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Produtos semicondutores discretos(455)
| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Tolerância | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caixa | Número básico do produto | Tecnologia | Potência - Máx. | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | HTSU | Pacote Padrão | Velocidade | Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.) | Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se | Tempo de recuperação reversa (trr) | Corrente - Vazamento reverso @ Vr | Temperatura Operacional - Junção | Corrente - Média Retificada (Io) | Capacitância @ Vr, F | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Máx.) | Tensão - Zener (Nom) (Vz) | Impedância (Máx.) (Zzt) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1N5359B | 0,1150 |  | 6 | 0,00000000 | EIC SEMICONDUTOR INC. | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±5% | -65°C ~ 200°C (TJ) | Através do furo | DO-204AC, DO-15, Axial | 5W | DO-15 | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2439-1N5359BTR | 8541.10.0000 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 18,2 V | 24V | 3,5 Ohms | ||||||||||||
| 1N5397T/R | 0,0400 | | 55 | 0,00000000 | EIC SEMICONDUTOR INC. | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Através do furo | DO-204AL, DO-41, Axial | padrão | DO-41 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2439-1N5397T/RTR | 8541.10.0000 | 5.000 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 600V | 1,1 V a 1,5 A | 5 µA a 600 V | -65°C ~ 175°C | 1,5A | 15pF @ 4V, 1MHz | |||||||||||
 | 1N5402BULK | 0,1800 | | 6 | 0,00000000 | EIC SEMICONDUTOR INC. | - | Bolsa | Ativo | Através do furo | DO-201AD, Axial | padrão | DO-201AD | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2439-1N5402BULK | 8541.10.0000 | 500 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 200 V | 950 mV a 3 A | 5 µA a 200 V | -65°C ~ 175°C | 3A | 28pF @ 4V, 1MHz | |||||||||||
| 1N5818T/R | 0,1000 | | 5 | 0,00000000 | EIC SEMICONDUTOR INC. | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Através do furo | DO-204AL, DO-41, Axial | Schottky | DO-41 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2439-1N5818T/RTR | 8541.10.0000 | 5.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 30 V | 550 mV por 1 A | 1 mA a 30 V | -65°C ~ 125°C | 1A | 110pF @ 4V, 1MHz | |||||||||||
| 1N5340B | 0,2160 | | 24 | 0,00000000 | EIC SEMICONDUTOR INC. | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±5% | -65°C ~ 200°C (TJ) | Através do furo | DO-204AC, DO-15, Axial | 5W | DO-15 | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2439-1N5340BTR | 8541.10.0000 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 1 µA a 3 V | 6V | 1 Ohm | ||||||||||||
| 1N5402T/R | 0,0800 | | 21 | 0,00000000 | EIC SEMICONDUTOR INC. | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Através do furo | DO-201AD, Axial | padrão | DO-201AD | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2439-1N5402T/RTR | 8541.10.0000 | 1.250 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 200 V | 950 mV a 3 A | 5 µA a 200 V | -65°C ~ 175°C | 3A | 28pF @ 4V, 1MHz | |||||||||||
| 1N5362BT/R | 0,1100 | | 10 | 0,00000000 | EIC SEMICONDUTOR INC. | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±5% | -65°C ~ 200°C (TJ) | Através do furo | DO-204AC, DO-15, Axial | 5W | DO-15 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2439-1N5362BT/RTR | 8541.10.0000 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 21,2 V | 28V | 6 Ohms | ||||||||||||
| 1N4750AT/R | 0,0600 | | 5 | 0,00000000 | EIC SEMICONDUTOR INC. | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±5% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | DO-204AL, DO-41, Axial | 1W | DO-41 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2439-1N4750AT/RTR | 8541.10.0000 | 5.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 20,6 V | 27V | 35 Ohms | ||||||||||||
