- RFQ
- Bom
- Contate-nos
Tel: +86-0755-83501315
E-mail:sales@sic-compponents.com
- chinês
- Inglês
- Francês
- Alemão
- Português
- Espanhol
- russo
- japonês
- coreano
- árabe
- irlandês
- grego
- turco
- italiano
- dinamarquês
- romeno
- indonésio
- Tcheco
- afrikaans
- sueco
- polonês
- Basco
- catalão
- esperanto
- hindi
- Laos
- albanês
- Amárico
- Armênio
- Azerbaijão
- Bielorrusso
- bengali
- Bósnia
- búlgaro
- Cebuano
- Chichewa
- Córsega
- croata
- Holandês
- estoniano
- Filipino
- finlandês
- Frisiano
- Galian
- Georgiano
- Gujarati
- haitiano
- Hausa
- havaiano
- hebraico
- Hmong
- húngaro
- islandês
- Igbo
- Javanês
- Kannada
- Cazaque
- Khmer
- curdo
- Kyrgyz
- Latim
- letão
- lituano
- Luxembou ..
- Macedônio
- malgaxe
- malaio
- Malaiala
- maltês
- maori
- Marathi
- mongol
- birmanês
- Nepalês
- norueguês
- Pashto
- persa
- Punjabi
- sérvio
- Sesoto
- Sinhala
- Eslovaco
- esloveno
- Somali
- Samoano
- Gaélico escocês
- Shona
- Sindhi
- Sundanês
- Suaíli
- Tajique
- tâmil
- Telugu
- Tailandês
- ucraniano
- urdu
- Uzbek
- vietnamita
- galês
- Xhosa
- Yiddish
- Ioruba
- zulu
- Kinyarwanda
- Tatar
- Oriya
- Turquemen
- Uyghur
Produtos Semicondutores discretos (41164)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Aplicações | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | Velocidade | TIPO DE FET | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) | Tipo de transistor | Vce saturação (max) @ ib, ic | Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE | Frequencia - Transmissão | Tensão - Ânodo - Cátodo (VAK) (MAX) | Corrente do Regulador (Max) | Tensão - Limpanha (máx) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Jan1n3909 | - |  | 5781 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/308 | Volume | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AB, DO-5, Stud | Padrão | Do-5 | - | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1,4 V @ 50 A | 200 ns | -65 ° C ~ 150 ° C. | 30a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N5356AE3/TR12 | - | | 3429 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Através do buraco | T-18, axial | 1N5356 | 5 w | T-18 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 A | 500 Na @ 13,7 V | 19 v | 3 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANS1N4955D | 245.7750 | | 8634 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Volume | Ativo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | E, axial | 5 w | E, axial | - | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 A | 100 µA a 5,7 V | 7,5 v | 1,5 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CDLL5251C | 6.7200 | | 6663 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Montagem na Superfície | DO-213AA | 10 MW | DO-213AA | - | Alcançar Não Afetado | 150-CDLL5251C | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 mA | 100 Na @ 17 V | 22 v | 29 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Apt6038sllg | 11.3800 | | 2727 | 0,00000000 | Microchip Technology | Power MOS 7® | Tubo | Ativo | Montagem na Superfície | TO-268-3, D³pak (2 leads + guia), TO-268AA | APT6038 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D3 [s] | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 600 v | 17a (TC) | 380mohm @ 8.5a, 10V | 5V @ 1MA | 43 nc @ 10 V | 1850 pf @ 25 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N3269 | 151.2750 | | 3854 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Montagem do Pino | DO-205AB, DO-9, Stud | 1N3269 | Padrão | DO-205AB (DO-9) | download | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | 1n3269ms | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,3 V @ 300 A | 75 µA A 600 V | -65 ° C ~ 190 ° C. | 275a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | 13 PMT5953B/TR13 | 2.2200 | | 3720 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | DO-216AA | 1pmt5953 | 3 w | DO-216AA | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 12.000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA A 114 V | 150 v | 600 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Jantxv1N3026C-1 | 38.0400 | | 6997 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Volume | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N3026 | 1 w | DO-41 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 mA | 10 µA A 13,7 V | 18 v | 20 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Jan2n349999ub/tr | 20.6150 | | 2170 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/366 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 3-SMD, sem chumbo | 1 w | Ub | - | Alcançar Não Afetado | 150-JAN2N3499UB/TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | 100 v | 500 MA | 10µA (ICBO) | Npn | 600mV A 30MA, 300mA | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1n754d/tr | 5.7750 | | 7061 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | download | Alcançar Não Afetado | 150-1N754D/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 164 | 1,1 V @ 200 mA | 100 Na @ 1 V | 6,8 v | 5 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Jantx1n4627c-1/tr | 12.2493 | | 5224 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-JANTX1N4627C-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 5 µA a 5 V | 6.2 v | 1200 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Jan2n5151 | 13.6192 | | 8653 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/545 | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 2N5151 | 1 w | TO-39 (TO-205AD) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 2 a | 50µA | Pnp | 1,5V a 500mA, 5a | 30 @ 2.5a, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
| APTMC120AM20CT1AG | - | | 6497 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | SP1 | APTMC120 | Carboneto de Silício (sic) | 600W | SP1 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canal (Perna de Fase) | 1200V (1,2kV) | 143A (TC) | 17mohm @ 100a, 20V | 2.3V @ 2Ma (Typ) | 360NC @ 20V | 5960pf @ 1000V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
