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Produtos Semicondutores discretos (13379)

Número do Produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade Dispon Svel	Mfr	Série	Pacote	Status do produto	Tolerânia	Temperatura operacional	Tipo de Montagem	Pacote / Caso	Número do Produto Base	Tecnologia	Poder - Máx	Pacote de Dispositivo de Fornecedor	Ficha de Dadas	Status do rohs	Nível de sensibilidade à Umidade (msl)	Status de alcance	Nomes de Ulros	ECCN	Htsus	PACOTE PADROO	Configuraça	Velocidade	TIPO DE FET	Escorra para um tensão de origem (VDSS)	Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C	Tensão de conduça (max rds on, min rds on)	Rds em (max) @ id, vgs	VGS (th) (max) @ id	Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS	VGs (Máximoo)	CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Recurso FET	DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX)	Configuraça do Diodo	Tensão - DC Reversa (VR) (Max)	Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo)	Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se	Tempo de RecuperAção Reversa (TRR)	ATUAL - Vazamento Reverso @ VR	Temperatura operacional - Junção	Corrente - Retificada Média (IO)	Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max)	Corrente - Coletor (IC) (Max)	Tipo de diodo	Tensão - Pico Reverso (Max)	Corrente - Corte de Colecionador (Max)	Tensão - Zener (NOM) (VZ)	Impedioso (máx) (ZZT)	Tipo de transistor	Vce saturação (max) @ ib, ic	Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE	Frequencia - Transmissão
KBP304G	0,8300	RFQ	35	Diodos Incorporados	-	Tubo	Ativo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Através do buraco	4-sip, KBP	KBP304	Padrão		KBP	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	ALCANCE AFETADO		Ear99	8541.10.0080	35																	1,1 V @ 3 A		5 µA A 400 V		3 a			Fase Única	400 v
KBP310G	0,8200	RFQ	35	Diodos Incorporados	-	Tubo	Ativo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Através do buraco	4-sip, KBP	KBP310	Padrão		KBP	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	ALCANCE AFETADO		Ear99	8541.10.0080	35																	1,1 V @ 3 A		5 µA A 1000 V		3 a			Fase Única	1 kv
KBP406G	0,7400	RFQ	3118	Diodos Incorporados	-	Tubo	Ativo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Através do buraco	4-sip, KBP	KBP406	Padrão		KBP	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	ALCANCE AFETADO		Ear99	8541.10.0080	35																	1,1 V @ 4 A		5 µA A 600 V		4 a			Fase Única	600 v
KBP408G	0,7400	RFQ	6899	Diodos Incorporados	-	Tubo	Ativo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Através do buraco	4-sip, KBP	KBP408	Padrão		KBP	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	ALCANCE AFETADO		Ear99	8541.10.0080	35																	1,1 V @ 4 A		5 µA A 800 V		4 a			Fase Única	800 v
GBU25KH	1.6530	RFQ	2354	Diodos Incorporados	-	Tape & Reel (TR)	Ativo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Através do buraco	4-sip, GBU	GBU25	Padrão		GBU	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	ALCANCE AFETADO		Ear99	8541.10.0080	20																	1,05 V @ 12,5 A		10 µA a 800 V		25 a			Fase Única	800 v
AZ23C36-7-G	-	RFQ	2039	Diodos Incorporados	*	Tape & Reel (TR)	Obsoleto					AZ23C36				-		1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	AZ23C36-7-GDI	Ear99	8541.10.0050	3.000
BZT52C39-13-F-79	-	RFQ	6977	Diodos Incorporados	*	Tape & Reel (TR)	Obsoleto					BZT52				-		1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	BZT52C39-13-F-79DI	Ear99	8541.10.0050	10.000
MMBZ5227BT-7-G	-	RFQ	5072	Diodos Incorporados	*	Tape & Reel (TR)	Obsoleto									-		1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	MMBZ5227BT-7-GDI	Ear99	8541.10.0050	3.000
MMST5401Q-7-F	0,3300	RFQ	2	Diodos Incorporados	Automotivo, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Ativo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	SC-70, SOT-323	MMST5401		200 MW	SOT-323	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.21.0075	3.000																						150 v	200 MA			50na (ICBO)			Pnp	500mv @ 5Ma, 50Ma	60 @ 10MA, 5V	300MHz
