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Produtos Semicondutores discretos (13379)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça Velocidade TIPO DE FET Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão
BZX84C2V4-7-F-79 Diodes Incorporated BZX84C2V4-7-F-79 -
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 ECAD 6665 0,00000000 Diodos Incorporados * Tape & Reel (TR) Obsoleto BZX84 - 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado BZX84C2V4-7-F-79DI Ear99 8541.10.0050 3.000
ZXTN618MATA Diodes Incorporated Zxtn618mata 0,5300
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 3-udfn ZXTN618 1,5 w DFN2020B-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0075 3.000 20 v 4.5 a 25na Npn 270mv a 125mA, 4.5a 200 @ 2a, 2V 140MHz
ZXMN3A02X8TA Diodes Incorporated ZXMN3A02X8TA 1.4000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-TSSOP, 8 msop (0,118 ", 3,00 mm de largura) Zxmn3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8 msop download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N-canal 30 v 5.3a (ta) 4.5V, 10V 25mohm @ 12a, 10V 1V a 250µA 26,8 nc @ 10 V ± 20V 1400 pf @ 25 V - 1.1W (TA)
BZX84C4V3-7-F-79 Diodes Incorporated BZX84C4V3-7-F-79 -
RFQ
 ECAD 2754 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 6,98% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300 MW SOT-23-3 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 31-BZX84C4V3-7-F-79TR Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 3 µA @ 1 V 4.3 v 90 ohms
SBR8E45P5-7 Diodes Incorporated SBR8E45P5-7 0,5700
RFQ
 ECAD 9514 0,00000000 Diodos Incorporados SBR® Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície Powerdi ™ 5 SBR8E45 Super Barreira Powerdi ™ 5 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 1.500 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 45 v 510 mV @ 8 a 350 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C. 8a -
SBR20A300CT Diodes Incorporated SBR20A300CT 2.3600
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 ECAD 3892 0,00000000 Diodos Incorporados SBR® Tubo Ativo Através do buraco To-220-3 SBR20 Super Barreira To-220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 300 v 10a 920 mV @ 10 A 35 ns 100 µA @ 300 V -65 ° C ~ 175 ° C.
ZXTN25012EFLTA Diodes Incorporated ZXTN25012EFLTA 0,4200
RFQ
 ECAD 9374 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ZXTN25012 350 MW SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 12 v 2 a 50na (ICBO) Npn 300mv @ 100ma, 5a 500 @ 10MA, 2V 260MHz
DMT3020LFDF-13 Diodes Incorporated DMT3020LFDF-13 0.1914
RFQ
 ECAD 9869 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 6-AUDFN PAD EXPOSTO DMT3020 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) U-DFN2020-6 (TIPO F) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 10.000 N-canal 30 v 8.4a (ta) 4.5V, 10V 17mohm @ 9a, 10V 2,5V a 250µA 70 nc @ 10 V ± 20V 393 pf @ 15 V - 700mW (TA), 1,8W (TC)
ZVN3306ASTOB Diodes Incorporated ZVN3306ASTOB -
RFQ
 ECAD 7384 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco E-line-3 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) E-line (Compatível com 92) download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 2.000 N-canal 60 v 270mA (TA) 10V 5ohm @ 500mA, 10V 2.4V @ 1Ma ± 20V 35 pf @ 18 V - 625MW (TA)
SBR20A60CTFP Diodes Incorporated SBR20A60CTFP 0,8680
RFQ
 ECAD 8803 0,00000000 Diodos Incorporados SBR® Tubo Ativo Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada SBR20 Super Barreira ITO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 60 v 10a 650 mV @ 10 A 500 µA A 60 V -65 ° C ~ 150 ° C.
