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Produtos Semicondutores discretos (13379)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça Velocidade TIPO DE FET Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão
DMTH10H010SCT Diodes Incorporated DMTH10H010SCT 1.2202
RFQ
 ECAD 8984 0,00000000 Diodos Incorporados - Tubo Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 DMTH10 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 100 v 100a (ta) 10V 9.5mohm @ 13a, 10v 4V A 250µA 56,4 nc @ 10 V ± 20V 4468 pf @ 50 V - 2.5W (TA), 187W (TC)
PR1501-T Diodes Incorporated PR1501-T 0,0557
RFQ
 ECAD 9034 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco DO-204AC, DO-15, axial PR1501 Padrão DO-15 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 4.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 1,2 V @ 1,5 A 150 ns 5 µA a 50 V -65 ° C ~ 150 ° C. 1.5a -
BZX84C3V6T-7-F Diodes Incorporated BZX84C3V6T-7-F 0,0630
RFQ
 ECAD 2615 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Ativo ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C. Montagem na Superfície SOT-523 BZX84 150 MW SOT-523 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 5 µA @ 1 V 3,6 v 90 ohms
SB560-A-01 Diodes Incorporated SB560-A-01 -
RFQ
 ECAD 9303 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto Através do buraco Do-201D, axial Schottky Do-201d - 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 1.200 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 60 v 670 mV @ 5 A 500 µA A 60 V -65 ° C ~ 150 ° C. 5a -
DMHT3006LFJ-13 Diodes Incorporated DMHT3006LFJ-13 0,5153
RFQ
 ECAD 1606 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 12-powervdfn DMHT3006 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 1.3W (TA) V-DFN5045-12 (TIPO C) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 4 Canais n (Meia Ponte) 30V 13A (TA) 10mohm @ 10a, 10V 3V A 250µA 17NC @ 10V 1171pf @ 15V -
DMT8008LPS-13 Diodes Incorporated DMT8008LPS-13 0,3910
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 ECAD 1264 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn DMT8008 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PowerDi5060-8 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO DMT8008LPS-13DI Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 80 v 83a (TC) 4.5V, 10V 7.8mohm @ 14a, 10v 2.8V @ 1MA 41,2 nc @ 10 V ± 20V 2345 pf @ 40 V - 1.3W (TA), 83W (TC)
DMTH8008LFG-7 Diodes Incorporated DMTH8008LFG-7 0,4973
RFQ
 ECAD 5201 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-powervdfn MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PowerDI3333-8 download Alcançar Não Afetado 31-DMTH8008LFG-7TR Ear99 8541.29.0095 2.000 N-canal 80 v 17a (TA), 70A (TC) 4.5V, 10V 6.9mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 1MA 37,7 nc @ 10 V ± 20V 2254 pf @ 40 V - 1.2W (TA), 50W (TC)
BZT52C3V9TQ-7-F Diodes Incorporated BZT52C3V9TQ-7-F -
RFQ
 ECAD 9182 0,00000000 Diodos Incorporados Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5,13% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-79, SOD-523 BZT52 300 MW SOD-523 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 31-BZT52C3V9TQ-7-FTR Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 3 µA @ 1 V 3,9 v 90 ohms
DMP2110UFDBQ-7 Diodes Incorporated DMP2110UFDBQ-7 0,4600
RFQ
 ECAD 1496 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 6-AUDFN PAD EXPOSTO DMP2110 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) U-DFN2020-6 (TIPO B) download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 3.000 Canal P. 20 v 3.5a (ta) 2.5V, 4.5V 80mohm @ 2.8a, 4.5V 1V a 250µA 6 nc @ 4,5 V ± 10V 443 pf @ 10 V - 800mW (TA)
SBRT10U60D1-13 Diodes Incorporated SBRT10U60D1-13 0,8800
