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| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Max) | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1N4736AT/R. | 0,0500 |  | 10 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1 w | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N4736AT/RTR | 8541.10.0000 | 5.000 | 1,2 V @ 200 mA | 10 µA A 4 V | 6,8 v | 3,5 ohms | ||||||||||||
| 1N5361AT/R. | 0,1500 | | 7 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 10% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | 5 w | DO-15 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N5361AT/RTR | 8541.10.0000 | 3.000 | 1,2 V @ 1 A | 500 Na @ 19,4 V | 27 v | 5 ohms | ||||||||||||
 | 1n5256bt/r | 0,0400 | | 10 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 500 MW | DO-35 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N5256BT/RTR | 8541.10.0000 | 10.000 | 1,1 V @ 200 mA | 100 Na @ 23 V | 30 v | 49 ohms | ||||||||||||
| 1N4757AT/R. | 0,0600 | | 10 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1 w | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N4757AT/RTR | 8541.10.0000 | 5.000 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA a 38,8 V | 51 v | 95 ohms | ||||||||||||
| 1N5351A | 0.1330 | | 6 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 10% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | 5 w | DO-15 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N5351atr | 8541.10.0000 | 3.000 | 1,2 V @ 1 A | 1 µA a 10,1 V | 14 v | 2,5 ohms | ||||||||||||
| 1N5229BT/R. | 0,0400 | | 10 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 500 MW | DO-35 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N5229BT/RTR | 8541.10.0000 | 10.000 | 1,1 V @ 200 mA | 5 µA @ 1 V | 4.3 v | 22 ohms | ||||||||||||
| 1n5360bbulk | 0,4000 | | 1 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | 5 w | DO-15 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N5360BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1,2 V @ 1 A | 500 Na @ 19 V | 25 v | 4 ohms | ||||||||||||
| 1N757ABULK | 0,2100 | | 4 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 500 MW | DO-35 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N757Abulk | 8541.10.0000 | 500 | 1,2 V @ 200 mA | 100 Na @ 1 V | 9.1 v | 10 ohms | ||||||||||||
| Sf54-bulk | 0,6400 | | 3 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcance como informação de disponição mediana solicitada | 2439-SF54-BULK | 8541.10.0000 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 950 mV @ 5 A | 35 ns | 10 µA A 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 50pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
| 1N4738A | 0,0500 | | 5 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | CAIXA | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1 w | DO-41 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N4738A | 8541.10.0000 | 5.000 | 1,2 V @ 200 mA | 10 µA a 6 V | 8.2 v | 4,5 ohms | ||||||||||||
| 1N5338B | 0,2600 | | 12 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | 5 w | DO-15 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N5338BTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 A | 1 µA a 1 V | 5.1 v | 1,5 ohms | |||||||||||
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 | Fr304t/r | 0,1300 | | 3 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-FR304T/RTR | 8541.10.0000 | 1.250 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 3 A | 150 ns | 10 µA A 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 60pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
| BR1502M | 2.3500 | | 1 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | 4 quadrados, BR-50 | Padrão | BR-50 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-BR1502M | 8541.10.0000 | 50 | 1,1 V @ 7,5 A | 10 µA A 200 V | 15 a | Fase Única | 200 v | ||||||||||||
| BY133T/R. | 0,0400 | | 140 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Padrão | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-BY133T/RTR | 8541.10.0000 | 5.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1300 v | 1,1 V @ 1 A | 1,5 µs | 5 µA A 1300 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
| BR1506 | 2.4100 | | 200 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | 4 quadrados, BR-50 | Padrão | BR-50 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-BR1506 | 8541.10.0000 | 50 | 1,1 V @ 7,5 A | 10 µA A 600 V | 15 a | Fase Única | 600 v | ||||||||||||
| KBL406M | 1.1800 | | 800 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, kbl | Padrão | Kbl | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-KBL406M | 8541.10.0000 | 100 | 1,1 V @ 4 A | 10 µA A 600 V | 4 a | Fase Única | 600 v | ||||||||||||
| BR806 | 0,9100 | | 2 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4 Quadrados, BR-10 | Padrão | BR-10 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-BR806 | 8541.10.0000 | 200 | 1 V @ 4 a | 10 µA A 600 V | 8 a | Fase Única | 600 v | ||||||||||||
| BYV96E T/R. | 0,0800 | | 18 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | Avalanche | DO-15 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439 BYV96ET/RTR | 8541.10.0000 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,6 V @ 1,5 A | 300 ns | 5 µA A 1000 V | 175 ° C. | 1.5a | - | ||||||||||
| BR5001 | 2.9300 | | 900 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | 4 quadrados, BR-50 | Padrão | BR-50 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-BR5001 | 8541.10.0000 | 50 | 1.1 V @ 25 A | 10 µA A 100 V | 50 a | Fase Única | 100 v | ||||||||||||
| BZX55C18T/R. | 0,0300 | | 5 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 500 MW | DO-35 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-BZX55C18T/RTR | 8541.10.0000 | 500 | 1 V @ 100 Ma | 100 Na @ 13 V | 18 v | 50 ohms | ||||||||||||
| BR3501 | 2.6900 | | 1 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | 4 quadrados, BR-50 | Padrão | BR-50 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-BR3501 | 8541.10.0000 | 50 | 1,1 V @ 17,5 A | 10 µA A 100 V | 35 a | Fase Única | 100 v | ||||||||||||
| BR3506 | 3.1300 | | 1 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | 4 quadrados, BR-50 | Padrão | BR-50 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-BR3506 | 8541.10.0000 | 50 | 1,1 V @ 17,5 A | 10 µA A 600 V | 35 a | Fase Única | 600 v | ||||||||||||
| 1N4752ABULK | 0,1800 | | 9 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1 w | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N4752ABULK | 8541.10.0000 | 1.000 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA a 25,1 V | 33 v | 45 ohms | ||||||||||||
| 1n5234bbulk | 0,1800 | | 4 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 500 MW | DO-35 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N5234BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1,1 V @ 200 mA | 5 µA A 4 V | 6.2 v | 7 ohms | ||||||||||||
| 1n4736bulk | 0,2000 | | 10 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | ± 10% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1 w | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N4736Bulk | 8541.10.0000 | 500 | 1,2 V @ 200 mA | 10 µA A 4 V | 6,8 v | 3,5 ohms | ||||||||||||
| 1n4746abulk | 0,1800 | | 3 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1 w | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N4746ABULK | 8541.10.0000 | 1.000 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA A 13,7 V | 18 v | 20 ohms | ||||||||||||
| 1N4751AT/R. | 0,0600 | | 20 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1 w | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N4751AT/RTR | 8541.10.0000 | 5.000 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA A 22,8 V | 30 v | 40 ohms | ||||||||||||
| 1n5395bulk | 0,1800 | | 10 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Padrão | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2439-1N5395bulk | 8541.10.0000 | 500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,1 V @ 1,5 A | 5 µA A 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1.5a | 15pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
| RBV810 | 1.3000 | | 700 | 0,00000000 | EIC Semicondutor Inc. | - | Bolsa | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, RBV-25 | Padrão | RBV-25 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcance como informação de disponição mediana solicitada | 2439-RBV810 | 8541.10.0000 | 100 | 1 V @ 4 a | 10 µA A 1000 V | 8 a | Fase Única | 1 kv |
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