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Produtos semicondutores discretos(2)

Imagem	Número do produto	Preço (USD)	Quantidade	Ecad	Quantidade disponível	Peso (Kg)	Fabricante	Série	Pacote	Estado do produto	Temperatura operacional	Tipo de montagem	Pacote/Caso	Tecnologia	Pacote de dispositivos do fornecedor	Ficha de dados	Estado RoHS	Nível de sensibilidade à umidade (MSL)	Estado do REACH	Outros nomes	Pacote Padrão	Tipo FET	Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)	Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)	Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs	Vgs(th) (máx.) @ ID	Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs	Vgs (máx.)	Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	Recurso FET	Dissipação de energia (máx.)
	CC-C2-B15-0322	15.0000	Solicitação de cotação		30	0,00000000	LegalCAD	-	Volume	Ativo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-4	SiCFET (carboneto de silício)	PARA-247	download	Compatível com ROHS3	3 (168 horas)	REACH não afetado	3892-CC-C2-B15-0322	5	Canal N	1200 V	12A (Ta)	15V	135mOhm a 10A, 15V	3,2 V a 5 mA	40 nC @ 15 V	+15V, -5V	1810 pF a 200 V	padrão	100W (Tc)
	CC-CN-23-0123	15.0000	Solicitação de cotação		10	0,00000000	LegalCAD	-	Volume	Ativo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3	SiCFET (carboneto de silício)	PARA-247-3	download	Compatível com ROHS3	3 (168 horas)	REACH não afetado	3892-CC-CN-23-0123	5			20A (Ta)		85mOhm @ 10A, 15V	2,4 V a 5 mA	16 nC @ 5 V		810 pF a 200 V	padrão