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Produtos Semicondutores discretos (32)

Imageem	Número do Produto	Preço (USD)	Quantidade	Ecad	Quantidade Dispon Svel	Peso (kg)	Mfr	Série	Pacote	Status do produto	Tipo de Montagem	Pacote / Caso	Tecnologia	Pacote de Dispositivo de Fornecedor	Status do rohs	Nível de sensibilidade à Umidade (msl)	Nomes de Ulros	ECCN	Htsus	PACOTE PADROO	Velocidade	Configuraça do Diodo	Tensão - DC Reversa (VR) (Max)	Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo)	Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se	Tempo de RecuperAção Reversa (TRR)	ATUAL - Vazamento Reverso @ VR	Temperatura operacional - Junção	Corrente - Retificada Média (IO)	CapacitânCia @ VR, F
	SDS065J008C3	2.6300	RFQ		2379	0,00000000	Sanan Semiconductor	-	Tubo	Ativo	Através do buraco	To-220-2	Sic (carboneto de Silíc) Schottky	TO-220-2L	ROHS3 Compatível	Não Aplicável	5023-SDS065J008C3	Ear99	8541.10.0000	1.000	SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO)		650 v		1,5 V @ 8 A	0 ns	24 µA A 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C.	25a	395pf @ 0V, 1MHz
	SDS065J030G3	8.5100	RFQ		1351	0,00000000	Sanan Semiconductor	-	Tubo	Ativo	Através do buraco	To-247-3	Sic (carboneto de Silíc) Schottky	To-247-3l	ROHS3 Compatível	Não Aplicável	5023-SDS065J030G3	Ear99	8541.10.0000	300	SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO)	1 par cátodo comum	650 v	44a	1,5 V @ 15 A	0 ns	48 µA @ 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C.