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Produtos semicondutores discretos(885)

Número do produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade disponível	Fabricante	Série	Pacote	Estado do produto	Temperatura operacional	Tipo de montagem	Pacote/Caso	Número básico do produto	Tecnologia	Potência - Máx.	Pacote de dispositivos do fornecedor	Ficha de dados	Estado RoHS	Nível de sensibilidade à umidade (MSL)	Outros nomes	ECCN	HTSU	Pacote Padrão	Configuração	Velocidade	Tipo FET	Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)	Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)	Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs	Vgs(th) (máx.) @ ID	Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs	Vgs (máx.)	Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	Recurso FET	Dissipação de energia (máx.)	Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.)	Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se	Tempo de recuperação reversa (trr)	Corrente - Vazamento reverso @ Vr	Temperatura Operacional - Junção	Corrente - Média Retificada (Io)	Capacitância @ Vr, F	Tipo de diodo	Tensão - Pico Reverso (Máx.)
RBU1006M	0,7900	Solicitação de cotação	6826	Rectron EUA	-	Tubo	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	4-SIP, RBU		padrão		RBU	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	2516-RBU1006M	EAR99	8541.10.0080	2.000															1 V @ 5 A		1 µA a 800 V		10A		Monofásico	800V
RC206	0,4400	Solicitação de cotação	4944	Rectron EUA	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	4-Circular, RC-2		padrão		RC-2	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	2516-RC206	EAR99	8541.10.0080	6.000															1,05 V a 2 A		200 nA a 800 V		2A		Monofásico	800V
DB155	0,3800	Solicitação de cotação	3491	Rectron EUA	-	Tubo	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	4-EDIP (0,321", 8,15 mm)		padrão		DB-1	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	2516-DB155	EAR99	8541.10.0080	15.000															1 V a 1,5 A		1 µA a 600 V		1,5A		Monofásico	600 V
DB204	0,3900	Solicitação de cotação	4618	Rectron EUA	-	Tubo	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	4-EDIP (0,321", 8,15 mm)		padrão		DB-1	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	2516-DB204	EAR99	8541.10.0080	15.000															1,1 V a 2 A		5 µA a 400 V		2A		Monofásico	400 V
RS407M	0,7800	Solicitação de cotação	3989	Rectron EUA	-	Tubo	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	4-SIP, RS-4M		padrão		RS-4M	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	2516-RS407M	EAR99	8541.10.0080	1.800															1,05 V a 4 A		5 µA a 1000 V		4A		Monofásico	1kV
DB103S	0,3200	Solicitação de cotação	5259	Rectron EUA	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	4-SMD, asa de gaivota		padrão		DB-S	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	2516-DB103STR	EAR99	8541.10.0080	8.000															1 V @ 1 A		1 µA a 200 V		1A		Monofásico	200 V
RBU1505M	0,7900	Solicitação de cotação	6924	Rectron EUA	-	Tubo	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	4-SIP, RBU		padrão		RBU	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	2516-RBU1505M	EAR99	8541.10.0080	2.000															1 V a 7,5 A		500 nA a 600 V		15A		Monofásico	600 V
RM4503S8	0,1900	Solicitação de cotação	1978	Rectron EUA	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura)	RM4503	MOSFET (óxido metálico)	2,5W (Ta)	8-POP	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	2516-RM4503S8TR		8541.10.0080	40.000	Canal N e P			30V	10A (Ta), 9,1A (Ta)		10mOhm a 10A, 10V, 20mOhm a 9,1A, 10V	3 V a 250 µA	13nC a 4,5V, 30nC a 10V		1550pF a 15V, 1600pF a 15V	-
