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Produtos semicondutores discretos(455)
| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Tolerância | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caixa | Tecnologia | Potência - Máx. | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | HTSU | Pacote Padrão | Velocidade | Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.) | Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se | Tempo de recuperação reversa (trr) | Corrente - Vazamento reverso @ Vr | Temperatura Operacional - Junção | Corrente - Média Retificada (Io) | Capacitância @ Vr, F | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Máx.) | Tensão - Zener (Nom) (Vz) | Impedância (Máx.) (Zzt) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BR610 | 0,3900 |  | 3 | 0,00000000 | EIC SEMICONDUTOR INC. | - | Bolsa | Ativo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4-Quadrado, BR-6 | padrão | BR-6 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | 2439-BR610 | 8541.10.0000 | 200 | 1 V @ 3 A | 10 µA a 1000 V | 6A | Monofásico | 1kV | ||||||||||
 | 1N5242BBULK | 0,1800 | | 3 | 0,00000000 | EIC SEMICONDUTOR INC. | - | Bolsa | Ativo | ±5% | 175°C (TJ) | Através do furo | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 mW | DO-35 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2439-1N5242BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1,1 V a 200 mA | 1 µA a 9,1 V | 12V | 30 Ohms | |||||||||||
| RBV1004 | 1.3800 | | 2 | 0,00000000 | EIC SEMICONDUTOR INC. | - | Bolsa | Ativo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4-SIP, RBV-25 | padrão | RBV-25 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | 2439-RBV1004 | 8541.10.0000 | 100 | 1 V @ 5 A | 10 µA a 400 V | 10A | Monofásico | 400 V | ||||||||||
| 1N5244BT/R | 0,0400 | | 10 | 0,00000000 | EIC SEMICONDUTOR INC. | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±5% | 175°C (TJ) | Através do furo | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 mW | DO-35 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2439-1N5244BT/RTR | 8541.10.0000 | 10.000 | 1,1 V a 200 mA | 100 nA @ 10 V | 14V | 15 Ohms | |||||||||||
| FBR3506 | 3.5300 | | 150 | 0,00000000 | EIC SEMICONDUTOR INC. | - | Bolsa | Ativo | -50°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em chassi | 4-Quadrado, BR-50 | padrão | BR-50 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2439-FBR3506 | 8541.10.0000 | 50 | 1,3 V a 17,5 A | 10 µA a 600 V | 35A | Monofásico | 600V | |||||||||||
| Z1110-T/R | 0,1800 | | 20 | 0,00000000 | EIC SEMICONDUTOR INC. | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±10% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | DO-204AL, DO-41, Axial | 1W | DO-41 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | 2439-Z1110-T/RTR | 8541.10.0000 | 10.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 83,6 V | 110V | 450 Ohms | ||||||||||
| HER105BULK | 0,2400 | | 9 | 0,00000000 | EIC SEMICONDUTOR INC. | - | Bolsa | Ativo | Através do furo | DO-204AL, DO-41, Axial | padrão | DO-41 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2439-HER105BULK | 8541.10.0000 | 500 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 400 V | 1,1 V a 1 A | 50 ns | 5 µA a 400 V | -65°C ~ 150°C | 1A | 50pF @ 4V, 1MHz | |||||||||
| 1N753ABULK | 0,2100 | | 4 | 0,00000000 | EIC SEMICONDUTOR INC. | - | Bolsa | Ativo | ±5% | 175°C (TJ) | Através do furo | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 mW | DO-35 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2439-1N753ABULK | 8541.10.0000 | 500 | 1,2 V a 200 mA | 100 nA @ 1 V | 6,2V | 7 Ohms | |||||||||||
| 1N752ABULK | 0,2100 | | 3 | 0,00000000 | EIC SEMICONDUTOR INC. | - | Bolsa | Ativo | ±5% | 175°C (TJ) | Através do furo | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 mW | DO-35 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2439-1N752ABULK | 8541.10.0000 | 500 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 1 V | 5,6V | 11 Ohms | |||||||||||