BAS21-7-F Diodes Incorporated Bas21-7-f 0,1400
RFQ
 ECAD 30 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bas21 Padrão SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 200 v 1,25 V @ 200 mA 50 ns 100 Na @ 200 V -65 ° C ~ 150 ° C. 200Ma 5pf @ 0V, 1MHz
DMWS120H100SM4 Diodes Incorporated DMWS120H100SM4 20.2100
RFQ
 ECAD 14 0,00000000 Diodos Incorporados - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-4 DMWS120 Sic (transistor de junção de carboneto de Silício) To-247-4 download ROHS3 Compatível Não Aplicável 31-DMWS120H100SM4 Ear99 8541.29.0095 30 N-canal 1200 v 37.2a (TC) 15V 100mohm @ 20a, 15V 3.5V @ 5MA 52 NC @ 15 V +19V, -8V 1516 pf @ 1000 V - 208W (TC)
BSS84Q-13-F-52 Diodes Incorporated BSS84Q-13-F-52 0,0502
RFQ
 ECAD 7305 0,00000000 Diodos Incorporados Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS84 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-23-3 download 1 (ilimito) 31-BSS84Q-13-F-52 Ear99 8541.21.0095 10.000 Canal P. 50 v 130mA (TA) 5V 10ohm @ 100ma, 5V 2V @ 1MA 0,59 nc @ 10 V ± 20V 45 pf @ 25 V - 300mW (TA)
DSR6U600D1-13 Diodes Incorporated DSR6U600D1-13 -
RFQ
 ECAD 4726 0,00000000 Diodos Incorporados Diodestar ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 DSR6U600 Padrão TO-252-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 2.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 2,6 V @ 6 A 45 ns 50 µA A 600 V -65 ° C ~ 175 ° C. 6a 30pf @ 4V, 1MHz
ZXMD63C02XTA Diodes Incorporated ZXMD63C02XTA -
RFQ
 ECAD 4090 0,00000000 Diodos Incorporados - Fita de Corte (CT) Obsoleto Montagem na Superfície 8-TSSOP, 8 msop (0,118 ", 3,00 mm de largura) ZXMD63 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 1.04W 8 msop download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 1.000 N E P-Canal 20V 2.4a, 1.7a 130mohm @ 1.7a, 4.5V 700MV A 250µA 6nc @ 4.5V 350pf @ 15V Portão de Nível Lógico
DMNH6008SPSQ-13 Diodes Incorporated DMNH6008SPSQ-13 0,7088
RFQ
 ECAD 8616 0,00000000 Diodos Incorporados Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn DMNH6008 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PowerDi5060-8 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 v 16.5a (ta), 88a (tc) 10V 8mohm @ 20a, 10V 4V A 250µA 40,1 nc @ 10 V ± 20V 2597 pf @ 30 V - 1.6W (TA)
DMT3020LFDFQ-13 Diodes Incorporated DMT3020LFDFQ-13 0.1501
RFQ
 ECAD 7612 0,00000000 Diodos Incorporados Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 6-AUDFN PAD EXPOSTO DMT3020 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) U-DFN2020-6 (TIPO F) download Alcançar Não Afetado 31-DMT3020LFDFQ-13TR Ear99 8541.29.0095 10.000 N-canal 30 v 8.4a (ta) 4.5V, 10V 17mohm @ 9a, 10V 2,5V a 250µA 7 nc @ 10 V ± 20V 393 pf @ 15 V - 700mW (TA)
DMT3022UEV-7 Diodes Incorporated DMT3022UEV-7 0,2436
RFQ
 ECAD 1781 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-powervdfn DMT3022 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 900MW (TA) PowerDi3333-8 (TIPO UXD) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 2.000 2 canal n (Duplo) 30V 17a (TC) 22mohm @ 11a, 10V 1.8V a 250µA 13.9NC @ 10V 903pf @ 15V -
SDT30120CT Diodes Incorporated SDT30120CT 0,8800
RFQ
 ECAD 8871 0,00000000 Diodos Incorporados - Tubo Ativo Através do buraco To-220-3 SDT30120 Schottky To-220-3 download ROHS3 Compatível Não Aplicável ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 120 v 15a 930 mV @ 15 A 100 µA A 120 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MMBZ5256BT-7-G Diodes Incorporated MMBZ5256BT-7-G -