RM70P30LD	0,2800	Solicitação de cotação	8708	Rectron EUA	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63		MOSFET (óxido metálico)		PARA-252-2	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	2516-RM70P30LDTR		8541.10.0080	25.000			Canal P	30 V	70A (Tc)	4,5V, 10V	7,2mOhm a 20A, 10V	2,5 V a 250 µA		±20V	3450 pF a 25 V	-	90W (Tc)
KDB3200S	0,4900	Solicitação de cotação	2731	Rectron EUA	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	4-SMD, asa de gaivota		Schottky		DB-S	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	2516-KDB3200STR	EAR99	8541.10.0080	8.000															850 mV a 3 A		20 µA a 200 V		3A		Monofásico	200 V
RM30N100LD	0,3500	Solicitação de cotação	2353	Rectron EUA	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63		MOSFET (óxido metálico)		PARA-252-2	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	2516-RM30N100LDTR		8541.10.0080	25.000			Canal N	100V	30A (Tc)	10V	31mOhm @ 10A, 10V	2,5 V a 250 µA		±20V	2.000 pF a 25 V	-	85W (Tc)
RM40N40LD	0,1450	Solicitação de cotação	4107	Rectron EUA	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63		MOSFET (óxido metálico)		PARA-252-2	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	2516-RM40N40LDTR		8541.10.0080	25.000			Canal N	40 V	42A (Tc)	4,5V, 10V	11,5mOhm a 20A, 10V	2,5 V a 250 µA		±20V	1314 pF a 15 V	-	34,7W (Tc)
1S40-T	0,0550	Solicitação de cotação	9988	Rectron EUA	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo		Através do furo	R-1, Axial		Schottky		R-1	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	2516-1S40-TTR	EAR99	8541.10.0080	5.000		Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io)													550 mV por 1 A		200 µA a 40 V	150ºC	1A	110pF @ 4V, 1MHz
RM21N650T2	1.2500	Solicitação de cotação	7279	Rectron EUA	-	Tubo	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	PARA-220-3		MOSFET (óxido metálico)		PARA-220-3	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	2516-RM21N650T2		8541.10.0080	5.000			Canal N	650 V	21A (Tc)	10V	180mOhm a 10,5A, 10V	4 V a 250 µA		±30V	2600 pF a 50 V	-	188W (Tc)
FM806C-W-AT1	0,0790	Solicitação de cotação	1001	Rectron EUA	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo		Montagem em superfície	DO-214AB, SMC		padrão		DO-214AB (SMC)	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	2516-FM806C-W-AT1TR	EAR99	8541.10.0080	3.000		Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io)													1,05 V a 8 A		300 nA @ 800 V	-55°C ~ 150°C	8A	-
RM70P40LD	0,3800	Solicitação de cotação	7749	Rectron EUA	-	Tubo	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63		MOSFET (óxido metálico)		PARA-252-2	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	2516-RM70P40LD		8541.10.0080	4.000			Canal P	40 V	70A (Tc)	10V	10mOhm a 20A, 10V	2,5 V a 250 µA		±20V	5380 pF a 20 V	-	130W (Tc)
R2000G	0,0600	Solicitação de cotação	8230	Rectron EUA	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo		Através do furo	DO-204AL, DO-41, Axial		padrão		DO-41	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	2516-R2000GTR	EAR99	8541.10.0080	20.000		Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io)												2.000V	2 V a 200 mA		5 µA a 2.000 V	-65°C ~ 175°C	500mA	30pF @ 4V, 1MHz
RS1004M-C-LV	1.3500	Solicitação de cotação	9109	Rectron EUA	-	Tubo	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	4-SIP, RS-10M		padrão		RS-10M	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	2516-RS1004M-C-LV	EAR99	8541.10.0080	1.800															900 mV a 5 A		5 µA a 400 V		10A		Monofásico	400 V
RM8N650HD	0,5200	Solicitação de cotação	3581	Rectron EUA	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB		MOSFET (óxido metálico)		PARA-263-2	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	2516-RM8N650HDTR		8541.10.0080	8.000			Canal N	650 V	8A (Tc)	10V	450mOhm @ 4A, 10V	3,5 V a 250 µA		±30V	680 pF a 50 V	-	80W (Tc)
