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Produtos Semicondutores discretos (41164)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | TIPO DE FET | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) | Tipo de transistor | Vce saturação (max) @ ib, ic | Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE | Frequencia - Transmissão |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Jan1n6331d | 24.7800 |  | 8472 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Volume | Ativo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcançar Não Afetado | 150-JAN1N6331D | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 A | 50 Na @ 15 V | 20 v | 18 ohms | ||||||||||||||||||||||||||
| Jantxv1n752a-1/tr | 4.0831 | | 8924 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/127 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-JANTXV1N752A-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 mA | 5 µA A 2,5 V | 5,6 v | 11 ohms | |||||||||||||||||||||||||
 | Jan1n6622 | - | | 3179 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/585 | Volume | Descontinuado no sic | Através do buraco | A, axial | Padrão | A, axial | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 660 v | 1,6 V @ 2 A | 30 ns | 500 Na @ 660 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 10pf @ 10V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||
 | APT5010JVR | 38.7000 | | 5220 | 0,00000000 | Microchip Technology | Power Mos V® | Tubo | Ativo | Montagem do chassi | SOT-227-4, Minibloc | APT5010 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Isotop® | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 500 v | 44a (TC) | 100mohm a 500mA, 10V | 4V @ 2.5MA | 470 nc @ 10 V | 8900 pf @ 25 V | - | ||||||||||||||||||||||
 | 1N4618 | 2.6250 | | 4685 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Através do buraco | Do-204aa, do-7, axial | 500 MW | Do-7 | - | Alcançar Não Afetado | 150-1N4618 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 mA | 1 µA a 1 V | 2,7 v | 1500 ohms | ||||||||||||||||||||||||||
| JAN1N5537D-1 | 13.8000 | | 5920 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Volume | Ativo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 1N5537 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 mA | 10 Na @ 15,3 V | 17 v | 100 ohms | ||||||||||||||||||||||||
 | CDLL5236 | 2.8650 | | 4343 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | ± 20% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Montagem na Superfície | Do-213ab, Mell | CDLL5236 | 10 MW | DO-213AB | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 mA | 3 µA a 6 V | 7,5 v | 6 ohms | ||||||||||||||||||||||||
 | Jantxv1n6844u3/tr | 173.0250 | | 5649 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/679 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | 3-SMD, sem chumbo | Schottky, reversa polaridada | U3 (SMD-0.5) | - | Alcançar Não Afetado | 150-JANTXV1N6844U3/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 900 mV @ 15 A | 100 µA A 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 15a | 600pf @ 5V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||
 | 1N4743AP/TR12 | 1.8900 | | 4033 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4743 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA A 9,9 V | 13 v | 10 ohms | ||||||||||||||||||||||||
 | 2N6339 | 67.2980 | | 6983 | 0,00000000 | Microchip Technology | * | Volume | Ativo | 2N6339 | - | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1n4729ur-1/tr | 3.6200 | | 4465 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Montagem na Superfície | Do-213ab, Mell (Vidro) | 1 w | DO-213AB (Mell, LL41) | - | Ear99 | 8541.10.0050 | 272 | 1,2 V @ 200 mA | 100 µA @ 1 V | 3,6 v | 10 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||
| Jantx1N6345C | 29.2350 | | 5704 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcançar Não Afetado | 150-Jantx1N6345C | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 A | 50 Na @ 56 V | 75 v | 180 ohms | ||||||||||||||||||||||||||
| Jan1n5802 | 7.4700 | | 2644 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/477 | Volume | Ativo | Através do buraco | A, axial | 1N5802 | Padrão | A, axial | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 975 mV @ 2,5 A | 25 ns | 1 µA a 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 2.5a | 25pf @ 10V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
| APT20M20JLL | 30.8600 | | 5246 | 0,00000000 | Microchip Technology | Power Mos V® | Tubo | Ativo | Montagem do chassi | SOT-227-4, Minibloc | APT20M20 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Isotop® | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 200 v | 104a (TC) | 20mohm @ 52a, 10V | 5V @ 2.5mA | 110 nc @ 10 V | 6850 pf @ 25 V | - | ||||||||||||||||||||||
