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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Tensão - Nominal | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Frequência | Tecnologia | Potência - Máx. | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Configuração | Classificação atual (amperes) | Atual - Teste | Potência - Saída | Ganho | Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs | Vgs(th) (máx.) @ ID | Recurso FET | Figura de ruído | Tensão - Teste |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TP44220HB | 7.8100 | ![]() | 2606 | 0,00000000 | Tagore Tecnologia | - | Bandeja | Ativo | - | Montagem em superfície | 30-PowerWFQFN | TP44220 | GaNFET (nitreto de glio) | - | 30-QFN (8x10) | download | 1 (ilimitado) | 1 | 2 canais N (meia ponte) | 650 V | - | - | - | - | ||||||||||||||
![]() | TA9410E | 70.0000 | ![]() | 105 | 0,00000000 | Tagore Tecnologia | - | Bandeja | Ativo | 50 V | Montagem em superfície | Almofada exposta 8-VDFN | 20 MHz ~ 3 GHz | GaN HEMT | 8-QFN (5x6) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.33.0001 | 1 | 30A | 25W | 17dB | - | |||||||||||||
![]() | TP44100SG | - | ![]() | 3 | 0,00000000 | Tagore Tecnologia | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | 650 V | Montagem em superfície | 22-PowerVFQFN | TP44100 | - | GaN HEMT | 22-QFN (5x7) | download | 1 (ilimitado) | 1 | Canal P | - | - | - | - | |||||||||||||||
![]() | TP44110HB | 11.6700 | ![]() | 5144 | 0,00000000 | Tagore Tecnologia | - | Bandeja | Ativo | - | Montagem em superfície | 30-PowerWFQFN | TP44110 | GaNFET (nitreto de glio) | - | 30-QFN (8x10) | download | 1 (ilimitado) | 1 | 2 canais N (meia ponte) | 650 V | - | - | - | - | ||||||||||||||
![]() | TP44200SG | - | ![]() | 3 | 0,00000000 | Tagore Tecnologia | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | 650 V | Montagem em superfície | 22-PowerVFQFN | TP44200 | - | GaN HEMT | 22-QFN (5x7) | download | 1 (ilimitado) | 1 | Canal P | - | - | - | - | |||||||||||||||
![]() | TA9210D | 47.9800 | ![]() | 101 | 0,00000000 | Tagore Tecnologia | - | Bandeja | Ativo | 120V | TA9210 | 30 MHz ~ 4 GHz | GaN HEMT | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | -2715-TA9210D | 5A991G | 8542.33.0001 | 1 | 700mA | 50 mA | 12,5W | 18dB | - | 32 V | ||||||||||||
![]() | TA9310E | 49.9900 | ![]() | 40 | 0,00000000 | Tagore Tecnologia | - | Tira | Ativo | 120V | Montagem em superfície | Almofada exposta 8-VDFN | TA9310 | 30 MHz ~ 4 GHz | GaN HEMT | 8-QFN (5x6) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | DISCO 3A001B3 | 8542.33.0001 | 1 | - | 100 mA | 20W | 17,5dB | - | 32 V | ||||||||||
![]() | TP44400SG | - | ![]() | 3 | 0,00000000 | Tagore Tecnologia | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | 650 V | Montagem em superfície | 22-PowerVFQFN | TP44400 | - | GaN HEMT | 22-QFN (5x7) | download | 1 (ilimitado) | 1 | Canal P | - | - | - | - | |||||||||||||||
![]() | TP44440HB | 6.0100 | ![]() | 100 | 0,00000000 | Tagore Tecnologia | - | Bandeja | Ativo | - | Montagem em superfície | 30-PowerWFQFN | TP44440 | GaNFET (nitreto de glio) | - | 30-QFN (8x10) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 1 | 2 canais N (meia ponte) | 650 V | - | - | - | - |

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