RFQ
 ECAD 6738 0,00000000 Diodos Incorporados * Tape & Reel (TR) Obsoleto - 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado MMBZ5256BT-7-GDI Ear99 8541.10.0050 3.000
BCX5316QTA Diodes Incorporated BCX5316QTA 0,4300
RFQ
 ECAD 850 0,00000000 Diodos Incorporados Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-243AA BCX5316 1 w SOT-89-3 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0075 1.000 80 v 1 a 100na (ICBO) Pnp 500mv @ 50Ma, 500mA 100 @ 150mA, 2V 150MHz
BZX84C6V8S-7-F Diodes Incorporated BZX84C6V8S-7-F 0,0756
RFQ
 ECAD 2038 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5,88% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BZX84 200 MW SOT-363 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000 2 Independente 900 mV a 10 mA 2 µA A 4 V 6,8 v 15 ohms
DMP3013SFK-7 Diodes Incorporated DMP3013SFK-7 0,2393
RFQ
 ECAD 8872 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Ativo - - - DMP3013 - - - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 - 10.5a (ta) - - - - - -
B360-13 Diodes Incorporated B360-13 -
RFQ
 ECAD 4833 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície DO-214AB, SMC B360 Schottky SMC download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 60 v 700 mv @ 3 a 500 µA A 60 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a 200pf @ 4V, 1MHz
MMBZ5237BT-7-G Diodes Incorporated MMBZ5237BT-7-G -
RFQ
 ECAD 6397 0,00000000 Diodos Incorporados * Tape & Reel (TR) Obsoleto - 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado MMBZ5237BT-7-GDI Ear99 8541.10.0050 3.000
SBR12E45LH1-13R Diodes Incorporated SBR12E45LH1-13R -
RFQ
 ECAD 6064 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície Powerdi ™ 5SP Super Barreira PowerDi5SP ™ download Alcançar Não Afetado 31-SBR12E45LH1-13RTR Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 45 v 520 mV @ 12 A 300 µA @ 45 V -65 ° C ~ 150 ° C. 12a -
RS3DB-13-F Diodes Incorporated RS3DB-13-F 0,9100
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AB, SMC Rs3d Padrão SMC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,3 V @ 3 A 150 ns 5 µA A 200 V -65 ° C ~ 150 ° C. 3a 50pf @ 4V, 1MHz
DMTH15H017SPSWQ-13 Diodes Incorporated DMTH15H017SPSWQ-13 0,8967
RFQ
 ECAD 2998 0,00000000 Diodos Incorporados Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície, Flanco Molhado 8-PowerTdfn DMTH15 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PowerDi5060-8 (Tipo UX) - 31-DMTH15H017SPSWQ-13 Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 150 v 11a (ta), 61a (tc) 8V, 10V 19mohm @ 20a, 10V 4V A 250µA 34 NC @ 10 V ± 20V 2344 pf @ 75 V - 1.5W (TA)
ZVN2110GTC Diodes Incorporated ZVN2110GTC -
RFQ
 ECAD 9059 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-261-4, TO-261AA MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-223-3 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4.000 N-canal 100 v 500mA (TA) 10V 4ohm @ 1a, 10V 2.4V @ 1Ma ± 20V 75 pf @ 25 V - 2W (TA)
DMTH45M5LPSW-13 Diodes Incorporated DMTH45M5LPSW-13 0,8600
RFQ
 ECAD 1548 0,00000000 Diodos Incorporados Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície, Flanco Molhado 8-PowerTdfn DMTH45M MOSFET (ÓXIDO DE METAL) PowerDi5060-8 (Tipo UX) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 v 86a (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 25a, 10V 2.3V A 250µA 13,9 nc @ 10 V ± 20V 978 pf @ 20 V - 3.5W (TA), 72W (TC)
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