 | 2N2102A | 27.0522 | | 4976 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | - | Através do buraco | TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN | 5 w | TO-5 | - | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 65 v | 1 a | - | Pnp | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANS1N4581A-1 | 142.3350 | | 4412 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/452 | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6,4 v | 25 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Jantxv1n6622/tr | 18.0900 | | 5719 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/585 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | A, axial | Padrão | A, axial | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-JANTXV1N6622/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 660 v | 1,4 V @ 1,2 A | 30 ns | 500 Na @ 660 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1.2a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 1n4148-1/tr | 0,9750 | | 1319 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 1N4148 | Padrão | DO-35 (DO-204AH) | download | Rohs Não Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 981 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 75 v | 1,2 V @ 100 Ma | 20 ns | 500 Na @ 75 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 200Ma | 4pf @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5340B/TR12 | 2.6850 | | 2934 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Através do buraco | T-18, axial | 1N5340 | 5 w | T-18 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 A | 1 µA A 3 V | 6 v | 1 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Jantxv1n5313ur-1/tr | 40.5600 | | 1049 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | Montagem na Superfície | Do-213ab, Mell (Vidro) | 1N5313 | 500mW | DO-213AB (Mell, LL41) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-JANTXV1N5313UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 4.73mA | 2.75V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Jantxv1n3017dur-1/tr | 51.2449 | | 7918 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C. | Montagem na Superfície | Do-213ab, Mell (Vidro) | 1 w | DO-213AB (Mell, LL41) | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-JANTXV1N3017DUR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 mA | 100 µA a 5,7 V | 7,5 v | 4 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SMBJ5920CE3/TR13 | 1.3350 | | 9816 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | SMBJ5920 | 2 w | SMBJ (DO-214AA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA A 4 V | 6.2 v | 2 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| R3740 | 59.0400 | | 3325 | 0,00000000 | Microchip Technology | SR37 | Volume | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AB, DO-5, Stud | Padrão | Do-5 | - | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,15 V @ 200 A | -65 ° C ~ 200 ° C. | 85a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Jan1n4126C-1 | 10.5000 | | 6607 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 1N4126 | DO-35 (DO-204AH) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 mA | 10 Na @ 38,8 V | 51 v | 300 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Jan1N3025Bur-1 | 12.7350 | | 4083 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Volume | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C. | Montagem na Superfície | Do-213ab, Mell (Vidro) | 1N3025 | 1 w | DO-213AB (Mell, LL41) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 mA | 10 µA A 12,2 V | 16 v | 16 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N2063R | 158.8200 | | 7661 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Montagem do Pino | DO-205AB, DO-9, Stud | Polaridada reversa padrão | DO-205AB (DO-9) | download | Alcançar Não Afetado | 150-1N2063R | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 500 v | 1,3 V @ 300 A | 75 µA @ 500 V | -65 ° C ~ 190 ° C. | 275a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | VN22222LL-G | 0,5400 | | 7 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Bolsa | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) | VN2222 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-92-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 60 v | 230mA (TJ) | 5V, 10V | 7.5Ohm @ 500Ma, 10V | 2.5V @ 1MA | ± 30V | 60 pf @ 25 V | - | 400mW (TA), 1W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
| 2N5613 | 74.1300 | | 1126 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | - | Através do buraco | TO-204AA, TO-3 | 58 w | TO-204AD (TO-3) | - | Alcançar Não Afetado | 150-2N5613 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 5 a | - | Pnp | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5357BE3/TR8 | 2.6850 | | 6141 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Através do buraco | T-18, axial | 1N5357 | 5 w | T-18 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,2 V @ 1 A | 500 Na @ 14,4 V | 20 v | 3 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Jankca1N5546C | - | | 7416 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Volume | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcançar Não Afetado | 150-JANKCA1N5546C | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,1 V @ 200 mA | 10 Na @ 29,7 V | 33 v | 100 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Jan1N4475US | 10.8150 | | 9473 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Montagem na Superfície | SQ-Melf, a | 1N4475 | 1,5 w | D-5A | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 mA | 50 Na @ 21,6 V | 27 v | 18 ohms |
2000+
Volume médio diário de RFQ
30.000.000
Unidade de produto padrão
2800+
Fabricantes em todo o mundo
15.000 m2
Armazém em estoque
Lista de desejos (0 itens)