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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Max) | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N5233BT/R. | 0,0400 | ![]() | 20 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 500 MW | DO-35 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N5233BT/RTR | 8541.10.0000 | 10.000 | 1,1 V @ 200 mA | 5 µA A 3,5 V | 6 v | 7 ohms | |||||||||||
![]() | 1N4737ABULK | 0,1800 | ![]() | 3 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1 w | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N4737Abulk | 8541.10.0000 | 500 | 1,2 V @ 200 mA | 10 µA a 5 V | 7,5 v | 4 ohms | |||||||||||
![]() | 1N4734ABULK | 0,1800 | ![]() | 1 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1 w | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N4734ABULK | 8541.10.0000 | 500 | 1,2 V @ 200 mA | 10 µA @ 2 V | 5,6 v | 5 ohms | |||||||||||
![]() | 1N4749A | 0,1800 | ![]() | 15 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1 w | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N4749A | 8541.10.0000 | 1.000 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA a 18,2 V | 24 v | 25 ohms | |||||||||||
![]() | Fr307bulk | 0,2400 | ![]() | 8 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-FR307BULK | 8541.10.0000 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,3 V @ 3 A | 500 ns | 10 µA A 1000 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 60pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | 1N5250BBULK | 0,1800 | ![]() | 4 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 500 MW | DO-35 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N5250BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1,1 V @ 200 mA | 100 Na @ 15 V | 20 v | 25 ohms | |||||||||||
![]() | HER105BULK | 0,2400 | ![]() | 9 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Padrão | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-HER105BULK | 8541.10.0000 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA A 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 50pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | 1n756abulk | 0,2100 | ![]() | 4 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 500 MW | DO-35 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N756abulk | 8541.10.0000 | 500 | 1,2 V @ 200 mA | 100 Na @ 1 V | 8.2 v | 8 ohms | |||||||||||
![]() | 1n754abulk | 0,2100 | ![]() | 4 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 500 MW | DO-35 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N754ABULK | 8541.10.0000 | 500 | 1,2 V @ 200 mA | 100 Na @ 1 V | 6,8 v | 5 ohms | |||||||||||
![]() | SN13 | 0,0420 | ![]() | 50 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | Padrão | SMA (DO-214AC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-SN13TR | 8541.10.0000 | 10.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1300 v | 1 V @ 1 A | 2 µs | 2 µA A 1300 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 30pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | 1N4733AG | 0,1800 | ![]() | 1 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1 w | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N4733AG | 8541.10.0000 | 1.000 | 1,2 V @ 200 mA | 10 µA A 1 V | 5.1 v | 7 ohms | |||||||||||
![]() | 1N4732T/R. | 0,0900 | ![]() | 10 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 10% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1 w | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N4732T/RTR | 8541.10.0000 | 5.000 | 1,2 V @ 200 mA | 10 µA A 1 V | 4,7 v | 8 ohms | |||||||||||
![]() | 1n5363bbulk | 0,4100 | ![]() | 3 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | 5 w | DO-15 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N5363BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1,2 V @ 1 A | 500 Na @ 22,8 V | 30 v | 8 ohms | |||||||||||
![]() | 1N4740ABULK | 0,1800 | ![]() | 21 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1 w | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N4740ABULK | 8541.10.0000 | 500 | 1,2 V @ 200 mA | 10 µA a 7,6 V | 10 v | 7 ohms | |||||||||||
![]() | SF16-Bulk | 0,2200 | ![]() | 16 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Padrão | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcance como informação de disponição mediana solicitada | 2439-SF16-Bulk | 8541.10.0000 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,7 V @ 1 A | 35 ns | 5 µA A 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 50pf @ 4V, 1MHz | ||||||||
![]() | 1N4742A | 0,0510 | ![]() | 15 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1 w | DO-41 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N4742atr | 8541.10.0000 | 5.000 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA a 9,1 V | 12 v | 9 ohms | |||||||||||
![]() | RBV1506D | 1.6500 | ![]() | 50 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, RBV-25 | Padrão | RBV-25 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcance como informação de disponição mediana solicitada | 2439-RBV1506D | 8541.10.0000 | 50 | 1.1 V @ 15 A | 10 µA A 600 V | 15 a | Fase Única | 600 v | ||||||||||
![]() | 1N4744T/R. | 0,0400 | ![]() | 15 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 10% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1 w | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N4744T/RTR | 8541.10.0000 | 5.000 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA A 11,4 V | 15 v | 14 ohms | |||||||||||
![]() | 1N5401T/R. | 0,0800 | ![]() | 45 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N5401T/RTR | 8541.10.0000 | 1.250 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 950 mV @ 3 a | 5 µA A 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 28pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | FR155T/R. | 0,0400 | ![]() | 10 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Padrão | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-FR155T/RTR | 8541.10.0000 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,4 V @ 1,5 A | 250 ns | 5 µA A 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1.5a | 25pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | BR5010 | 4.9000 | ![]() | 600 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | 4 quadrados, BR-50 | Padrão | BR-50 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-BR5010 | 8541.10.0000 | 50 | 1.1 V @ 25 A | 10 µA A 1000 V | 50 a | Fase Única | 1 kv | |||||||||||
![]() | Fr301t/r | 0,1100 | ![]() | 5 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-FR301T/RTR | 8541.10.0000 | 1.250 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1,3 V @ 3 A | 150 ns | 10 µA a 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 60pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | Z1180-T/R. | 0,0800 | ![]() | 30 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 10% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1 w | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcance como informação de disponição mediana solicitada | 2439-Z1180-T/RTR | 8541.10.0000 | 10.000 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA a 136,8 V | 180 v | 1200 ohms | ||||||||||
![]() | 1N4743A | 0,1800 | ![]() | 10 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | CAIXA | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1 w | DO-41 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N4743A | 8541.10.0000 | 1.000 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA A 9,9 V | 13 v | 10 ohms | |||||||||||
![]() | Z1110-T/R. | 0,1800 | ![]() | 20 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 10% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1 w | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcance como informação de disponição mediana solicitada | 2439-Z1110-T/RTR | 8541.10.0000 | 10.000 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA a 83,6 V | 110 v | 450 ohms | ||||||||||
![]() | BYD13KBULK | 0,2100 | ![]() | 2 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Avalanche | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-byd13kbulk | 8541.10.0000 | 500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,05 V @ 1 A | 1 µA A 800 V | 175 ° C. | 1.4a | - | ||||||||||
![]() | KBP206 | 0,8500 | ![]() | 19 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | -50 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, KBP | Padrão | KBP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcance como informação de disponição mediana solicitada | 2439-KBP206 | 8541.10.0000 | 100 | 1 V @ 1 A | 10 µA A 600 V | 2 a | Fase Única | 600 v | ||||||||||
![]() | 1N5360BT/R. | 0,1100 | ![]() | 3 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | 5 w | DO-15 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N5360BT/RTR | 8541.10.0000 | 3.000 | 1,2 V @ 1 A | 500 Na @ 19 V | 25 v | 4 ohms | |||||||||||
![]() | 1N5239BT/R. | 0,0400 | ![]() | 10 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 500 MW | DO-35 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N5239BT/RTR | 8541.10.0000 | 10.000 | 1,1 V @ 200 mA | 3 µA a 7 V | 9.1 v | 10 ohms | |||||||||||
![]() | 1N4741ABULK | 0,1800 | ![]() | 4 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1 w | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N4741ABULK | 8541.10.0000 | 500 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA a 8,4 V | 11 v | 8 ohms |
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