 | FR301T/R | 0,1100 | | 5 | 0,00000000 | EIC SEMICONDUTOR INC. | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Através do furo | DO-201AD, Axial | padrão | DO-201AD | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2439-FR301T/RTR | 8541.10.0000 | 1.250 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 50 V | 1,3 V a 3 A | 150 ns | 10 µA a 50 V | -65°C ~ 150°C | 3A | 60pF @ 4V, 1MHz | |||||||||
| 1N4740A | 0,1050 | | 21 | 0,00000000 | EIC SEMICONDUTOR INC. | - | Caixa | Ativo | ±5% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | DO-204AL, DO-41, Axial | 1W | DO-41 | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2439-1N4740A | 8541.10.0000 | 1.000 | 1,2 V a 200 mA | 10 µA a 7,6 V | 10V | 7 Ohms | |||||||||||
| HER506T/R | 0,2800 | | 15 | 0,00000000 | EIC SEMICONDUTOR INC. | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Através do furo | DO-201AD, Axial | padrão | DO-201AD | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2439-HER506T/RTR | 8541.10.0000 | 1.250 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 600V | 1,7 V a 5 A | 75ns | 10 µA a 600 V | -65°C ~ 150°C | 5A | 50pF @ 4V, 1MHz | |||||||||
| 1N4743A | 0,1800 | | 10 | 0,00000000 | EIC SEMICONDUTOR INC. | - | Caixa | Ativo | ±5% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | DO-204AL, DO-41, Axial | 1W | DO-41 | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2439-1N4743A | 8541.10.0000 | 1.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 9,9 V | 13V | 10 Ohms | |||||||||||
| 1N4749AT/R | 0,0400 | | 10 | 0,00000000 | EIC SEMICONDUTOR INC. | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±5% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | DO-204AL, DO-41, Axial | 1W | DO-41 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2439-1N4749AT/RTR | 8541.10.0000 | 5.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 18,2 V | 24V | 25 Ohms | |||||||||||
| 1N5393 | 0,1800 | | 60 | 0,00000000 | EIC SEMICONDUTOR INC. | - | Bolsa | Ativo | Através do furo | DO-204AL, DO-41, Axial | padrão | DO-41 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2439-1N5393 | 8541.10.0000 | 500 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 200 V | 1,1 V a 1,5 A | 5 µA a 200 V | -65°C ~ 175°C | 1,5A | 15pF @ 4V, 1MHz | ||||||||||
| 1N4748A | 0,0600 | | 10 | 0,00000000 | EIC SEMICONDUTOR INC. | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±5% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | DO-204AL, DO-41, Axial | 1W | DO-41 | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2439-1N4748ATR | 8541.10.0000 | 5.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 16,7 V | 22V | 23 Ohms | |||||||||||
| 1N4741ABULK | 0,1800 | | 4 | 0,00000000 | EIC SEMICONDUTOR INC. | - | Bolsa | Ativo | ±5% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | DO-204AL, DO-41, Axial | 1W | DO-41 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2439-1N4741ABULK | 8541.10.0000 | 500 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 8,4 V | 11V | 8 Ohms | |||||||||||
| 1N5391T/R | 0,0400 | | 25 | 0,00000000 | EIC SEMICONDUTOR INC. | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Através do furo | DO-204AL, DO-41, Axial | padrão | DO-41 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2439-1N5391T/RTR | 8541.10.0000 | 5.000 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 50 V | 1,1 V a 1,5 A | 5 µA a 50 V | -65°C ~ 175°C | 1,5A | 15pF @ 4V, 1MHz | ||||||||||
| RBV2508 | 1.7400 | | 700 | 0,00000000 | EIC SEMICONDUTOR INC. | - | Bolsa | Ativo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4-SIP, RBV-25 | padrão | RBV-25 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | 2439-RBV2508 | 8541.10.0000 | 100 | 1,1 V a 12,5 A | 10 µA a 800 V | 25A | Monofásico | 800 V | ||||||||||