DMT10H009LCG-7	1.1700	RFQ	1	Diodos Incorporados	-	Tape & Reel (TR)	Ativo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	8-powervdfn	DMT10	MOSFET (ÓXIDO DE METAL)		V-DFN3333-8 (TIPO B)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.29.0095	2.000			N-canal	100 v	12.4a (ta), 47a (tc)	4.5V, 10V	8.8mohm @ 20a, 10V	2,5V a 250µA	20,2 nc @ 4,5 V	± 20V	2309 pf @ 50 V	-	1W (TA)
DMTH8008LPS-13	0,3849	RFQ	8348	Diodos Incorporados	-	Tape & Reel (TR)	Ativo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	8-PowerTdfn	DMTH8008	MOSFET (ÓXIDO DE METAL)		PowerDi5060-8	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	ALCANCE AFETADO	DMTH8008LPS-13DI	Ear99	8541.29.0095	2.500			N-canal	80 v	91a (TC)	4.5V, 10V	7.8mohm @ 14a, 10v	2.8V @ 1MA	41,2 nc @ 10 V	± 20V	2345 pf @ 40 V	-	1.5W (TA), 100W (TC)
BZT52C16LPQ-7	0,0672	RFQ	1781	Diodos Incorporados	Automotivo, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Ativo	± 5,62%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	0402 (1006 Mética)	BZT52		250 MW	X1-DFN1006-2	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	BZT52C16LPQ-7DI	Ear99	8541.10.0050	3.000																	900 mV a 10 mA		100 Na @ 11,2 V								16 v	40 ohms
DMC67D8UFDBQ-13	0.1124	RFQ	2985	Diodos Incorporados	Automotivo, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Ativo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	6-AUDFN PAD EXPOSTO	DMC67	MOSFET (ÓXIDO DE METAL)	580MW (TA)	U-DFN2020-6 (TIPO B)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	DMC67D8UFDBQ-13DI	Ear99	8541.21.0095	10.000	N e P-Canal complementar			60V, 20V	390mA (ta), 2.9a (ta)		4OHM @ 500MA, 10V, 72mohm @ 3.5a, 4.5V	2,5V a 250µA, 1,25V a 250µA	0,4pc @ 4.5V, 7.3NC @ 4.5V		41pf @ 25V, 443pf @ 16V	-
DMG1023UVQ-7	0,4200	RFQ	3	Diodos Incorporados	Automotivo, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Ativo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	SOT-563, SOT-666	DMG1023	MOSFET (ÓXIDO DE METAL)	530mW (TA)	SOT-563	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.21.0095	3.000	2 Canal P (Duplo)			20V	1.03a (ta)		750mohm @ 430mA, 4.5V	1V a 250µA	0,622NC @ 4.5V		59pf @ 16V	-
DMN16M0UCA6-7	0,2362	RFQ	6852	Diodos Incorporados	-	Tape & Reel (TR)	Ativo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	6-smd, sem chumbo	DMN16	MOSFET (ÓXIDO DE METAL)	900MW	X4-DSN2112-6	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	DMN16M0UCA6-7DI	Ear99	8541.21.0095	3.000	2-canal n (Duplo) Dreno Comum			12V	17a (TA)		5.9mohm @ 5a, 4.5V	1.3V @ 1MA	24NC @ 4.5V		-	-
DMN3012LEG-13	0,6416	RFQ	1736	Diodos Incorporados	-	Tape & Reel (TR)	Ativo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	8-Powerldfn	DMN3012	MOSFET (ÓXIDO DE METAL)	2.2W (TC)	PowerDi3333-8 (Tipo D)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	ALCANCE AFETADO	DMN3012LEG-13DI	Ear99	8541.29.0095	3.000	2 canal n (Duplo)			30V	10a (ta), 20a (tc)		12mohm @ 15a, 5v, 6mohm @ 15a, 5v	2.1V a 250µA, 1,15V a 250µA	6.1nc @ 4.5V, 12.6nc @ 4.5V		850pf @ 15V, 1480pf @ 15V	-
DMN5L06DWK-7-01	-	RFQ	8704	Diodos Incorporados	-	Tape & Reel (TR)	Ativo		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	DMN5L06	MOSFET (ÓXIDO DE METAL)	250mW (TA)	SOT-363	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	DMN5L06DWK-7-01DI	Ear99	8541.21.0095	3.000	2 canal n (Duplo)			50V	305mA (TA)		2OHM @ 50MA, 5V	1V a 250µA	0,4NC @ 4.5V		50pf @ 25V	-
DDZ33CSF-7	0,0286	RFQ	8217	Diodos Incorporados	-	Tape & Reel (TR)	Ativo	± 3%	-65 ° C ~ 150 ° C.	Montagem na Superfície	SC-90, SOD-323F	Ddz33		500 MW	SOD-323F	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	-Ddz33csf-7ditr	Ear99	8541.10.0050	3.000																	900 mV a 10 mA		70 Na @ 29,4 V								31,7 v	80 ohms
DMT12H065LFDF-13	0,3232	RFQ	3014	Diodos Incorporados	-	Tape & Reel (TR)	Ativo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	6-AUDFN PAD EXPOSTO	DMT12	MOSFET (ÓXIDO DE METAL)		U-DFN2020-6 (TIPO F)	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	31-DMT12H065LFDF-13TR	Ear99	8541.29.0095	10.000			N-canal	115 v	4.3a (ta)	3V, 10V	65mohm @ 3a, 10V	2.2V A 250µA	5,5 nc @ 10 V	± 12V	252 pf @ 50 V	-	1W (TA)