HER508-F	0,1550	Solicitação de cotação	7189	Rectron EUA	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo		Através do furo	DO-201AD, Axial		padrão		DO-201AD	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	2516-HER508-FTR	EAR99	8541.10.0080	1.200		Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io)													1,7 V a 3 A	75ns	500 nA @ 1000 V	150ºC	5A	50pF @ 4V, 1MHz
RM35P30LD	0,1450	Solicitação de cotação	4886	Rectron EUA	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63		MOSFET (óxido metálico)		PARA-252-2	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	2516-RM35P30LDTR		8541.10.0080	25.000			Canal P	30 V	35A (Tc)	4,5V, 10V	20mOhm a 15A, 10V	2,5 V a 250 µA		±20V	1345 pF a 15 V	-	34,7W (Tc)
MD3S	0,3300	Solicitação de cotação	7040	Rectron EUA	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	4-SMD, asa de gaivota		padrão		MD-S	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	2516-MD3STR	EAR99	8541.10.0080	24.000															1 V a 400 mA		1 µA a 200 V		800 mA		Monofásico	200 V
R1200F	0,0390	Solicitação de cotação	3782	Rectron EUA	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo		Através do furo	DO-204AL, DO-41, Axial		padrão		DO-41	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	2516-R1200FTR	EAR99	8541.10.0080	20.000		Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io)												1200 V	2,5 V a 500 mA	500 ns	5 µA a 1200 V	-65°C ~ 175°C	500mA	-
1N4004-T	0,0220	Solicitação de cotação	5949	Rectron EUA	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo		Através do furo	DO-204AL, DO-41, Axial		padrão		DO-41	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	2516-1N4004-T.TR	EAR99	8541.10.0080	10.000		Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io)													1 V @ 1 A		200 nA @ 1000 V	-55°C ~ 150°C	1A	15pF @ 4V, 1MHz
RM4N700IP	0,3500	Solicitação de cotação	1818	Rectron EUA	-	Tubo	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	Terminais TO-251-3, IPak		MOSFET (óxido metálico)		PARA-251	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	2516-RM4N700IP		8541.10.0080	4.000			Canal N	700 V	4A (Tc)	10V	1,4Ohm a 2A, 10V	3,5 V a 250 µA		±30V	280 pF a 50 V	-	46W (Tc)
RBU402M	0,7900	Solicitação de cotação	4707	Rectron EUA	-	Tubo	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	4-SIP, RBU		padrão		RBU	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	2516-RBU402M	EAR99	8541.10.0080	2.000															1 V @ 4 A		1 µA a 100 V		4A		Monofásico	100V
RBU2007M	0,8900	Solicitação de cotação	7658	Rectron EUA	-	Tubo	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	4-SIP, RBU		padrão		RBU	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	2516-RBU2007M	EAR99	8541.10.0080	2.000															1,1 V a 10 A		5 µA a 1000 V		20 A		Monofásico	1kV
1F18	0,0550	Solicitação de cotação	5726	Rectron EUA	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo		Através do furo	R-1, Axial		padrão		R-1	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	2516-1F18TR	EAR99	8541.10.0080	20.000		Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io)												1800 V	1,8 V a 500 mA	300 ns	5 µA a 1800 V	-55°C ~ 150°C	500mA	15pF @ 4V, 1MHz
RS2007MLS	1.2000	Solicitação de cotação	1815	Rectron EUA	-	Tubo	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	4-SIP, RS-20MLS		padrão		RS-20MLS	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	2516-RS2007MLS	EAR99	8541.10.0080	2.000															1 V a 10 A		5 µA a 1000 V		20 A		Monofásico	1kV
RM130N200T7	4.3000	Solicitação de cotação	8471	Rectron EUA	-	Tubo	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3		MOSFET (óxido metálico)		PARA-247	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	2516-RM130N200T7		8541.10.0080	1.800			Canal N	200 V	132A (Tc)	10V	10,9mOhm a 20A, 10V	4 V a 250 µA		±20V	4970 pF a 100 V	-	429W (Tc)