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Produtos semicondutores discretos (455)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Max) | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1N4759AT/R. | 0,0500 |  | 20 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1 w | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N4759AT/RTR | 8541.10.0000 | 5.000 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA a 47,1 V | 62 v | 125 ohms | |||||||||||
| 1N4744 | 0,0350 | | 15 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 10% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1 w | DO-41 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N4744TR | 8541.10.0000 | 5.000 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA A 11,4 V | 15 v | 14 ohms | |||||||||||
| 1N5818T/R. | 0,1000 | | 5 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do Buraco | Do-204al, DO-41, axial | Schottky | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N5818T/RTR | 8541.10.0000 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 550 mV @ 1 a | 1 mA a 30 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 1a | 110pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
| RBV5008 | 3.9300 | | 620 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, RBV-25 | Padrão | RBV-25 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcance como informação de disponição mediana solicitada | 2439-RBV5008 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 V @ 25 A | 10 µA a 800 V | 50 a | Fase Única | 800 v | ||||||||||
| 1N5377ABULK | 0,3300 | | 1 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | ± 10% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | 5 w | DO-15 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N5377ABULK | 8541.10.0000 | 500 | 1,2 V @ 1 A | 500 Na @ 65,5 V | 91 v | 75 ohms | |||||||||||
| BR5006W | 3.7500 | | 1 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4 quadrados, BR-50W | Padrão | BR-50W | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-BR5006W | 8541.10.0000 | 50 | 1.1 V @ 25 A | 10 µA A 600 V | 50 a | Fase Única | 600 v | |||||||||||
| 1N5361ABULK | 0,2300 | | 2 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | ± 10% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | 5 w | DO-15 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N5361ABULK | 8541.10.0000 | 500 | 1,2 V @ 1 A | 500 Na @ 19,4 V | 27 v | 5 ohms | |||||||||||
| BR2500 | 2.5400 | | 1 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | 4 quadrados, BR-50 | Padrão | BR-50 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-BR2500 | 8541.10.0000 | 50 | 1,1 V @ 12,5 A | 10 µA a 50 V | 25 a | Fase Única | 50 v | |||||||||||
| 1N5340B | 0,2160 | | 24 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | 5 w | DO-15 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N5340BTR | 8541.10.0000 | 3.000 | 1,2 V @ 1 A | 1 µA A 3 V | 6 v | 1 ohms | |||||||||||
| KBP201 | 0,8000 | | 900 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | -50 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, KBP | Padrão | KBP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcance como informação de disponição mediana solicitada | 2439-KBP201 | 8541.10.0000 | 100 | 1 V @ 1 A | 10 µA A 100 V | 2 a | Fase Única | 100 v | ||||||||||
| Rm11c-bulk | 0,2000 | | 5 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | Através do buraco | D-2, axial | Padrão | D2 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcance como informação de disponição mediana solicitada | 2439-rm11c-bulk | 8541.10.0000 | 500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 920 mV @ 1,5 A | 10 µA A 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1.2a | 30pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
| Fr103bulk | 0,2100 | | 38 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Padrão | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-FR103BULK | 8541.10.0000 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µA A 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 50pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
| 1n5949bt/r | 0,1300 | | 5 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1,5 w | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N5949BT/RTR | 8541.10.0000 | 5.000 | 1 µA @ 76 V | 100 v | 250 ohms | ||||||||||||
| BR1510 | 2.6600 | | 450 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | 4 quadrados, BR-50 | Padrão | BR-50 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-BR1510 | 8541.10.0000 | 50 | 1,1 V @ 7,5 A | 10 µA A 1000 V | 15 a | Fase Única | 1 kv | |||||||||||
 | 1N5822T/R. | 0,3700 | | 2 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | Schottky | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N5822T/RTR | 8541.10.0000 | 1.250 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 525 mV @ 3 a | 2 mA a 40 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 3a | - | ||||||||||