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 Diodos Incorporados Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 SBRT10 Super Barreira TO-252-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 2.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 60 v 520 mv @ 10 a 400 µA A 60 V -55 ° C ~ 150 ° C. 10a -
DMN2004WKQ-7-52 Diodes Incorporated DMN2004WKQ-7-52 0,0848
RFQ
 ECAD 1699 0,00000000 Diodos Incorporados Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 DMN2004 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-323 download 31-DMN2004WKQ-7-52 Ear99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 v 540mA (TA) 1.8V, 4.5V 550mohm @ 540mA, 4,5V 1V a 250µA ± 8V 150 pf @ 16 V - 200MW (TA)
DMT3009UFVW-7 Diodes Incorporated DMT3009UFVW-7 0,1719
RFQ
 ECAD 7313 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem NA Superfície, Flanco Molhado 8-powervdfn DMT3009 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PowerDi3333-8 (SWP) Tipo UX download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 31-DMT3009UFVW-7TR Ear99 8541.29.0095 2.000 N-canal 30 v 10.6a (ta), 30a 4.5V, 10V 11mohm @ 11a, 10V 1.8V a 250µA 7,4 nc @ 10 V ± 12V 894 pf @ 15 V - 1.2W (TA), 2,6W (TC)
BAW56HDW-13 Diodes Incorporated BAW56HDW-13 0,0403
RFQ
 ECAD 1088 0,00000000 Diodos Incorporados Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BAW56 Padrão SOT-363 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 10.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 2 par ânodo comum 100 v 250mA (DC) 1,25 V @ 150 Ma 4 ns 500 Na @ 80 V -65 ° C ~ 155 ° C.
SBL1060CTP Diodes Incorporated SBL1060CTP -
RFQ
 ECAD 8540 0,00000000 Diodos Incorporados - Tubo Obsoleto Através do buraco Guia Isolada parágrafo 220-3 Schottky Ito-220s download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Sbl1060ctpdi Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 60 v 5a 700 mv @ 5 a 500 µA A 60 V -65 ° C ~ 150 ° C.
MMBZ5259BW-7-F Diodes Incorporated MMBZ5259BW-7-F 0,0630
RFQ
 ECAD 7091 0,00000000 Diodos Incorporados Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 200 MW SOT-323 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 100 Na @ 30 V 39 v 80 ohms
SD103ATW-7-F-2477 Diodes Incorporated SD103ATW-7-F-2477 -
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 ECAD 3543 0,00000000 Diodos Incorporados - Volume Última Vez compra Montagem na Superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Schottky SOT-363 - 31-SD103ATW-7-F-2477 1 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 3 Independente 40 v 175mA 500 mV @ 100 Ma 10 ns 5 µA A 30 V -55 ° C ~ 125 ° C.
DMNH4006SPS-13 Diodes Incorporated DMNH4006SPS-13 0,5968
RFQ
 ECAD 3369 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DMNH4006 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO DMNH4006SPS-13DI Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 v 110A (TC) 10V 7mohm @ 50a, 10V 4V A 250µA 50,9 nc @ 10 V 20V 2280 pf @ 25 V - 1.6W (TA)
LZ52C30WS Diodes Incorporated LZ52C30WS -
RFQ
 ECAD 9378 0,00000000 Diodos Incorporados - Volume Última Vez compra ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 1206 (3216 Mética) LZ52C 500 MW 1206 - 31-LZ52C30WS Ear99 8541.10.0050 1 1,5 V @ 200 mA 100 Na @ 22 V 30 v 80 ohms
DMN2040UVT-7 Diodes Incorporated DMN2040UVT-7 0,0927
RFQ
 ECAD 2540 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 DMN2040 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TSOT-26 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 20 v 6.7a (ta) 2.5V, 4.5V 24mohm @ 6.2a, 4.5V 1,5V a 250µA 7,5 nc @ 4,5 V ± 8V 667 pf @ 10 V - 1.2W (TA)
SBR40U200CTBQ-13 Diodes Incorporated SBR40U200CTBQ-13 1.6062
RFQ
 ECAD 4793 0,00000000 Diodos Incorporados Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab SBR40 Super Barreira TO-263AB (D²PAK) download Alcançar Não Afetado 31-SBR40U200CTBQ-13TR Ear99 8541.10.0080 800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 200 v 20a 930 mV @ 20 A 26 ns 200 µA a 200 V -65 ° C ~ 175 ° C.