| 2N3440U4 | 180.0421 | | 5032 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Bandeja | Ativo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 3-SMD, sem chumbo | 2N3440 | 5 w | U4 | download | Alcançar Não Afetado | 2N3440U4ms | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 250 v | 1 a | 2µA | Npn | 500mv @ 4Ma, 50Ma | 40 @ 20MA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||
 | Jansr2N2222AUB | 59.6002 | | 4505 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/255 | Bandeja | Ativo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 3-SMD, sem chumbo | 2N2222 | 500 MW | Ub | download | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 v | 800 mA | 50na | Npn | 1V @ 50MA, 500mA | 100 @ 150mA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||
| R2040 | 33.4500 | | 4170 | 0,00000000 | Microchip Technology | R20 | Volume | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AA, DO-4, Stud | R2040 | Padrão | DO-4 (DO-203AA) | download | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 30 A | 10 µA A 400 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 16a | - | ||||||||||||||||||||||||
 | 1N6005D | 5.1900 | | 7725 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 1N6005 | 500 MW | DO-35 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 mA | 100 Na @ 12 V | 16 v | 36 ohms | ||||||||||||||||||||||||
| Jantx1n4117-1/tr | 4.8412 | | 8186 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-Jantx1N4117-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 mA | 10 Na @ 19 V | 25 v | 150 ohms | |||||||||||||||||||||||||
| Jan1n6325d | 24.7800 | | 3239 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Volume | Ativo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcançar Não Afetado | 150-JAN1N6325D | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 A | 1 µA A 8,5 V | 11 v | 7 ohms | ||||||||||||||||||||||||||
 | MNS1N6318US/TR | 18.3900 | | 5889 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SQ-Melf, b | 500 MW | B, Sq-Melf | - | Alcançar Não Afetado | 150-MNS1N6318US/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,4 V @ 1 A | 5 µA A 2,5 V | 5,6 v | 8 ohms | ||||||||||||||||||||||||||
 | Jantxv1n4984c | 22.2000 | | 2742 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | E, axial | 5 w | E, axial | - | Alcançar Não Afetado | 150-Jantxv1N4984C | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 A | 2 µA a 91,2 V | 120 v | 170 ohms | ||||||||||||||||||||||||||
 | Jantxv1n5524dur-1 | 66.0450 | | 6347 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Volume | Ativo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | Alcançar Não Afetado | 2266-Jantxv1N5524Dur-1 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 mA | 2 µA A 3,5 V | 5,6 v | 30 ohms | ||||||||||||||||||||||||||
| Jantxv1n984cur-1 | 19.3800 | | 2957 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Montagem na Superfície | DO-213AA (Vidro) | 1n984 | 500 MW | DO-213AA | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 mA | 500 Na @ 69 V | 91 v | 400 ohms | ||||||||||||||||||||||||
| Jan1n4961 | - | | 3080 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Volume | Descontinuado no sic | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Através do buraco | E, axial | 5 w | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 A | 10 µA a 9,9 V | 13 v | 3 ohms | ||||||||||||||||||||||||||
 | Jan2n4235 | 39.7936 | | 2076 | 0,00000000 | Microchip Technology | MIL-PRF-19500/580 | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 2N4235 | 1 w | TO-39 | download | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 1 a | 1Ma | Pnp | 600mv @ 100ma, 1a | 40 @ 100mA, 1V | - | |||||||||||||||||||||||
| Jantx2N5684 | 196.4676 | | 8872 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/466 | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-204AA, TO-3 | 2N5684 | 300 w | TO-3 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 50 a | 5µA | Npn | 5V @ 10A, 50A | 30 @ 5A, 2V | - | ||||||||||||||||||||||
| Jan1n4980C | 18.5700 | | 6719 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Através do buraco | E, axial | 1N4980 | 5 w | E, axial | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 A | 2 µA A 62,2 V | 82 v | 80 ohms | ||||||||||||||||||||||||
| JAN1N3020B-1 | 8.0400 | | 1208 | 0,00000000 | Microchip Technology | MIL-PRF-19500/115 | Volume | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, do041, axial | 1N3020 | 1 w | DO-41 | download | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 mA | 25 µA a 7,6 V | 10 v | 7 ohms | |||||||||||||||||||||||||
 | Jantxv1N3029Dur-1 | 56.9100 | | 3078 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Volume | Ativo | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C. | Montagem na Superfície | Do-213ab, Mell (Vidro) | 1N3029 | 1 w | DO-213AB (Mell, LL41) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 mA | 10 µA a 18,2 V | 24 v | 25 ohms |
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