| HER108BULK | 0,2400 | | 2 | 0,00000000 | EIC SEMICONDUTOR INC. | - | Bolsa | Ativo | Através do furo | DO-204AL, DO-41, Axial | padrão | DO-41 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2439-HER108BULK | 8541.10.0000 | 500 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1000V | 1,7 V a 1 A | 75ns | 5 µA a 1000 V | -65°C ~ 150°C | 1A | 50pF @ 4V, 1MHz | ||||||||||
| RBV2501 | 1.6400 | | 1 | 0,00000000 | EIC SEMICONDUTOR INC. | - | Bolsa | Ativo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4-SIP, RBV-25 | padrão | RBV-25 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | 2439-RBV2501 | 8541.10.0000 | 100 | 1,1 V a 12,5 A | 10 µA a 100 V | 25A | Monofásico | 100V | |||||||||||
| 1N5361ABULK | 0,2300 | | 2 | 0,00000000 | EIC SEMICONDUTOR INC. | - | Bolsa | Ativo | ±10% | -65°C ~ 200°C (TJ) | Através do furo | DO-204AC, DO-15, Axial | 5W | DO-15 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2439-1N5361ABULK | 8541.10.0000 | 500 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 19,4 V | 27V | 5 Ohms | ||||||||||||
| SF55-GRANEL | 0,5800 | | 3 | 0,00000000 | EIC SEMICONDUTOR INC. | - | Bolsa | Ativo | Através do furo | DO-201AD, Axial | padrão | DO-201AD | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | 2439-SF55-GRANEL | 8541.10.0000 | 500 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 300V | 1,7 V a 5 A | 35 ns | 10 µA a 300 V | -65°C ~ 150°C | 5A | 50pF @ 4V, 1MHz | |||||||||
| RBV3510 | 2.8100 | | 900 | 0,00000000 | EIC SEMICONDUTOR INC. | - | Bolsa | Ativo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4-SIP, RBV-25 | padrão | RBV-25 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | 2439-RBV3510 | 8541.10.0000 | 100 | 1,1 V a 17,5 A | 10 µA a 1000 V | 35A | Monofásico | 1kV | |||||||||||
| 1N5949BT/R | 0,1300 | | 5 | 0,00000000 | EIC SEMICONDUTOR INC. | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±5% | -65°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | DO-204AL, DO-41, Axial | 1,5W | DO-41 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2439-1N5949BT/RTR | 8541.10.0000 | 5.000 | 1 µA a 76 V | 100V | 250 Ohms | |||||||||||||
 | 1N5241BT/R | 0,0400 | | 10 | 0,00000000 | EIC SEMICONDUTOR INC. | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±5% | 175°C (TJ) | Através do furo | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 mW | DO-35 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2439-1N5241BT/RTR | 8541.10.0000 | 10.000 | 1,1 V a 200 mA | 2 µA a 8,4 V | 11V | 22 Ohms | ||||||||||||
| AR3504 | 0,3100 | | 1 | 0,00000000 | EIC SEMICONDUTOR INC. | Automotivo | Bolsa | Ativo | Montagem em superfície | Botão Microdo | padrão | Botão Microdo | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2439-AR3504 | 8541.10.0000 | 500 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 400 V | 1,1 V a 35 A | 5 µA a 400 V | -65°C ~ 175°C | 35A | - | |||||||||||
| 1N5234BT/R | 0,0400 | | 10 | 0,00000000 | EIC SEMICONDUTOR INC. | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±5% | 175°C (TJ) | Através do furo | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 mW | DO-35 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2439-1N5234BT/RTR | 8541.10.0000 | 5.000 | 1,1 V a 200 mA | 5 µA a 4 V | 6,2V | 7 Ohms | ||||||||||||
| 1N4755ABULK | 0,1800 | | 8 | 0,00000000 | EIC SEMICONDUTOR INC. | - | Bolsa | Ativo | ±5% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | DO-204AL, DO-41, Axial | 1W | DO-41 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2439-1N4755ABULK | 8541.10.0000 | 1.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 32,7 V | 43V | 70 Ohms | ||||||||||||
| Z1200-T/R | 0,0400 | | 5 | 0,00000000 | EIC SEMICONDUTOR INC. | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±10% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | DO-204AL, DO-41, Axial | 1W | DO-41 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | 2439-Z1200-T/RTR | 8541.10.0000 | 5.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 152 V | 200 V | 1900 Ohms | |||||||||||