| RBV3502 | 1.6800 | | 1 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, RBV-25 | Padrão | RBV-25 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcance como informação de disponição mediana solicitada | 2439-RBV3502 | 8541.10.0000 | 100 | 1,1 V @ 17,5 A | 10 µA A 200 V | 35 a | Fase Única | 200 v | ||||||||||
| HVR320BULK | 0,7500 | | 2 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-HVR320BULK | 8541.10.0000 | 500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 2000 v | 2,2 V @ 3 A | 10 µA @ 2000 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 36pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
| KBP210 | 0,8500 | | 200 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | -50 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, KBP | Padrão | KBP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-KBP210 | 8541.10.0000 | 100 | 1 V @ 1 A | 10 µA A 1000 V | 2 a | Fase Única | 1 kv | |||||||||||
| FBR804 | 1.3800 | | 200 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4 Quadrados, BR-10 | Padrão | BR-10 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-FBR804 | 8541.10.0000 | 200 | 1,3 V @ 4 a | 10 µA A 400 V | 8 a | Fase Única | 400 v | |||||||||||
| RBV3508 | 2.8100 | | 2 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, RBV-25 | Padrão | RBV-25 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcance como informação de disponição mediana solicitada | 2439-RBV3508 | 8541.10.0000 | 500 | 1,1 V @ 17,5 A | 10 µA a 800 V | 35 a | Fase Única | 800 v | ||||||||||
| RBV1510 | 1.6100 | | 1 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, RBV-25 | Padrão | RBV-25 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcance como informação de disponição mediana solicitada | 2439-RBV1510 | 8541.10.0000 | 100 | 1,1 V @ 7,5 A | 10 µA A 1000 V | 15 a | Fase Única | 1 kv | ||||||||||
 | 1n5246bbulk | 0,1800 | | 4 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 500 MW | DO-35 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N5246BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1,1 V @ 200 mA | 100 Na @ 12 V | 16 v | 17 ohms | |||||||||||
| 1n5397bulk | 0,1800 | | 20 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Padrão | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N5397bulk | 8541.10.0000 | 500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,1 V @ 1,5 A | 5 A @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1.5a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
| Fr105bulk | 0,2100 | | 10 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Padrão | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-FR105BULK | 8541.10.0000 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,3 V @ 1 a | 250 ns | 5 µA A 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 50pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
| 1N5250BT/R. | 0,0400 | | 40 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 500 MW | DO-35 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N5250BT/RTR | 8541.10.0000 | 10.000 | 1,1 V @ 200 mA | 100 Na @ 15 V | 20 v | 25 ohms | |||||||||||
| RBV3510 | 2.8100 | | 900 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, RBV-25 | Padrão | RBV-25 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcance como informação de disponição mediana solicitada | 2439-RBV3510 | 8541.10.0000 | 100 | 1,1 V @ 17,5 A | 10 µA A 1000 V | 35 a | Fase Única | 1 kv | ||||||||||
| RBV5002 | 1.8300 | | 1 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, RBV-25 | Padrão | RBV-25 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcance como informação de disponição mediana solicitada | 2439-RBV5002 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 V @ 25 A | 10 µA A 200 V | 50 a | Fase Única | 200 v | ||||||||||
| 1N4755ABULK | 0,1800 | | 8 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1 w | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N4755Abulk | 8541.10.0000 | 1.000 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA a 32,7 V | 43 v | 70 ohms | |||||||||||
| 1N4761AT/R. | 0,0500 | | 10 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1 w | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N4761AT/RTR | 8541.10.0000 | 5.000 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA @ 56 V | 75 v | 175 ohms | |||||||||||
| KBP202 | 0,8500 | | 6 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | -50 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, KBP | Padrão | KBP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcance como informação de disponição mediana solicitada | 2439-KBP202 | 8541.10.0000 | 100 | 1 V @ 1 A | 10 µA A 200 V | 2 a | Fase Única | 200 v |
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