B120B-13 Diodes Incorporated B120B-13 -
RFQ
 ECAD 9273 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície DO-214AA, SMB B120 Schottky SMB - Rohs Não Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 20 v 500 mV @ 1 a 500 µA A 20 V -65 ° C ~ 150 ° C. 1a 110pf @ 4V, 1MHz
DMG6302UDW-13 Diodes Incorporated DMG6302UDW-13 0,0490
RFQ
 ECAD 8002 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMG6302 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 310mW (TA) SOT-363 download Alcançar Não Afetado 31-DMG6302UDW-13TR Ear99 8541.21.0095 10.000 2 Canal P (Duplo) 25V 150mA (TA) 10ohm a 140mA, 4,5V 1,5V a 250µA 0,34NC @ 4.5V 30.7pf @ 10V -
MURB1620CT-T-F Diodes Incorporated MURB1620CT-TF -
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 ECAD 1317 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MURB1620CT Padrão TO-263AB (D²PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 200 v 16a 975 mV @ 8 a 30 ns 5 µA A 200 V -65 ° C ~ 150 ° C.
DMT10H010LPS-13 Diodes Incorporated DMT10H010LPS-13 1.5400
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn DMT10 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PowerDi5060-8 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 v 9.4a (ta), 98a (tc) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 13a, 10v 3,5V a 250µA 71 nc @ 10 V ± 20V 3000 pf @ 50 V - 1.2W (TA), 139W (TC)
BZT52C10-13-G Diodes Incorporated BZT52C10-13-G -
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 ECAD 2303 0,00000000 Diodos Incorporados * Tape & Reel (TR) Obsoleto BZT52 - 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado BZT52C10-13-GDI Ear99 8541.10.0050 10.000
DSR10F600PI Diodes Incorporated DSR10F600PI -
RFQ
 ECAD 6246 0,00000000 Diodos Incorporados - Volume Obsoleto Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2, Guia Isolada Padrão ITO-220AC download 31-DSR10F600PI Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 3,2 V @ 10 A 30 ns 20 µA A 600 V 175 ° C. 10a 26pf @ 10V, 1MHz
DDZ5V6BSF-7 Diodes Incorporated Ddz5v6bsf-7 0,2100
RFQ
 ECAD 96 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2,5% -65 ° C ~ 150 ° C. Montagem na Superfície SC-90, SOD-323F Ddz5v6 500 MW SOD-323F download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 7,5 µA a 2 V 5,6 v 80 ohms
RS2MA-13-F Diodes Incorporated RS2MA-13-F 0,4200
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AC, SMA Rs2m Padrão SMA download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1000 v 1,3 V @ 1,5 A 500 ns 5 µA A 1000 V -65 ° C ~ 150 ° C. 1.5a 30pf @ 4V, 1MHz
DMG4800LK3-13 Diodes Incorporated DMG4800LK3-13 0,5800
RFQ
 ECAD 9337 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 DMG4800 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 v 10a (ta) 4.5V, 10V 17mohm @ 9a, 10V 1.6V a 250µA 8,7 nc @ 5 V ± 25V 798 pf @ 10 V - 1.71W (TA)
DXTN5860DFDB-7 Diodes Incorporated DXTN5860DFDB-7 0,5300
RFQ
 ECAD 6306 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 3-AUDFN PAD EXPOSTO 690 MW U-DFN2020-3 (TIPO B) download Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 60 v 6 a 100na Npn 315mv @ 300ma, 6a 280 @ 500MA, 2V 115MHz
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