| 1N4731ABULK | 0,1300 | | 12 | 0,00000000 | EIC SEMICONDUTOR INC. | - | Bolsa | Ativo | ±5% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | DO-204AL, DO-41, Axial | 1W | DO-41 | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | 2439-1N4731ABULK | 1.000 | 1,2 V a 200 mA | 10 µA a 1 V | 4,3 V | 9 Ohms | ||||||||||||
| 1N4756A | 0,1800 | | 9 | 0,00000000 | EIC SEMICONDUTOR INC. | - | Bolsa | Ativo | ±5% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | DO-204AL, DO-41, Axial | 1W | DO-41 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2439-1N4756A | 8541.10.0000 | 1.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 35,8 V | 47V | 80 Ohms | ||||||||||||
| SML4728-T/R | 0,0900 | | 10 | 0,00000000 | EIC SEMICONDUTOR INC. | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±10% | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | DO-214AC, SMA | 1W | SMA | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | Informações REACH disponíveis mediante solicitação | 2439-SML4728-T/RTR | 8541.10.0000 | 5.000 | 1,2 V a 200 mA | 100 µA a 1 V | 3,3 V | 10 Ohms | |||||||||||
| 1N749AT/R | 0,0300 | | 10 | 0,00000000 | EIC SEMICONDUTOR INC. | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±5% | 175°C (TJ) | Através do furo | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 mW | DO-35 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2439-1N749AT/RTR | 8541.10.0000 | 10.000 | 1,2 V a 200 mA | 2 µA a 1 V | 4,3 V | 22 Ohms | ||||||||||||
| 1N4753ABULK | 0,1800 | | 4 | 0,00000000 | EIC SEMICONDUTOR INC. | - | Bolsa | Ativo | ±5% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | DO-204AL, DO-41, Axial | 1W | DO-41 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2439-1N4753ABULK | 8541.10.0000 | 1.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 27,4 V | 36 V | 50 Ohms | ||||||||||||
| 1N5407 GRANEL | 0,1800 | | 4 | 0,00000000 | EIC SEMICONDUTOR INC. | - | Bolsa | Ativo | Através do furo | DO-201AD, Axial | padrão | DO-201AD | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2439-1N5407 GRANEL | 8541.10.0000 | 500 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 800 V | 950 mV a 3 A | 5 µA a 800 V | -65°C ~ 175°C | 3A | 28pF @ 4V, 1MHz | |||||||||||
| FR303BULK | 0,2100 | | 5 | 0,00000000 | EIC SEMICONDUTOR INC. | - | Bolsa | Ativo | Através do furo | DO-201AD, Axial | padrão | DO-201AD | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2439-FR303BULK | 8541.10.0000 | 500 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 200 V | 1,3 V a 3 A | 150 ns | 10 µA a 200 V | -65°C ~ 150°C | 3A | 60pF @ 4V, 1MHz | ||||||||||
| HER305BULK | 0,2600 | | 5 | 0,00000000 | EIC SEMICONDUTOR INC. | - | Bolsa | Ativo | Através do furo | DO-201AD, Axial | padrão | DO-201AD | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2439-HER305BULK | 8541.10.0000 | 500 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 400 V | 1,1 V a 3 A | 50 ns | 10 µA a 400 V | -65°C ~ 150°C | 3A | 50pF @ 4V, 1MHz | ||||||||||
| 1N5243BT/R | 0,0400 | | 10 | 0,00000000 | EIC SEMICONDUTOR INC. | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±5% | 175°C (TJ) | Através do furo | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 mW | DO-35 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2439-1N5243BT/RTR | 8541.10.0000 | 10.000 | 1,1 V a 200 mA | 500 nA a 9,9 V | 13V | 13 Ohms | ||||||||||||
| 1N5819GRANEL | 0,2100 | | 3 | 0,00000000 | EIC SEMICONDUTOR INC. | - | Bolsa | Ativo | Através do furo | DO-204AL, DO-41, Axial | 1N5819 | Schottky | DO-41 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2439-1N5819GRANEL | 8541.10.0000 | 500 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 40 V | 600 mV por 1 A | 1 mA a 40 V | -65°C ~ 125°C | 1A | 110pF @ 4V, 1MHz | ||||||||||
| 1N5355BBULK | 0,4000 | | 2 | 0,00000000 | EIC SEMICONDUTOR INC. | - | Bolsa | Ativo | ±5% | -65°C ~ 200°C (TJ) | Através do furo | DO-204AC, DO-15, Axial | 5W | DO-15 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 2439-1N5355BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 13,7 V | 18V | 2,5 Ohms |
2.000+
Volume médio diário de RFQ
30.000.000
Unidade de produto padrão
2.800+
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