DMG3401LSNQ-13	0,1685	RFQ	4407	Diodos Incorporados	-	Tape & Reel (TR)	Ativo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DMG3401	MOSFET (ÓXIDO DE METAL)		SC-59-3	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	31-DMG3401LSNQ-13TR	Ear99	8541.21.0095	10.000			Canal P.	30 v	3a (ta)	2.5V, 10V	50mohm @ 4a, 10V	1.3V a 250µA	25,1 nc @ 10 V	± 12V	1326 pf @ 15 V	-	800mw
DMP2110UW-7	0,4400	RFQ	22	Diodos Incorporados	-	Tape & Reel (TR)	Ativo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	SC-70, SOT-323	DMP2110	MOSFET (ÓXIDO DE METAL)		SOT-323	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.21.0095	3.000			Canal P.	20 v	2a (ta)	1.8V, 4.5V	100mohm @ 1.5a, 4.5V	900MV A 250µA	6 nc @ 4,5 V	± 12V	443 pf @ 6 V	Padrão	490MW
DMPH2040UVTQ-13	0,1720	RFQ	3854	Diodos Incorporados	Automotivo, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Ativo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	DMPH2040	MOSFET (ÓXIDO DE METAL)		TSOT-26	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	31-DMPH2040UVTQ-13TR	Ear99	8541.29.0095	10.000			Canal P.	20 v	5.6a (ta), 11.7a (tc)	2.5V, 4.5V	38mohm @ 8.9a, 4.5V	1,5V a 250µA	19 NC @ 8 V	± 12V	834 pf @ 10 V	-	1W (TA)
DMT3020LSDQ-13	0,6400	RFQ	7166	Diodos Incorporados	Automotivo, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Ativo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura)	DMT3020	MOSFET (ÓXIDO DE METAL)	1W (TA)	8-so	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado		Ear99	8541.29.0095	2.500	2 canal n (Duplo)			30V	16a (TC)		20mohm @ 9a, 10V	2,5V a 250µA	7NC @ 10V		393pf @ 15V	-
SBR30A45CTFP-JT	-	RFQ	3880	Diodos Incorporados	SBR®	Tubo	Obsoleto			Através do buraco	Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada	SBR30	Super Barreira		ITO-220AB	download		1 (ilimito)		31-SBR30A45CTFP-JT	Ear99	8541.10.0080	50		RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)												1 par cátodo comum	45 v	15a	500 mV @ 15 A		500 µA @ 45 V	-65 ° C ~ 150 ° C.
SBR60A150CT-G	-	RFQ	4726	Diodos Incorporados	SBR®	Tubo	Ativo			Através do buraco	To-220-3	SBR60	Super Barreira		To-220-3	download	ROHS3 Compatível	1 (ilimito)	Alcançar Não Afetado	31-SBR60A150CT-G	Ear99	8541.10.0080	50		RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io)												1 par cátodo comum	150 v	30a	930 mV @ 30 A		300 µA @ 150 V	-65 ° C ~ 175 ° C.
BAS70-06-7-F-79	-	RFQ	3094	Diodos Incorporados	Automotivo, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montagem na Superfície	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Bas70	Schottky		SOT-23-3	-		1 (ilimito)		31-BAS70-06-7-F-79TR	Ear99	8541.10.0070	3.000		Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade												1 par ânodo comum	70 v	70mA (DC)	1 V @ 15 mA	5 ns	100 Na @ 50 V	-55 ° C ~ 125 ° C.
APT13003DU-E1	-	RFQ	2680	Diodos Incorporados	-	Tubo	Obsoleto		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Através do buraco	TO-225AA, TO-126-3	APT13003		1.1 w	TO-126	-		1 (ilimito)	ALCANCE AFETADO	31-APT13003DU-E1	Ear99	8541.29.0095	1																						450 v	1.5 a			10µA			NPN - Darlington	400mv a 250mA, 1A	16 @ 500mA, 2V	4MHz
DMP1018UCB9-7	-	RFQ	7904	Diodos Incorporados	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	9-UFBGA, WLBGA	DMP1018	MOSFET (ÓXIDO DE METAL)		U-WLB1515-9	-		1 (ilimito)		31-DMP1018UCB9-7TR	Ear99	8541.29.0095	3.000			Canal P.	12 v	7.6a (ta)	2.5V, 4.5V	18mohm @ 2a, 4.5V	1.3V a 250µA	4,9 nc a 4,5 V	-6V	457 pf @ 6 V	-	1W (TA)
DMP2004TK-7-79	-	RFQ	8088	Diodos Incorporados	-	Volume	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	SOT-523	DMP2004	MOSFET (ÓXIDO DE METAL)		SOT-523	-				31-DMP2004TK-7-79	Ear99	8541.21.0095	1			Canal P.	20 v	430mA (TA)	1.8V, 4.5V	1.1OHM @ 430MA, 4.5V	1V a 250µA	0,97 nc @ 8 V	± 8V	47 pf @ 16 V	-	230mW (TA)
2N7002T-7-F-79	-	RFQ	6368	Diodos Incorporados	-	Volume	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	SOT-523	2N7002	MOSFET (ÓXIDO DE METAL)		SOT-523	-				31-2N7002T-7-F-79	Ear99	8541.21.0095	1			N-canal	60 v	115mA (TA)	5V, 10V	7.5Ohm @ 50Ma, 5V	2V A 250µA		± 20V	50 pf @ 25 V	-	150mW (TA)