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Produtos Semicondutores discretos (13379)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça Velocidade TIPO DE FET Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) @ 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Resistor - Base de Emissor (R2)
MMST5401-7-F Diodes Incorporated MMST5401-7-F 0,3300
RFQ
 ECAD 21 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 MMST5401 200 MW SOT-323 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 150 v 200 MA 50na (ICBO) Pnp 500mv @ 5Ma, 50Ma 60 @ 10MA, 5V 300MHz
SBG2040CT-T-F Diodes Incorporated SBG2040CT-TF -
RFQ
 ECAD 3200 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab SBG2040CT Schottky TO-263AB (D²PAK) download 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 40 v 20a 550 mV @ 10 A 1 mA a 40 V -65 ° C ~ 150 ° C.
APT27ZTR-G1 Diodes Incorporated APT27ZTR-G1 -
RFQ
 ECAD 1948 0,00000000 Diodos Incorporados - Fita E CAIXA (TB) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads APT27 800 MW Parágrafo 92 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.21.0095 2.000 450 v 800 mA 10µA Npn 500mv @ 40mA, 200Ma 15 @ 100mA, 10V -
DMN10H220LQ-7 Diodes Incorporated DMN10H220LQ-7 0,4600
RFQ
 ECAD 6083 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN10 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 v 1.6a (ta) 4.5V, 10V 220mohm @ 1.6a, 10V 2,5V a 250µA 8,3 nc @ 10 V ± 16V 401 pf @ 25 V - 1.3W (TA)
BZT52C9V1T-7 Diodes Incorporated BZT52C9V1T-7 0,2100
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Ativo ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C. Montagem na Superfície SC-79, SOD-523 BZT52 300 MW SOD-523 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 500 Na @ 6 V 9.1 v 15 ohms
MBRB20200CT-13 Diodes Incorporated MBRB20200CT-13 0,8900
RFQ
 ECAD 419 0,00000000 Diodos Incorporados Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MBRB20200 Schottky To-263 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 200 v 10a 890 mV @ 10 A 100 µA A 200 V -55 ° C ~ 175 ° C.
ZXTP720MATA Diodes Incorporated ZXTP720MATA 0,5300
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 3-udfn ZXTP720 3 w DFN2020B-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0075 3.000 40 v 3 a 25na Pnp 370mv @ 250mA, 2.5a 60 @ 1.5a, 2V 190MHz
ZTX1053ASTOB Diodes Incorporated ZTX1053ASTOB -
RFQ
 ECAD 4820 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) Através do buraco E-Line-3, FiOS Formados ZTX1053A 1 w E-line (Compatível com 92) download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0075 2.000 75 v 3 a 10Na Npn 350mv @ 100ma, 3a 300 @ 1A, 2V 140MHz
1N5404G-T Diodes Incorporated 1N5404G-T 0,3700
RFQ
 ECAD 35 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-201D, axial 1N5404 Padrão Do-201d download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 1.200 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,1 V @ 3 A 2 µs 5 µA A 400 V -65 ° C ~ 150 ° C. 3a 40pf @ 4V, 1MHz
SBR10120CT-G Diodes Incorporated SBR10120CT-G -
RFQ
 ECAD 7408 0,00000000 Diodos Incorporados - Tubo Obsoleto - SBR10120 - - 1 (ilimito) 31-SBR10120CT-G Obsoleto 50 - - - -
DMN2005DLP4K-7 Diodes Incorporated DMN2005DLP4K-7 0,4900
RFQ
 ECAD 1536 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Ativo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 6-XFDFN PAD EXPOSTO DMN2005 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 400mW X2-DFN1310-6 (TIPO B) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 3.000 2 canal n (Duplo) 20V 300mA 1.5OHM @ 10MA, 4V 900MV @ 100µA - - -
DMTH4008LPDW-13 Diodes Incorporated DMTH4008LPDW-13 0,2900
RFQ
 ECAD 6661 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn DMTH4008 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 2.67W (TA), 39,4W (TC) PowerDi5060-8 (Tipo UXD) download Alcançar Não Afetado 31-DMTH4008LPDW-13TR Ear99 8541.29.0095 2.500 2 canal n (Duplo) 40V 10a (ta), 46.2a (tc) 12.3mohm @ 20a, 10V 2.3V A 250µA 12.3NC @ 10V 881pf @ 20V -
SBR20200CTFP Diodes Incorporated SBR20200CTFP 0,8926
RFQ
 ECAD 2707 0,00000000 Diodos Incorporados SBR® Tubo Ativo Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada SBR20200 Super Barreira ITO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO SBR20200CTFPDI Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 200 v 10a 980 mV a 10 mA 100 µA A 200 V -65 ° C ~ 175 ° C.
BZX84C18Q-7-F Diodes Incorporated BZX84C18Q-7-F 0,0357
RFQ
 ECAD 7410 0,00000000 Diodos Incorporados Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo ± 6,39% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300 MW SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 31-BZX84C18Q-7-FTR Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 100 Na @ 12,6 V 18 v 45 ohms
NMSD200B01-7 Diodes Incorporated NMSD200B01-7 -
RFQ
 ECAD 4041 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-363 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 v 200Ma (TA) 5V, 10V 3ohm @ 50ma, 5V 3V @ 1Ma ± 20V 50 pf @ 25 V Diodo Schottky (Isolado) 200MW (TA)
SBR4045CTFP-G Diodes Incorporated SBR4045CTFP-G -
RFQ
 ECAD 2927 0,00000000 Diodos Incorporados SBR® Tubo Obsoleto Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada SBR4045 Super Barreira ITO-220AB download 1 (ilimito) 31-SBR4045CTFP-G Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 45 v 20a 550 mV @ 20 A 500 µA @ 45 V -65 ° C ~ 150 ° C.
