcb2N5415 | 122.3866 | | 1396 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/485 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN | 750 MW | TO-5 | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-JANKCB2N5415 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 200 v | 1 a | 1Ma | Pnp | 2V @ 5MA, 50MA | 30 @ 50MA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||
| Jantxv1n4465us | 25.5000 | | 5922 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Montagem na Superfície | SQ-Melf, a | 1N4465 | 1,5 w | D-5A | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 mA | 300 Na @ 8 V | 10 v | 5 ohms | ||||||||||||||||||||||||||
| Jansl2N2222AUBC | 279.1520 | | 8060 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/255 | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 3-SMD, sem chumbo | 500 MW | UBC | - | Alcançar Não Afetado | 150-JANSL2N2222AUBC | 1 | 50 v | 800 mA | 50na | Npn | 1V @ 50MA, 500mA | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
 | JAN1N3037BUR-1/TR | 11.4247 | | 2585 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C. | Montagem na Superfície | Do-213ab, Mell (Vidro) | 1 w | DO-213AB (Mell, LL41) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-JAN1N3037BUR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 mA | 10 µA A 35,8 V | 51 v | 95 ohms | |||||||||||||||||||||||||||
| Jan1n4121c-1/tr | 9.4430 | | 2079 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | DO-35 (DO-204AH) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-JAN1N4121C-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 mA | 10 Na @ 25,1 V | 33 v | 200 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||
 | Jantx1n6354cus/tr | - | | 9238 | 0,00000000 | Microchip Technology | MIL-PRF-19500/533 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SQ-Melf, b | 500 MW | B, Sq-Melf | - | 150-JANTX1N6354CUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 A | 50 Na @ 137 V | 180 v | 1500 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||
| JANS1N4627UR-1 | - | | 6238 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Descontinuado no sic | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Montagem na Superfície | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 mA | 5 µA a 5 V | 6.2 v | 1200 ohms | |||||||||||||||||||||||||||
 | Jantx1N6642U | 7.2750 | | 6568 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/578 | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SQ-Melf, e | 1N6642 | Padrão | D-5b | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 75 v | 1,2 V @ 100 Ma | 20 ns | 500 Na @ 75 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 300mA | 5pf @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||
 | Jan2N5660U3 | - | | 9621 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/454 | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 3-SMD, sem chumbo | 2N5660 | 2 w | U3 | - | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 200 v | 2 a | 200na | Npn | 800mv @ 400ma, 2a | 40 @ 500mA, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||
 | JAN1N3046C-1 | - | | 4018 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/115N | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | DO-13 | 1 w | DO-13 (DO-202AA) | - | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 mA | 10 µA a 91,2 V | 120 v | 550 ohms |
2000+
Volume médio diário de RFQ
30.000.000
Unidade de produto padrão
2800+
Fabricantes em todo o mundo
15.000 m2
Armazém em estoque
Lista de desejos (0 itens)