| BR2504W | 2.5800 | | 1 | 0,00000000 | EIC SEMICONDUTOR INC. | - | Bolsa | Ativo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4 quadrados, BR-50W | padrão | BR-50W | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2439-BR2504W | 8541.10.0000 | 50 | 1,1 V a 12,5 A | 10 µA a 400 V | 25A | Monofásico | 400 V | |||||||||||
| GN2MT/R | 0,1100 | | 3 | 0,00000000 | EIC SEMICONDUTOR INC. | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | DO-214AC, SMA | padrão | SMA (DO-214AC) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2439-GN2MT/RTR | 8541.10.0000 | 3.000 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 1000V | 1 V @ 2 A | 5 µA a 1000 V | -65°C ~ 150°C | 2A | 75pF @ 4V, 1MHz | ||||||||||
| FR106BULK | 0,2100 | | 37 | 0,00000000 | EIC SEMICONDUTOR INC. | - | Bolsa | Ativo | Através do furo | DO-204AL, DO-41, Axial | padrão | DO-41 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2439-FR106BULK | 8541.10.0000 | 500 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 800 V | 1,3 V a 1 A | 500 ns | 5 µA a 800 V | -65°C ~ 150°C | 1A | 50pF @ 4V, 1MHz | |||||||||
| BR5010 | 4.9000 | | 600 | 0,00000000 | EIC SEMICONDUTOR INC. | - | Bolsa | Ativo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em chassi | 4-Quadrado, BR-50 | padrão | BR-50 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2439-BR5010 | 8541.10.0000 | 50 | 1,1 V a 25 A | 10 µA a 1000 V | 50A | Monofásico | 1kV | |||||||||||
| 1N5930BT/R | 0,1300 | | 40 | 0,00000000 | EIC SEMICONDUTOR INC. | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±5% | -65°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | DO-204AL, DO-41, Axial | 1,5W | DO-41 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2439-1N5930BT/RTR | 8541.10.0000 | 5.000 | 1 µA a 12,2 V | 16V | 10 Ohms | ||||||||||||
| RBV804 | 1.2800 | | 1 | 0,00000000 | EIC SEMICONDUTOR INC. | - | Bolsa | Ativo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4-SIP, RBV-25 | padrão | RBV-25 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | 2439-RBV804 | 8541.10.0000 | 100 | 1 V @ 4 A | 10 µA a 400 V | 8A | Monofásico | 400 V | ||||||||||
| BR5006 | 4.0000 | | 300 | 0,00000000 | EIC SEMICONDUTOR INC. | - | Bolsa | Ativo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em chassi | 4-Quadrado, BR-50 | padrão | BR-50 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2439-BR5006 | 8541.10.0000 | 50 | 1,1 V a 25 A | 10 µA a 600 V | 50A | Monofásico | 600V | |||||||||||
| RBV2502 | 1.5900 | | 500 | 0,00000000 | EIC SEMICONDUTOR INC. | - | Bolsa | Ativo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4-SIP, RBV-25 | padrão | RBV-25 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | 2439-RBV2502 | 8541.10.0000 | 100 | 1,1 V a 12,5 A | 10 µA a 200 V | 25A | Monofásico | 200 V | ||||||||||
| RBV1506D | 1.6500 | | 50 | 0,00000000 | EIC SEMICONDUTOR INC. | - | Bolsa | Ativo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4-SIP, RBV-25 | padrão | RBV-25 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | 2439-RBV1506D | 8541.10.0000 | 50 | 1,1 V a 15 A | 10 µA a 600 V | 15A | Monofásico | 600V | ||||||||||
| RBV606 | 1.1000 | | 900 | 0,00000000 | EIC SEMICONDUTOR INC. | - | Bolsa | Ativo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4-SIP, RBV-25 | padrão | RBV-25 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | 2439-RBV606 | 8541.10.0000 | 100 | 1 V @ 3 A | 10 µA a 600 V | 6A | Monofásico | 600V | ||||||||||
| KBL401 | 1.0200 | | 2 | 0,00000000 | EIC SEMICONDUTOR INC. | - | Bolsa | Ativo | -50°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4-SIP, KBL | padrão | KBL | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | 2439-KBL401 | 8541.10.0000 | 100 | 1,1 V a 4 A | 10 µA a 100 V | 4A | Monofásico | 100V |
2.000+
Volume médio diário de RFQ
30.000.000
Unidade de produto padrão
2.800+
Fabricantes mundiais
15.000 m2
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