DZ23C7V5-7-F Diodes Incorporated DZ23C7V5-7-F 0,0756
RFQ
 ECAD 5493 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Dz23 300 MW SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000 1 par cátodo comum 7,5 v 7 ohms
SBR20U100CTE Diodes Incorporated SBR20U100CTE -
RFQ
 ECAD 2356 0,00000000 Diodos Incorporados SBR® Tubo Obsoleto Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA SBR20 Super Barreira To-262 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO SBR20U100CTEDI Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 100 v 10a 700 mv @ 10 a 500 µA @ 100 V -65 ° C ~ 175 ° C.
BZX84B6V2-7-F Diodes Incorporated BZX84B6V2-7-F 0,0337
RFQ
 ECAD 6129 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C. Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300 MW SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 3 µA A 4 V 6.2 v 10 ohms
BSS138DW-7-F-52 Diodes Incorporated BSS138DW-7-F-52 0,0642
RFQ
 ECAD 2030 0,00000000 Diodos Incorporados - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BSS138 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 200MW (TA) SOT-363 download 1 (ilimito) 31-BSS138DW-7-F-52 Ear99 8541.21.0095 3.000 2 n-canal 50V 200Ma (TA) 3.5OHM @ 220MA, 10V 1,5V a 250µA - 50pf @ 10V Padrão
SDT10150GCT Diodes Incorporated SDT10150GCT 0,7316
RFQ
 ECAD 3670 0,00000000 Diodos Incorporados - Tubo Ativo Através do buraco To-220-3 SDT10150 Schottky To-220-3 download Alcançar Não Afetado 31-SDT10150GCT Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 150 v 5a 790 mV @ 5 A 8 µA A 150 V -55 ° C ~ 175 ° C.
BZT52C22-13-F-79 Diodes Incorporated BZT52C22-13-F-79 -
RFQ
 ECAD 2384 0,00000000 Diodos Incorporados * Tape & Reel (TR) Obsoleto BZT52 - 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado BZT52C22-13-F-79DI Ear99 8541.10.0050 10.000
DFLS1200-7-52 Diodes Incorporated DFLS1200-7-52 0.1117
RFQ
 ECAD 5029 0,00000000 Diodos Incorporados - Volume Ativo Montagem na Superfície Powerdi®123 DFLS1200 Schottky Powerdi ™ 123 download 31-DFLS1200-7-52 Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 850 mV @ 1 a 2 µA a 200 V -65 ° C ~ 175 ° C. 1a 23pf @ 5V, 1MHz
DDTA124GUA-7-F Diodes Incorporated DDTA124GUA-7-F 0,0435
RFQ
 ECAD 9766 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 DDTA124 200 MW SOT-323 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500na (ICBO) PNP - Pré -tendencioso 300mv @ 500µA, 10MA 56 @ 5MA, 5V 250 MHz 22 Kohms
DMN2710UFB-7 Diodes Incorporated DMN2710UFB-7 0,0467
RFQ
 ECAD 2316 0,00000000 Diodos Incorporados - Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 3-ufdfn DMN2710 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) X1-DFN1006-3 download 31-DMN2710UFB-7 Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 20 v 1.3a (ta) 1.8V, 4.5V 450mohm a 600mA, 4,5V 1V a 250µA 0,6 nc @ 4,5 V ± 6V 42 pf @ 16 V - 720mW (TA)
DRDP006W-7 Diodes Incorporated DRDP006W-7 0,1040
RFQ
 ECAD 1825 0,00000000 Diodos Incorporados Drd (xxxx) w Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DRDP006 200 MW SOT-363 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Drdp006wditr Ear99 8541.21.0075 3.000 60 v 600 mA 10na (ICBO) PNP - Diodo Pré -tendencioso + 400mv @ 15Ma, 150mA - 200 MHz
DMN1023UCB4-7 Diodes Incorporated DMN1023UCB4-7 -
RFQ
 ECAD 3516 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 4-UFBGA, WLBGA DMN1023 U-WLB1010-4 (TIPO C) - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 12 v 5.1a (ta) 1.8V, 4.5V 23mohm @ 1a, 4.5V 1.2V a 250µA 2,3 nc @ 4,5 V ± 8V 288 pf @ 6 V - 800mW (TA)
UG2002-T Diodes Incorporated UG2002-T -
RFQ
 ECAD 3864 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto Através do buraco DO-204AC, DO-15, axial Padrão DO-15 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 4.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 1 V @ 2 A 50 ns 5 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a 30pf @ 4V, 1MHz
UG1004-T Diodes Incorporated UG1004-T -
RFQ
 ECAD 7944 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto Através do buraco Do-204al, DO-41, axial Padrão DO-41 download 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,3 V @ 1 a 50 ns 5 µA A 400 V -65 ° C ~ 150 ° C. 1a -
1SMB5926B-13 Diodes Incorporated 1SMB5926B-13 0,1257
RFQ
 ECAD 5443 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Montagem na Superfície DO-214AA, SMB 1SMB5926 3 w SMB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO 1SMB5926B-13DI Ear99 8541.10.0050 3.000 1,5 V @ 200 mA 1 µA a 8,4 V 11 v 5,5 ohms
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